❶ 我可以把我想要的電路設計出來，但這個電路相對比較簡單，但我覺得還是挺實用的，可以申請專利嗎
如果只是電路布圖設計，是不受專利法保護的，專利權不授予電路結構。
如果是大規模集成電路，可以申請集成電路設計權的保護。
❷ 如何撰寫電路類的專利
電器A是現有技術只用畫方框圖
電路B是創造點必須畫電路圖
電路B的電路圖有很多種，每種都要畫
並且要把A和B的相互工作關系表達清楚
❸ 電路原理圖可以申請專利嗎
您這個可以申請：集成電路布圖設計專利
定義：
《集成電路布圖設計保護條例》第2條，是指集成電路中至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互連線路的三維配置，或者為製造集成電路而准備的上述三維配置。
權利：
《集成電路布圖設計保護條例》第7條，是指布圖設計權利人享有的下列專有權：
(1)對受保護的布圖設計的全部或者其中任何具有獨創性的部分進行復制;
(2)將受保護的布圖設計、含有該布圖設計的集成電路或者含有該集成電路的物品投人商業利用。
❹ 半導體產業系列（一）--日本半導體產業之崛起
姓 名：李歡迎 學 號：20181214053 學 院：廣研院
原文鏈接：https://xueqiu.com/7332265621/133496263
【 嵌牛導讀 】 ： 半導體的應用領域很廣，在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，可以說是現代科技的骨架。半導體應用的關鍵領域便是集成電路。集成電路發明起源於美國，後來在日本加速發展壯大，到目前在韓國台灣分化發展。本文旨在介紹日本半導體的發家史，體會上世紀美日之間在半導體產業爭霸上的血雨腥風，同時從中尋找一些我國科技產業的發展經驗。
【 嵌牛鼻子 】 ： 日本半導體產業
【 嵌牛提問 】 ： 日本半導體產業是如何在美國技術封鎖的牢籠中走向世界？
【 嵌牛內容 】
在集成電路行業，全球范圍內的每一次技術升級都伴隨模式創新，誰認清了技術、投資和模式間的關系，誰才能掌握新一輪發展主導權，在全球競爭中占據更為有利的地位，超大規模集成電路（VLSI）計劃便是例證。日本的集成電路產業發展較早，在20世紀60年代便已經有了研究基礎，發展至今經歷了從小到大、從弱到強、轉型演變的歷史，其中從1976年3月開始實施的超大規模集成電路計劃是一個里程碑。
日本集成電路的起點
在超大規模集成電路計劃實施前，日本的集成電路行業已經有了一定的基礎。作為冷戰時期美國抵禦蘇聯影響的橋頭堡，日本的集成電路發展得到了美國的支持。1963年，日本電氣公司便獲得了仙童半導體公司的平面技術授權，而日本政府則要求日本電氣將其技術與日本其他廠商分享。以此為起點，日本電氣、三菱、夏普、京都電氣都進入了集成電路行業。在日本早期的集成電路發展中，與美國同期以軍用市場為主不同的是，日本在引進技術後側重於民用市場。究其原因，第二次世界大戰後，日本的軍事建設受限，在美蘇航天爭霸的過程中日本的半導體技術只能用於民間市場。正是如此，日本走出了一條以民用市場需求為導向的集成電路發展之路，並在20世紀70年代和80年代一度趕超美國。
日本政府為集成電路的發展制定了一系列的政策措施，例如1957年制定的《電子工業振興臨時措施法》、1971年制定的《特定電子工業及特定機械工業振興臨時措施法》和1978年制定的《特定機械情報產業振興臨時措施法》，加上民用市場的保護使日本的集成電路具備了一定的基礎。
