電路柵

1. 光柵尺的解析度是指四倍頻之後的值嗎這個四倍頻電路是要自己加的還是光柵尺讀數頭內已經處理了

解析度就指光柵尺的最底解析度,在顯示器上顯示的最小變數,一般的光柵有版以下分辯率:0.01mm,0.005mm,0.001mm,0.0005mm,0.0002mm,0.0001mm等，常用的是0.005mm/0.001mm。權
四倍頻電路光柵尺讀數頭內沒有做處理的。
輸出的一個方波代表多少值，這個與光柵尺的分別率有關系的。

2. 共源共柵電路 自偏置 什麼意思

1、場效應管有三種組態：共源、共柵、共漏

2、直流偏置電路分自給偏壓電路和分壓式自偏壓電路

3. 電視遭雷擊...怎麼辦！

電視要是這樣的話
方案一、你的電視有沒有參加保險呀，那樣可以去反應的。
方案二、要是沒有內參保的話，就去容維修部修下，花點錢。
方案三、要是出現這種情況的話，你不想修，那就買一個吧，也不貴。但是，你還是自己請個懂的人，安一個避雷針吧，反正就是有一個可以避雷的就好。
下次不要出現這種情況了，好危險呀。

4. 電腦純平顯示器開機出現回掃線並且每隔七秒左右出現閃屏，這是怎麼回事

出現回掃線有太多的故障現象：
一、場輸出電路故障
在屏幕的上半部出現幾專根或十幾根回掃線，有屬時伴有上卷邊；
這是場逆程脈沖的幅度不足和逆程時間延長造成的；
一般是自舉升壓電容或場逆程高壓供電電容不良；
二、場消隱電路
會在屏幕上出現十幾條回掃線，有時是實線，有時是斷續的虛線；
三、視頻電路
光柵較亮，圖像較淡，或沒有圖像，滿屏回掃線，亮度和對比度控制不明顯，有時伴有自動關機或閃屏現象；
1、光柵白色
故障在視放供電電壓整流電路，一般是整流二極體或電容損壞；
2、光柵為某一基色
則是該基色視放故障；
一般是三極體擊穿，或飽和導通，或（視放板上的）放電管因受潮出現打火現象
四、顯象管電路
一般是加速極加速電壓過高，或顯象管陰極和燈絲碰極；
1、加速極電壓過高時，有圖像，光柵較亮，滿屏回掃線，有時在圖像較亮時沒有回掃線；可調低加速極電壓；
2、陰極與燈絲碰極時，某一基色的亮光柵，有時伴有自動關機現象；
樓主的問題類似於第三項。

5. 場效應管中，有些電路柵極處的電容起到什麼作用

舉例說明： 極間電容： Power MOSFET的3個極之間分別存在極間電容CGS，CGD，CDS。通常生產廠家提供的是漏源極斷路時的輸入電容CiSS、共源極輸出電容CoSS、反向轉移電容CrSS。CiSS = CGS+CGD=pF, CoSS= CGD+CDS =pF，CrSS = CGD =pF Power MOSFET 的開通過程：由於Power MOSFET 有輸入電容，因此當脈沖電壓上升沿到來時，輸入電容有一個充電過程，柵極電壓Ugs按指數曲線上升。當Ugs上升到開啟電壓Ut時，開始形成導電溝道並出現漏極電流Id。從up前沿時刻到Ugs=UT，且開始出現Id的時刻，這段時間稱為開通延時時間td(on)。此後，Id隨Ugs的上升而上升，Ugs從開啟電壓Ut上升到Power MOSFET臨近飽和區的柵極電壓Ugsp這段時間，稱為上升時間tr。這樣Power MOSFET的開通時間 ton=td(on)+tr =45ns+75ns=ns (根據datasheet) Power MOSFET的關斷過程：當up電壓下降到0時，柵極輸入電容上儲存的電荷通過連在MOS上的二極體放電到地，使柵極電壓按指數曲線下降，當下降到Ugsp 繼續下降，Id才開始減小，這段時間稱為關斷延時時間td(off)。此後，輸入電容繼續放電，Ugs繼續下降，Id也繼續下降，到Ugs< SPAN>T時導電溝道消失，Id=0，這段時間稱為下降時間tf。這樣Power MOSFET 的關斷時間關於這個建議去硬之城官網看看哦,能快速解決問題 服務態度又好這個很多地方都做不到的。

