① 要期末考試了，求數字電路和物理試題及答案
學院還承擔了22個本、專科專業的高等教育自學考試主考任務，目前自學考試主考物理化學、化工原理：電路、電子技術、電機學、單片機：電路分析、信號與
② 電子科技大學16年6月考試《電路設計與模擬》期末大作業
一
1、電阻起限流作用。如果去掉電阻，電源相當於輸出短路，電流會很大，可能燒壞電源。
2、線性電源功率器件工作在放大區即線性狀態。開關電源功率器件工作在飽和或截止區即開關狀態。
線性電源精度好，紋波小，調整率好，對外干擾小，適用多種場合。開關電源的尺寸相比線性電源要小，效率高。但是開關電源有污染電網和幅射干擾的問題。
3、
（1）
Ui=10V
U(RL)=500Ω/(1kΩ+500Ω)*10V=3.3V
此時負載電壓小於穩壓管穩定電壓，穩壓管不導通。Uo=3.3V
Ui=15V
U(RL)=500Ω/(1kΩ+500Ω)*15V=5V
此時負載電壓小於穩壓管穩定電壓，穩壓管不導通。Uo=5V
Ui=35V
限流電阻電流I=(35V-6V)/1kΩ=29mA
負載電流IRL=6V/500Ω=12mA，
穩壓管電流=29mA-12mA=17mA
Uo=6V
（2）負載開路時，穩壓管電流=(35V-6V)/1kΩ=29mA
超出穩壓管最大穩定電流，穩壓管燒壞。
4、
（1）Ub=R2/(R1+R2)*VCC=15kΩ/(22kΩ+15kΩ)*9V=3.65V
IE=(Ub-Vbe)/RE=(3.65V-0.7v)/2kΩ=1.475mA
IC≈IE=1.475mA
Vce=VCC-IC(RC+RE)=9V-1.475*4V=3.1V
(2)Rbe=200Ω+（1+β）26/IE=200Ω+（1+100）26/1.475=1.98kΩ
Ri=R1//R2//Rbe=22kΩ//15kΩ//1.98kΩ=1.62kΩ
Ro≈RC=2kΩ
Av=-β（RC//RL）/Rbe=-100*1/1.98≈50
5
（1）輸出端電壓允許范圍3-40V，所以Uomin=3V
UR=R1(R1+R2)*Uo=1.25V
Uo=1.25V*（R1+R2）/R1
所以R2最大時，Uo最大
Uomax=1.25V*（240Ω+3kΩ）/240Ω=16.875V
Uo的調節范圍為3V-16.875V
（2）考慮W117壓降，輸入電壓最小值大於輸入出電壓最小值3V，假設壓降為1V，輸入電壓最小為4V
最大為40V
6、沒用過
7、
8、
（1）轉換速率（SR）是運放的一個重要指標，單位是V/μs。該指標越高，對信號的細節成分還原能力越強，否則會損失部分解析力。運放轉換速率定義為，運放接成閉環條件下，將一個大信號（含階躍信號）輸入到運放的輸入端，從運放的輸出端測得運放的輸出上升速率。由於在轉換期間，運放的輸入級處於開關狀態，所以運放的反饋迴路不起作用，也就是轉換速率與閉環增益無關。
（2）單位增益帶寬定義為，運放的閉環增益為1倍條件下，將一個頻率可變恆幅正弦小信號輸入到運放的輸入端，隨著輸入信號頻率不斷變大，輸出信號增益將不斷減小，當從運放的輸出端測得閉環電壓增益下降3db（或是相當於運放輸入信號的0.707）時，所對應的信號頻率乘以閉環放大倍數1所得的增益帶寬積。單位增益帶寬是一個很重要的指標，對於正弦小信號放大時，單位增益帶寬等於輸入信號頻率與該頻率下的最大增益的乘積，換句話說，就是當知道要處理的信號頻率和信號需要的增益後，可以計算出單位增益帶寬，用以選擇合適的運放。這用於小信號處理中運放選型。
（3）差模輸入電阻是指輸入差模信號時，運放的輸入電阻。 為運放開環條件下，從兩個差動輸入端看進去的動態電阻。
9、
（1）Ui<R1/(R1+RF)*Uo時，Uo=比較器正輸入電壓
Ui>R1/(R1+RF)*Uo時，Uo=比較器負輸入電壓
此比較器相當於過零比較器，添加了一個R1/(R1+RF)*Uo的回差。
（2）Uo=+12V
Ui>R1/(R1+RF)*Uo=30/150*12V=2.4V
Uo變為-12V
Ui<R1/(R1+RF)*Uo=30/15*(-12V)=-2.4V
Uo變為+12V
10、
Vo1=-(Rf1/R1*Vi1+Rf1/R2*Vi2)
-Rf1/R1=3
-Rf1/R2=2
不知道是不是這個電路輸入正負好像搞反了，這樣計算R都是負值
③ 電路與電子技術復習資料
電子技術期末復習資料
（2010年春）
一、填空題
1、常用半導體材料是 和 ，其原子核最外層均有 個價電子。
2、PN結最主要的特性是 。
3、三級管的三個電極分別叫做 、 和 。
4、二極體實質上就是一個 ，P區引出端叫 ，N區引出端叫 。
