1. 氧化鋁陶瓷電路板和普通電路板的區別
氧化鋁抄陶瓷是一種以（Al2O3）為主體的陶瓷材料，用於厚膜集成電路。氧化鋁陶瓷有較好的傳導性、機械強度和耐高溫性。氮化硅陶瓷是一種以（Si3N4 ）為主體的陶瓷燒結時不收縮的無機材料。氮化硅的強度很高，尤其是熱壓氮化硅，是世界上最堅硬的物質之一。這兩種材質都有一定的共性具體哪個更好也不好說的要看實際的使用情況來選擇材質。
2. 陶瓷電路板工藝中的 厚膜是什麼意思
陶瓷電路板工藝中的 厚膜解讀：
厚膜工藝就是把專用的集成電路晶元與相關的電容、電阻元件都集成在一個基板上，在其外部採用統一的封裝形式，做成一個模塊化的單元。這樣做的好處是提高了這部分電路的絕緣性能、阻值精度，減少了外部溫度、濕度對其的影響，所以厚膜電路比獨立焊接的電路有更強的外部環境適應性能
專利摘要：高溫超導材料厚膜工藝，是用超導陶瓷材料微粉與有機粘合溶劑調和成糊狀漿料，用絲網漏印技術將漿料以電路布線或圖案形式印製在基底材料上，經嚴格熱處理程序進行燒結，製成超導厚膜，厚度可在15－80μm范圍。該膜層超導轉變溫度在90K以上，零電阻溫度在80K以上。
專利主權項
一種制備高溫（Tc）超導陶瓷材料厚膜工藝，其特徵在於該工藝包括調漿、制膜及熱處理，所說調漿是將400－500目氧化物超導陶瓷微粉加入有機粘合劑調和成糊膏狀，其固/液=3－5/1；制膜是用絲網漏印或直接塗刷，將所調漿料印刷在基底材料上；再經熱處理燒結成超導膜層，該熱處理全過程均在氧氣氣氛下進行，先在80－90℃烘乾0．5小時左右，在管式爐中以2－3℃/分速率升溫，各段溫度及保持時間順序為：150℃/1－3小時，400℃/1－4小時，850℃/1．5－3小時，950－1100℃/2－4小時，然後隨爐降溫至800℃/2－4小時，400℃/3－5小時，最後自然冷卻至室溫。