6. 電視機雷擊問題

一,電視機遭受雷擊原因
雷電來源
①電網 雷電通過電網線路進入電視機.
②有線電視信號線 雷電由有線電視信號進入電視機.
③室外天線 雷電沿室外天線進入電視機.
電視機遭受雷擊的原因
根據雷擊來源,電視機遭受雷擊的原因有兩個:
從天線侵入
雷電從室外天線進入.輕者造成高頻頭損壞,重者涉及到中放和其他電路.被損壞的電視機大多為有室外天線的用戶.
從電源侵入
雷電侵入市電電網後,經電網進入各用戶的用電設備.輕者造成電視機電源損壞,重者涉及到負載電路.
雷電的電場強,雷擊電流大,往往造成落雷附近電器的大面積損壞.落雷時,不但正在收看的電視機損壞,而接上電源未開機的電視也會損壞,連拔掉電源和天線並移出幾米遠的電視機,有時也未能倖免.受雷擊的彩電損壞的面積較大,元器件較多,檢修時不要忙於通電試機.要先排除較明顯的短路故障和開路故障後,再按常規檢修方法通電試機.
電視機雷擊故障的特徵
由於電視機遭受雷擊的程度和擊壞的部位不同,所表現出的故障現象也不盡相同.根據檢修實踐中的情況,我歸納出常見雷擊損壞的故障部位是電源電路,高頻頭電路,CPU電路,解碼電路,AV/TV轉換電路,伴音電路,電路銅箔.其中,高頻頭與電源部分擊壞的故障率最高,其餘部分又多為集成電路擊壞.
由於電視機各部分電路功能特定,不同功能電路的擊壞,表現出不同的故障現象.電源電路擊壞時,表現為三無;高頻頭擊壞時,表現為無圖無聲;解碼電路擊壞時,常表現為光柵異常;CPU電路擊壞時,表現為面板功能鍵失控,遙控失靈;AV/TV轉換電路擊壞時,表現為圖聲異常;伴音電路擊壞時,表現伴音失真或無聲;電路板銅箔的擊壞,隨擊壞的部分不同而表現各異,且擊壞的程度有輕有重.上述故障特徵見表1.

表1
故 障 部 位
故 障 現 象
電源電路
三無
CPU
功能失控,無顯示
高頻頭
無圖無聲
解碼電路
光柵單色,有回掃線光柵暗
AV/TV電路
AV/TV轉換失常,圖聲失常
伴音電路
聲音失常,無聲
線路板
各功能部位表現不同
電視機雷擊損壞的檢修要點
檢修雷擊損壞的電視機時,首先應根據電視機的電路構成,弄清楚工作信號流向和有關集成電路關鍵功能引腳端子的正常電壓值.彩電功能信號流向圖如圖1所示.檢修的一般原則為先明後隱,即先檢修明顯損壞的故障部件,如先修復擊壞的電路板銅箔,電源電路中的晶體管等,後檢修隱蔽的故障部件,如集成電路和不明顯可見損壞的銅箔.檢修程序為:
電源 光柵 圖像 伴音
檢修程序中相對應的功能電路為:
電源電路 掃描電路 解碼電路 CPU電路 AV/TV電路 中放電路 高頻頭電路伴音電路

7. pe版我的世界紅石電路柵欄門

據可靠消息0.9.0會添加村民，末影人，不過無紅石相關的東西，活塞無寵物可能。

8. 場效應管中，有些電路柵極處的電容起到什麼作用

舉例說明：
極間電容： Power MOSFET的3個極之間分別存在極間電容CGS，CGD，CDS。通常生產廠家提供的是漏源極斷路時的輸入電容CiSS、共源極輸出電容CoSS、反向轉移電容CrSS。CiSS = CGS+CGD=4850pF, CoSS= CGD+CDS =855pF，CrSS = CGD =222pF

