A. GTO、GTR、MOSFET、IGBT分別表示什麼電力電子元件,試給出各元件的主要特點
GTO(門級可關斷晶閘管)：全控型器件 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 。GTO
電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強
電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低。
GTR（電力晶體管）耐高壓，電流大開關特性好。GTR
耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低
開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題。
MOSFET
（電力場效應晶體管）驅動電路簡單，需要驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性高於GTR但是電流容量小。MOSFET
開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題
電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)它綜合了GTR和mosfet的優點，IGBT
開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率小
開關速度低於電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO。