一造電路

『壹』 電路改造需要注意的幾個注意事項

電路改造是家居裝修的時候的重點建設項目，在我們入住後，裝修的質量會對生活產生長遠的的影響。如果電路不合理，裝修施工的過程不規范，不僅會給我們的生活帶來很大的問題，而且還會無形地帶來電力的安全性隱患。在電路改造的時候注意以下幾個注意事項可以幫助更好的進行電路裝修。

1、插槽不要太暴力

電路改造時在規劃電路設計之後，必須對牆壁和地板進行溝槽。首先聯系電工，了解電路的具體方向，繪制電路圖後，按照電路圖中的說明進入插槽。防止工人劇烈開槽是很重要的，因為有些牆壁是承重牆，隨意開槽會破壞整個房間的結構。通道的角也應該是圓形的，以防止螺紋管在拐角處刮傷。

2、電纜必須用管道連接

電路改造的時候電線必須穿過PVC管才能埋在牆上。直接埋在牆上會使其非常容易老化，並且還會增加後續維護的難度。

3、管內不要使用太多電纜

電路改造的時候一些建築設備需要在PVC管中放置許多電纜以節省時間和精力，這是非常糟糕的行為。管道中的電纜不得超過管道橫截面積的40%，通常，最好將電纜限制在大約三根電纜上。管道內的電纜過多，不僅會影響管道的使用壽命，還會增加管道的使用壽命。存在安全風險。

4、強電纜和弱電纜分離

電路改造的時候強電氣管道和弱電氣管道不能位於同一個槽中。強電纜不能穿透與弱電纜相同的管道。由於強電線通電，產生的電磁波將強烈影響弱電信號。如果強力線管與弱線管交叉，則弱線管應用鋁箔包裹以與交叉點相交。

5、電路改造使用沒有摺痕、沒有接頭的管道

電路改造的時候如果電纜線彎曲或分支，請使用專業彎頭和套管連接。如果電纜不夠長，請將其連接到機箱，確保螺紋管中的電纜沒有接頭或扭曲，這樣電路改造也更加的安全可靠。

『貳』 集成電路製造五個步驟

半導體產業開始於上世紀。隨著 1947 年固體晶體管的發明， 半導體行業已經獲得了長足發展， 之後的發展方向是引入了集成電路和硅材料。集成電路將多個元件結合在了一塊晶元上，提高了晶元性能、降低了成本。隨著硅材料的引入，晶元工藝逐步演化為器件在矽片上層以及電路層的襯底上淀積。

晶元製造主要有五大步驟：矽片制備、晶元製造、晶元測試與挑選、裝配與封裝、終測。

晶元製造主要有五大步驟_國內矽片製造商迎來春天

晶元製造的五大步驟

（1）矽片制備。

首先是將硅從礦物中提純並純化，經過特殊工藝產生適當直徑的硅錠。然後將硅錠切割成用於製造晶元的薄矽片。最後按照不同的定位邊和沾污水平等參數製成不同規格的矽片。 本文討論的主要內容就是矽片制備環節。

（2）晶元製造。

裸露的矽片到達矽片制廠，經過各種清洗、成膜、光刻、刻蝕和摻雜等步驟，矽片上就刻蝕了一整套集成電路。晶元測試/揀選。 晶元製造完後將被送到測試與揀選區，在那裡對單個晶元進行探測和電學測試，然後揀選出合格的產品，並對有缺陷的產品進行標記。

（3）裝配與封裝。

矽片經過測試和揀選後就進入了裝配和封裝環節，目的是把單個的晶元包裝在一個保護殼管內。 矽片的背面需要進行研磨以減少襯底的厚度，然後把一個後塑料膜貼附在矽片背面，再沿劃線片用帶金剛石尖的鋸刃將矽片上每個晶元分開，塑料膜能保持晶元不脫落。在裝配廠，好的晶元被壓焊或抽空形成裝配包，再將晶元密封在塑料或陶瓷殼內。

（4）終測。

為確保晶元的功能， 需要對每一個被封裝的集成電路進行測試， 以滿足製造商的電學和環節的特性參數要求。

矽片製作的工藝流程

矽片制備之前是製作高純度的半導體級硅（semiconctor-grade silicon， SGS），也被稱為電子級硅。 制備過程大概分為三步，第一步是通過加熱含碳的硅石（SiO2） 來生成氣態的氧化硅 SiO；第二步是用純度大概 98%的氧化硅，通過壓碎和化學反應生產含硅的三氯硅烷氣體（SiHCl3）； 第三步是用三氯硅烷經過再一次的化學過程，用氫氣還原制備出純度為 99.9999999%的半導體級硅。

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半導體硅的生產過程

對半導體級硅進一步加工得到矽片的過程被稱為矽片制備環節。 矽片制備包括晶體生長、整型、切片、拋光、清洗和檢測等步驟，通過單晶硅生長、 機械加工、化學處理、表面拋光和質量檢測等環節最終生產出符合條件的高質量矽片。