Power MOSFET 的開通過程：由於Power MOSFET 有輸入電容，因此當脈沖電壓上升沿到來時，輸入電容有一個充電過程，柵極電壓Ugs按指數曲線上升。當Ugs上升到開啟電壓Ut時，開始形成導電溝道並出現漏極電流Id。從up前沿時刻到Ugs=UT，且開始出現Id的時刻，這段時間稱為開通延時時間td(on)。此後，Id隨Ugs的上升而上升，Ugs從開啟電壓Ut上升到Power MOSFET臨近飽和區的柵極電壓Ugsp這段時間，稱為上升時間tr。這樣Power MOSFET的開通時間
ton=td(on)+tr =45ns+75ns=120ns (根據datasheet)
Power MOSFET的關斷過程：當up信號電壓下降到0時，柵極輸入電容上儲存的電荷通過連在MOS上的二極體放電到地，使柵極電壓按指數曲線下降，當下降到Ugsp 繼續下降，Id才開始減小，這段時間稱為關斷延時時間td(off)。此後，輸入電容繼續放電，Ugs繼續下降，Id也繼續下降，到Ugs< SPAN>T時導電溝道消失，Id=0，這段時間稱為下降時間tf。這樣Power MOSFET 的關斷時間

9. 保養家用電腦的方法有哪些

1.閱讀家用電腦用戶手冊，熟悉設備的結構特點，掌握安裝及使用方法。回

2.根據手冊規定連接答電源和設備，特別要注意家用電腦電源是使用220V，還是110V。目前絕大多數家用電腦使用220V。電源插座上火線與零線是否同要求一致，電壓值測量正確後方可連接電腦。

3.家用電腦通電及斷電的順序要正確。

4.用戶不應拆動任何部件，不要硬扳開關。

5.保養時，要先切斷電源，拔掉插頭。

6.清潔時，要用濕軟布或鏡頭紙擦拭顯示器屏幕，否則，會擦傷表面。

7.人體電容量為200PF左右，通常靜電電壓很高，而MOS存儲器電路柵極容易被靜電擊穿。保養時不要用手摸器件。

8.電腦用完後，應用布套罩上，以防止灰塵侵入。

9.要時刻警惕機內是否有燒焦味或其他不正常情況。若有，要及時斷電查明原因，原因不明時不要急於通電。

10.電腦有重大故障時，不要私自拆開修理，應及時與銷售或維修點聯系送修。

10. 場效應管中，有些電路柵極處的電容起到什麼作用

舉例說明： 極間電容： Power MOSFET的3個極之間分別存在極間電容CGS，CGD，CDS。通常生產廠家提供的是漏源極斷路時的輸入電容CiSS、共源極輸出電容CoSS、反向轉移電容CrSS。CiSS = CGS+CGD=4850pF, CoSS= CGD+CDS =855pF，CrSS = CGD =222pF Power MOSFET 的開通過程：由於Power MOSFET 有輸入電容，因此當脈沖電壓上升沿到來時，輸入電容有一個充電過程，柵極電壓Ugs按指數曲線上升。當Ugs上升到開啟電壓Ut時，開始形成導電溝道並出現漏極電流Id。從up前沿時刻到Ugs=UT，且開始出現Id的時刻，這段時間稱為開通延時時間td(on)。此後，Id隨Ugs的上升而上升，Ugs從開啟電壓Ut上升到Power MOSFET臨近飽和區的柵極電壓Ugsp這段時間，稱為上升時間tr。這樣Power MOSFET的開通時間 ton=td(on)+tr =45ns+75ns=120ns (根據datasheet) Power MOSFET的關斷過程：當up信號電壓下降到0時，柵極輸入電容上儲存的電荷通過連在MOS上的二極體放電到地，使柵極電壓按指數曲線下降，當下降到Ugsp 繼續下降，Id才開始減小，這段時間稱為關斷延時時間td(off)。此後，輸入電容繼續放電，Ugs繼續下降，Id也繼續下降，到Ugs< SPAN>T時導電溝道消失，Id=0，這段時間稱為下降時間tf。這樣Power MOSFET 的關斷時間