20世紀70年代，在美國施壓下，日本被迫開放其半導體和集成電路市場，而同期IBM正在研發高性能、微型化的計算機系統。在這樣的背景下，1974年6月日本電子工業振興協會向日本通產省提出了由政府、產業及研究機構共同開發「超大規模集成電路」的設想。此後，日本政府下定了自主研發晶元、縮小與美國差距的決心，並於1976—1979年組織了聯合攻關計劃，即超大規模集成電路計劃，計劃設國立研發機構——超大規模集成電路技術研究所。此計劃由日本通產省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、日本電氣五家公司為主體，以日本通產省的電氣技術實驗室、日本工業技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所為支持，其目標是集中優勢人才，促進企業間相互交流和協作攻關，推動半導體和集成電路技術水平的提升，以趕超美國的集成電路技術水平。
項目實施的4年間共取得上千件專利，大幅提升了日本的集成電路技術水平，為日本企業在20世紀80年代的集成電路競爭鋪平了道路，取得了預期的效果。把握世界競爭大勢、研判未來發展方向，需要凝聚力量、統籌協調的專業認知作為支撐。盡管事後看，日本的超大規模集成電路計劃實施效果非常理想，但是實施過程卻並不順利。根據前期測算，計劃需投入3000億日元，業界希望能夠得到1500億日元的政府資助，後來實施4年間共投入737億日元，其中政府投入291億日元。其間，自民黨信息產業議員聯盟會長橋木登美三郎多次努力，希望政府追加投入，但是未能如願。政府投入未及預期，參與企業的士氣受到了一定程度的打擊。當時，參與計劃的富士通公司福安一美說：「當時，大家都有一種被公司遺棄的感覺，而且並未料到竟然研製出向IBM挑戰的產品。」
投入不及預期，再加上研究人員從各企業和機構間臨時抽調、各行其道，一時間日本的超大規模集成電路計劃開發很不順利，不同研究室人員間互相提防、互不往來、互不溝通的現象十分普遍。 此時，垂井康夫站了出來。垂井康夫1929年出生於東京，1951年畢業於早稻田大學第一理工學院電氣工學專業，1958年申請了晶體管相關的專利，是日本半導體研究的開山鼻祖，1976年超大規模集成電路技術研究會成立時被任命為聯合研究所的所長。
垂井康夫在當時的日本業界頗具聲望，他的領導使各成員都能信服。 垂井康夫對參與方進行積極的引導，指出參與方只有同心協力才能改變基礎技術落後的局面，在基礎技術開發完成後各企業再各自進行產品開發，這樣才能改變在國際競爭氛圍中孤軍作戰的困局。垂井康夫的努力，很快為研發人員所接受，各家力量得到了有效的融合，而歷時4年的風雨同舟、協同努力成了日本集成電路產業發展的最好推力。除垂井康夫外，當時已從日本通產省退休的根岸正人功不可沒。當時，超大規模集成電路技術研究會設理事會，日立公司社長吉ft博吉擔任理事長，但是在真正的執行過程中，根岸正人發揮了很好的協調作用。
根岸正人有多年推動大型國家研究計劃的經驗，他對計劃各參與方的能力、利益訴求都頗為了解，在計劃中通過其有效的溝通化解了沖 突，為垂井康夫成功地凝聚團隊做了背後的鋪墊。 可以看出，在集成電路的研發攻關中，除了資金和資源投入外，團隊協調和技術融合更是成功的關鍵。
從超大規模集成電路計劃的組織架構來看，除垂井康夫領導的聯合研究所外，先前成立的兩個聯合研究機構也參與了超大規模集成電路計劃，分別是日立、三菱、富士通聯合建立的計算機綜合研究所，以及由日本電氣和東芝聯合成立的日電東芝信息系統。三個研究所分別從事超大規模集成電路、計算機和信息系統的研發，其中聯合研究所負責基礎及通用技術的研發，另兩個研究所則負責實用化技術開發（重點為64KB及256KB內存晶元的設計及開發）。在各方的協同努力下，參與方都派遣了其最優秀的工程師。來自各地的工程師們肩並肩地在同一研究所內共同工作、共同生活、集中研 究，在微細加工技術及相關設備、硅晶圓的結晶技術、集成電路設計技術、工藝技術和測試技術上取得了突破。其中，聯合研究所主要負責微細加工技術及相關設備、硅晶圓的結晶技術的攻關，其他技術的通用部分也由其負責，實用化的開發則由另兩個研究所負責。
