n溝道mos管開關電路

⑴ 求高手分析下這個mos管驅動電路的原理，主要講解下兩個電阻的選型

這是一個電機驅動電路，MOS管在這起了一個開關的作用。
這是兩個前悉N溝道增強型CMOS管，在其柵極施加正電壓將形成導慧中乎電溝道，MOS管的漏-源極呈現低阻狀態，相當於開關接通，電機轉動。由於該類型管子的輸培燃入電阻極大，如果不是工作在高頻狀態，對電阻選擇要求不高，R24、R26數百歐姆到數K歐姆都可以，R25、R27在10K-20K范圍也都可以。

⑵ 【求教】MOS管開關電路。

MOS和三極體相像，但是三極體屬於電流驅動型，而MOS屬於電壓驅動型，因此在控制回的時候需要考慮MOS的G端電答壓。一般的N溝道MOS在3V往上就可以導通，但是為了考慮可靠性，往往是加上一個電阻，接到12V左右，這是我們常用的。如圖我們產品中的一個圖，是電機驅動，用的就是MOS的開關特性。另外，數字電路中所用到的三極體和MOS就是一個開關，因為數字電路只有0和1。圖中的PWM是單片機IO埠直接過來的，0V和5V可變。後面一個推挽電路，然後給MOS。

⑶ MOS管在開關電路的作用

MOS管在開關電路的作用是信號的轉換、控制電路的通斷。

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。

改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。

N溝道的MOS管的電路中，BEEP引腳為高電平即可導通，蜂鳴器發出聲音，低電平關閉蜂鳴器；P溝道的MOS管是用來控制GPS模塊的電源通斷，GPS_PWR引腳為低電平時導通，GPS模塊正常供電，高電平時GPS模塊斷電。

(3)n溝道mos管開關電路擴展閱讀

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路採用-24V電壓供電。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便於直接耦合，容易製成規模大的集成電路 。

⑷ 請教：MOS管做開關電路

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於MOS管是電壓控制元件，所以主要回由柵源電壓uGS決定其答工作狀態。

MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。

MOS管也是三端壓控元件，三端分別是G、D、S，可以等效於普通三極體的B、C、E三極，VGS的電壓（=VG-VS）控制Mos 開關狀態:

當VGS大於Von（開啟電壓，NMOS為2~4V，PMOS為-2~-4V）時就使得Mos打開，D& S兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；

同理當VGS小於Von時就使得Mos處於關閉狀態，D& S兩極之間阻抗很大；

所以，G極就是控制極；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值為4V，可是擊穿電壓為正負20V；又比如IRF9530，開啟電壓為最大-4V，也就是說Vgs=-5V時已經打開，開啟電壓上限也為正負20V，當Vgs=-21V或者22V時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓Vgs=正負9伏比較適合。

⑸ Pmos管開關電路

下圖是兩種PMOS管經典開關電路應用：其中第一種NMOS管為高電平導通，低電平截斷，Drain端接後面電路的接地端；第二種為PMOS管典型開關電路，為高電平斷開，低電平導通，Drain端接後面電路的VCC端。

首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。這就是後面介紹電路圖中柵極所接電阻至地。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，並可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正確器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOSFET，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中採用PMOS管經典開關電路，這也是出於對電壓驅動的考慮。

第二步：確定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。該參數以FDN304P管DATASHEET為參考，參數如圖所示：

來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在於R110控制柵極電流不至於過大，R113控制柵極的常態，將R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉，當MCU內部管腳並沒有上拉時，即輸出為開漏時，並不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。

⑹ MOS管用於開關電路時候G極有必要串聯電阻嗎

串電阻是防止振盪。如果你直接用IO驅動，驅動電流最大也就20mA,電阻太大不合適。普通使用做開關控制，建議不要超過100歐。
另外，如果你的驅動頻率很高，這個電阻必須減小，甚至改為0歐也是可行。
頻率100K以上，必須使用專門的驅動電路（比如，圖騰柱方式）或者MOS管專用驅動IC，不然的話MOS管容易燒毀。
下拉電阻是防止G極殘余電壓誤導通，不可太大或太小，10K到47K都可以。

⑺ 請教：MOS管做電子開關電路

電路錯了，PMOS你還D入S出？也就是說，S和D反了，調過來就對了。這個電路很常用，類似於PNP型三極體，對P三極體來說，E接電源入，C接控制輸出，同理如上。

⑻ MOS管在開關電路中的使用

MOS管也就是常說的場效應管（FET），有結型場效應管、絕緣柵型場效應管（又分為增強型和耗盡型場擾指差效應管）。

也可以只分成兩類P溝道和N溝道，這里我們就按照P溝道和N溝道分類。

對MOS管分類不了解的可以自己上網查一下。

場效應管的作用主要有信號的轉換、控制電路的通斷，這里我們講解的是MOS管作為開關管的使用。

對於MOS管的選型緩皮，注意4個參數：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經過MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關頻率）。

