Ⅰ 關於邏輯門電路的門限值VTH
CMOS門電路都是由NMOS和PMOS管組成。
以反向器為例.輸入從0到電源電壓的過程,輸出會從電源電壓到0.
在這個程中,輸入和輸出均為緩變.會出現NMOS管與PMOS管同時開啟的情況。
可以認為有不定態.
但是對於反向器，與非,或非的翻轉點只有一個.即無論上升,下降都在相同的電壓出現翻轉.
而對於施密特電路,它的上升與下降的翻轉點不同。
這是由於在輸入上升與下降過程中參與信號的通路不同造成的。
Ⅱ 邏輯門電路有哪些特性和參數,並給出參數的定義
主要有以下參數: 1、工作電源上下限 2、輸入高低電平上下限 3、輸出高低電平上下限 4、輸入阻抗 5、輸出阻抗。CMOS門電路由單極型MOS管構成的門電路稱為Mos門電路。MOS電路具有製造工藝簡單、功耗低、集成度高、電源電壓使用范圍寬、抗干擾能力強等優點，特別適用於大規模集成電路。MOS門電路按所用MOS管的不同可分為三種類型：第一種是由PMOS管構成的PMOS門電路，其工作速度較低；第二種是由NMOS管構成的NMOS門電路，工作速度比PMOS電路要高，但比不上TTL電路；第三種是由PMOS管和NMOS管兩種管子共同組成的互補型電路，稱為CMOS電路，CMOS電路的優點突出，其靜態功耗極低，抗干擾能力強，工作穩定可靠且開關速度也大大高於NMOS和PMOS電路，故得到了廣泛應用。MOS管主要參數1、開啟電壓VT·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2、直流輸入電阻RGS·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比·這一特性有時以流過柵極的柵流表示·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。3、漏源擊穿電壓BVDS·在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS·ID劇增的原因有下列兩個方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿，（2）漏源極間的穿通擊穿。
Ⅲ 常用邏輯門電路的真值表如表1所示，寫出 F 1 、 F 2 、 F 3的邏輯表達式
先列出真值來表： A B C F 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 根據真源值表中F為1的項,列寫出F的邏輯表達式為： F=(A非)(B非)(C非)+ABC 根據真值表可以發現,當ABC邏輯相同的時候,F為真,否則F為假, 所以可認定該電路的邏輯功能是判斷ABC的邏輯是否相同. 改用與非門設計： 1.先分別用三個2輸入與非門,讓A,B,C分別與1 作 「與非」得到 A非,B非,C非 2.再用兩個3輸入與非門,一個輸入A,B,C得到（ABC）非,另一個輸入A非,B非,C非得到（A非B非C非）非 3.將第二步的兩個結果進行「與非」即得到F的表達式我這個方法肯定正確但不一定是最簡單的設計哈~ 望我的回答對你有所幫助~