5、三極體輸出特性曲線可劃分為 區、 區和 區。
6、硅管死區電壓是 V，正向導通壓降是 V。
7．本徵半導體中的自由電子濃度___ ___空穴濃度。
8.在摻雜半導體中，多子的濃度主要取決於___ ___。
9.確保二極體安全工作的兩個主要參數分別是____ __和___ ___。
10.晶體管能夠放大的外部條件是發射結_________、集電結 。
11. 測得晶體管BCE三個電極的靜態電流分別為 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。則該管的β為___ __ 。
12.場效應管的漏極電流是由 _____ ____ 的漂移運動形成。
13.集成運放是一種高增益的、 _________ 耦合的多級放大電路。
14. 放大電路中有反饋的含義是 ___ ____ 。
15. 根據反饋的極性，反饋可分為 _______ 反饋和 反饋。
16．一位十六進制數可以用 位二進制數來表示。
17. 當邏輯函數有n個變數時，共有 個變數取值組合。
18．三極體作為開關使用時，要提高開關速度，可 。二、單項選擇題
1、具有記憶功能的是（ ）。
a、與非門 b、異或門 c、加法器 d、觸發器
2、下列邏輯定理錯誤的是（ ）。
a、aa=a b、a+1=a c、a+1=1 d、a+a=a
3、(1011001)2 = ( )
a、13 b、59 c、89 d、131
4、要求各項整流指標好，但不要逆變的小功率場合應採用（ ）電路。
a、單相全控橋 b、單相半控橋 c、三相半波 d、三相半控橋 6、三相半波可控整流電路各相觸發脈沖相位差（ ）。
a、60° b、90° c、120° d、180°7、7、三相半控橋整流電路a = 0時脈動電壓，最低脈動頻率是（ ）。
a、2f b、3f c、4f d、6f
8、邏輯表達式a+ab等於（ ）。
a、a b、1+a c、1+b d、b
9、雙穩態觸發器原來處於「1」狀態，想讓它翻轉為「0」態，可以採用觸發方式是（ ）。
a、單邊觸發 b、多邊觸發 c、計數觸發 d、負觸發
10、在三相半波可控整流電路中，當負載為感性時，負載電感越大，其（ ）導通角越大。
a、輸出電壓越低 b、輸出電壓越高 c、輸出電壓恆定不變 d、輸出電壓不變
11、改變單結晶體管觸發電路的振盪頻率一般採用（ ）。
a、變電阻 b、變電容 c、變電感 d、變電壓
12、三相零式晶閘管可控硅整流電路每次每隔（ ）換流一次。
a、60° b、120° c、150° d、180°
13、集成運放輸入端並接二個正反向二極體其作用是（ ）。
a、提高輸入陰抗 b、過載保護 c、輸入電壓保護 d、電源電壓保護
14、反相加法運算rf=100k，r1 i =50k r2 i =25k，其平衡電阻r』應是（ ）。
a、16.67 k b、1.67 k c、20k d、14.3k
15、集成運算電壓跟隨器應是（ ）。
a、af =1 b、af = ∞ c、af = 1 d、af = 0
16、集成運算微分器輸出電壓應等於（ ）。
a、rfci／dt b、－rfci／dt c、∫uidt rc d、－∫uidt rc
17、單相半波可控整流電路大電感負載，接有續流二極體，若a = 60° ilav=10a，則續流二極體中的電流有效值是（ ）。
a、10a√13 b、10a√12 c、10a√23 d、10a
18、共陰極單相半控橋整流電路給電動勢e的蓄電池充電，晶閘管實際承受的最大正反向電壓是（ ）。
a、2u2—e b、 2+e c、 2 d、e
19、三相全控橋接大電感負載時輸出電流的波形是（ ）。
a、正弦波 b、斷續波 c、連續近似直線 d、近似矩形波
20、三相半控橋整流電路，若為大電感負載a=900時，續流二極體每周期的導通角度為（ ）。
a、3χ300 b、3χ600 c、300 d、600
21.組合電路是由（ ）組成的。
a、存儲電路 b、門電路 c、邏輯電路 d、數字電路
22.晶閘管由導通變為截止的條件是（ ）。
a、控制電壓減小 b、控制電壓反向 c、控制電壓為零 d、陽極電壓為零
23.( 51 )10 = ( )2
a、(1110011)2 b、(110011)2 c、( 001111)2 d、(1111000)2
24.要求各項整流指標較好，大功率高電壓的場合應採用（ ）電路。
a、單相全控橋 b、三相半波 c、三相半控橋 d、三相全控橋
25.三相全控橋整流電路當控制角a = 00時，空載整流輸出電壓平均值為（ ）。
a、0.45 u2φ b、0.9 u2φ c、1.17 u2φ d、2.34 u2φ