下面我們看一下MOS管的引腳，如下圖所示：

有三個引腳，分別為G（柵極）、S（源極）、D（漏極）。

在開關電路中，D和S相當於需要接通的電路兩端，G為開關控制。

這里分享一個自己的分辨P溝道和N溝道的方法，我們就看中間的箭頭，把G（柵極）連接的部分當做溝道，大家都知道PN結，而不是NP結，那麼就是P指向N的，所以腦海里想到這樣的情景 P-->N，所以箭頭都是P-->N的，那麼中間的箭頭指向的就是N，如果指向溝道那就是N溝道，如果指向的是S（沒有指向溝道），那就是P溝道。

這個方法也適用於三極體的判別（NPN、PNP）。

在上圖中我們可以看到右邊都有一個寄生二極體，起到保護的作用。

那麼根據二極體的單向導電性我們也能知道在電路連接中，D和S應該如何連接。使用有寄生二極體的N溝道MOS管的情況下，D的電壓要高於S的電壓，否則MOS管無法正常工作（二極體導通）。

使用有寄生二極體的P溝道MOS管，S的電壓要高於D的電壓，原因同上。

下面是MOS管的導通條件，只要記住電壓方向與中間箭頭方向相反即為導通（當然這個相反電壓需要達到MOS管的開啟電壓）。

比如導通電壓為3V的N溝道MOS管，只要G的電壓比S的電壓高3V即可導通（D的電壓也要比S的高）。

同理，導通電壓為3V的P溝道MOS管，只要G的電壓比S的電壓低3V即可導通（S的電壓比D的高）。

在電路中的典型逗桐應用如下圖所示，分別為N溝道與P溝道的MOS管驅動電路：

我們可以看到，N溝道的MOS管的電路中，BEEP引腳為高電平即可導通，蜂鳴器發出聲音，低電平關閉蜂鳴器；

P溝道的MOS管是用來控制GPS模塊的電源通斷，GPS_PWR引腳為低電平時導通，GPS模塊正常供電，高電平時GPS模塊斷電。

重點、重點、重點，以上兩個應用電路中，N溝道和P溝道MOS管不能互相替代，如下兩個應用電路不能正常工作：

對於上面兩個電路如何修改能正常工作？

⑼ mos開關電路怎麼連接

MOS管開關電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。因管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。

一般情況下普遍用於高端驅動的MOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

MOS管是電壓驅動，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導通DS，柵極串多大電阻均能導通。但如果要求開關頻率較高時，柵對地或VCC可以看做是一個電容，對於一個電容來說，串的電阻越大，柵極達到導通電壓時間越長，MOS處於半導通狀態時間也越長，在半導通狀態內阻較大，發熱也會增大，極易損壞MOS，所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。

MOS開關電路

MOS和三極體相像，但是三極體屬於電流驅動型，而MOS屬於電壓驅動型，因此在控制的時候需要考慮MOS的G端電壓。一般的N溝道MOS在3V往上就可以導通，但是為了考慮可靠性，往往是加上一個電阻，接到12V左右，這是我們常用的。如圖我們產品中的一個圖，是電機驅動，用的就是MOS的開關特性。另外，數字電路中所用到的三極體和MOS就是一個開關，因為數字電路只有0和1。圖中的PWM是單片機IO埠直接過來的，0V和5V可變。後面一個推挽電路，然後給MOS。

⑽ MOS開關電路

MOS開關電路圖電路圖如下：

AOD448是30V75A的管子，是用4.5V驅動的，偏高了點。

可以用AOD442，AO3416等管子，電壓用2.5V就能驅動。當電壓為2.5V時，只有26豪歐。電流2到3安沒問題。

也可以用IRF540N，1A條件下一點問題都沒有，當時做精密恆流源，可以控制到精度1mA。不過散熱很重要，要有足夠大的散熱片和小風扇。電壓有個3-5V就足夠了。高電平驅動（其實就相當於PWM）。

(10)n溝道mos管開關電路擴展閱讀：

MOS管開關電路：

1、P溝道MOS管開關電路

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓悄基，即柵極低於電源一定電壓就導通，而非相對於地的電壓。但是因為PMOS導通內阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然橋困使用N溝道MOS管。

2、N溝道mos管開關電路

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓大於參數手敏運念冊中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當NMOS作為高端驅動時候，當漏極D與源極S導通時，漏極D與源極S電勢相等，那麼柵極G必須高於源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續導通。