具體來看，六個研究室中，分別由不同企業負責協調：第一、第二、第三研究室主要攻關微細加工技術，分別由日立、富士通和東芝負責協調；第四研究室攻關結晶技術，由工業技術研究院電子綜合研究所負責協調；第五研究室負責工藝技術，由三菱負責協調；第六研究室攻關測試、評價及產品技 術，由日本電氣負責協調。微細加工技術是計劃的重心，從聯合研究所的研究成果來看，日本當時開發了三種電子束描繪裝置、電子束描繪軟體、高解析度掩膜及檢查裝置、硅晶圓含氧量及碳量的分析技術等。垂井康夫評估說，計劃實施完畢後日本的半導體技術已和IBM並駕齊驅。在計劃中，日本企業對於動態隨機存儲器有了深入的理解，其更高質量、更高性能的動態隨機存儲器晶元為日本趕超美國提供了機遇。
從1980年至1986年，日本企業的半導體市場份額由26％上升至45％，而美國企業的半導體市場份額則從61％下滑至43％。 1980年，聯合研究所的研究工作已全部結束，而另兩個研究所則追加資金（共約1300億日元）作進一步的技術開發， 以1980年至1982年為第一期，1983至1986年為第二期。 這些系統化的布局為日本的半導體行業騰飛發揮了至關重要的作用。
從人員來看，計劃開展期間的聯合研究所研發人員數量為100人左右，計算機綜合研究所的研發人員數量為400人左右，日電東芝信息系統則為370人左右。在後續投入階段，研究人員數量減少，1985年計算機綜合研究所研發人員已減至90人左右，而日電東芝信息系統則減至30人左右。盡管聯合研究所研發人員相對較少，但事關各企業的未來發展基礎，因此各企業都派遣一流人才參與。在此過程中，垂井康夫對各企業都十分了解，點名要求各企業派遣其看中的人才。
在實施超大規模集成電路計劃及後續的資助計劃後，1986年日本半導體產品已佔世界市場的45％，超越美國成為全球第一半導體生產大 國。 1989年，在存儲晶元領域，日本企業的市場份額已達53％，與美國該領域37％的市場份額形成了鮮明對比。 在日本企業的巔峰時期，日本電氣、東芝和日立三家企業排名動態存儲器領域的全球前三，其市場份額甚至超90％，與之相比，美國德州儀器和鎂光科技則苦苦支撐。
❺ 如何撰寫電路類的專利
專利申請書撰寫的注意事項
(1)申請發明或者實用新型專利的，應當提交請求書、說明書及其摘要和權利要求書等文件。請求書應當寫明發明或者實用新型的名稱，發明人或者設計人的姓名，申請人姓名或者名稱、地址，以及其他事項。
(2)說明書應當對發明或者實用新型作出清楚、完整的說明，以所屬技術領域的技術人員能夠實現為准;必要的時候，應當有附圖。
(3)摘要應當簡要說明發明或者實用新型的技術要點。權利要求書應當以說明書為依據，說明要求專利保護的范圍。申請外觀設計專利的，應當提交請求書以及該外觀設計的圖片或者照片等文件，並且應當寫明使用該外觀設計的產品及其所屬的類別。
(4)專利局收到專利申請文件之日為申請日。如果申請文件是郵寄的，以寄出的郵戳日為申請日。申請人自發明或者實用新型在外國第一次提出專利申請之日起十二個月內，或者自外觀設計在外國第一次提出專利申請之日起六個月內，又在中國就相同主題提出專利申請的，依照該外國同中國簽訂的協議或者共同參加的國際條約，或者依照相互承認優先權的原則，可以享有優先權。
(5)申請人自發明或者實用新型在中國第一次提出專利申請之日起十二個月內，又向專利局就相同主題提出專利申請的，可以享有優先權。申請人要求優先權的，應當在申請的時候提出書面聲明，並且在三個月內提交第一次提出的專利申請文件的副本;未提出書面聲明或者逾期未提交專利申請文件副本的，視為未要求優先權。