26.三相半控橋整流電路a = 0時脈動電壓，最低脈動頻率是（ ）。
a、2f b、3f c、4f d、6f
27.三相半波可控整流電路各相觸發脈沖相位差（ ）。
a、60° b、90° c、120° d、180°
28.雙穩態觸發脈沖過窄，將會使電路出現後果是（ ）。
a、空翻 b、正常翻轉 c、觸發不翻轉 d、不定
29.「異或」門電路的邏輯功能表達式是（ ）。
a、a b c b、a+b+c c、a b+c b d、 b +
30.用於把矩形波脈沖變為尖脈沖的電路是（ ）。
a、r耦合電路 b、rc耦合電路 c、微分電路 d、積分電路
31.三相橋式晶閘管可控硅整流電路每次每隔（ ）換流一次。
a、60° b、120° c、150° d、180°
32.電感足夠大的負載三相橋式晶閘管可控整流電路，當控制角a=90°時，直流輸出平均電壓為（ ）。
a、0.9 u2φ b、1.17 u2φ c、2.34 u2φ d、0 u2φ
33.反相加法運算集成電路，輸出.輸入電壓關系為u0= －( 4u1i +2u2i ) ,當rf=100k時，r1i應是（ ）。
a、100k b、50k c、20k d、10k
34.集成運算反相器應是（ ）。
a、af =1 b、af = ∞ c、af = －1 d、af = 0
35.集成運算積分器應是（ ）。
a、u0 =∫uidt rc b、u0 = －∫uidt rc
c、u0 = rfci dt d、u0 = rfci dt
36.集成運算放大器為擴大輸出電流可採用（ ）。
a、輸出端加功率放大電路 b、輸出端加電壓放大電路
c、輸出端加射極跟隨器 d、輸出端加三極體反相器
37.單相全控橋整流電路，按電阻性負載要求已設計安裝調試完畢，今改接蓄電池負載，在輸出電流不變的前提下則（ ）。
a、變壓器容量需增大 b、晶閘管容量加大 c、兩者容量都加大 d、兩者容量可不變
38.三相橋式全控整流電路，同一相所接的兩只晶閘管觸發脈沖之間的相位差是（ ）。
a、60° b、120° c、150° d、180°
39．三相全控橋接大電感負載時，晶閘管的導通角為（ ）。
a、小於90° b、90° c、大於90° d、120°
40．晶閘管變流裝置產生高次諧波的原因是（ ）。
a、周期性的非正弦波 b、變壓器的漏抗 c、電感負載 d、電容負載三、簡答題
1、為什麼溫度對二極體正向特性影響小，而對反向特性影響很大？
2、在數字系統中為什麼要採用二進制？
3、雙管直接耦合放大電路有什麼優點？試說明其穩定工作點的原理。
4、什麼是邏輯變數？什麼是邏輯函數？它們與普通代數中的變數和函數有何異同？
5、三極體有哪三種工作狀態，其特徵分別是什麼？
6、什麼叫本徵半導體和摻雜半導體？後者和前者相比有哪些特點？
四、計算題
請將下面邏輯表達式化簡為最簡與或表達式：
1）
2）Y=∑m(0. 2.3.5.6.7.)
3）
4）Y=∑m(0. 2.3.5.6.7.)
④ 吉大11春學期《電路電子技術》期末作業考核要求
一、（10分）求圖1所示電路中的電壓U。
圖1
二、（10分）應用疊加定理求圖示電路中電壓 。
圖2
三、（10分）圖3所示示電路中開關閉合前電容無初始儲能， 時開關S閉合，求 時的電容電壓 。
圖3
四、（20分）圖4 所示放大電路中，三極體β=100，UBEQ=0.6V ，C1、C2、Ce可視為交流短路。
① 求靜態工作點Q；
② 用等效電路法求電壓增益Au=uo/ui、源電壓增益Aus=uo/us；
③ 求輸入電阻Ri、輸出電阻Ro。
圖4
五、（20分）恆流源式差動放大電路如題圖5所示，已知三極體的UBE=0.7V，ß=50，rbb』=100Ω，穩壓管的UZ=+6V，+VCC=+12V，–VEE=–12V，RB=5kΩ，RC=100kΩ，RE=53kΩ，RL=30kΩ。
① 求靜態工作點Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；
② 求差模電壓放大倍數Aud；
③ 求差模輸入電阻Rid與輸出電阻Rod。
圖5
六、（10分）試判斷圖6所示電路中是否引入了反饋，是直流反饋還是交流反饋，是正反饋還是負反饋。設圖中所有電容對交流信號均可視為短路。若有交流負反饋，判斷是何種組態，並求在深度負反饋條件下的電壓放大倍數。
圖6
七、（10分）試求出圖7所示電路的運算關系。
圖7
八、（10分）在圖8所示電路中，已知VCC＝15V，T1和T2管的飽和管壓降│UCES│＝2V，輸入電壓足夠大。求解：
（1）最大不失真輸出電壓的有效值；
（2）最大輸出功率Pom和效率η。
圖8