單極型電路

1. 電的單極和雙極是什麼

單極就是電壓只能從固定的一個方向流入或流出；雙極就是電壓能從不同的方向流入或流出。
記得採納啊

2. 單極型集成電路和雙極型集成電路的區別

在集成電路分類中有一種說法就是有雙極型和單極型之分。所謂雙極型和單極型主要指的是組成集成電路的晶體管的極性而言的。雙極型集成電路是由NPN或PNP型晶體管組成。由於電路中載流子有電子和空穴兩種極性，因此取名為雙極型集成電路，就是人們平時說的TTL集成電路。
單極型集成電路是由MOS場效應晶體管組成的。

3. 單極型集成電路和雙極型集成電路的區別

單極型集成電路是TTL三極體的集成電路，雙極型集成電路是CMOS場效應管的集成電路。
後者的功耗和噪音更小些。

4. 集成電路有哪些分類

集成電路有多種分類方法，常見的幾種分類如下。

1.按使用功能分類

按使用功能主要分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類別。

（1）模擬集成電路。

主要有集成穩壓器、運算放大器、功率放大器及專用集成電路等。

（2）數字集成電路。

按結構不同可分為單極型和雙極型電路，單極型電路有JFET、NM0S、PM0S、CM0S四種，雙極型電路有DTL、TTL、ECL、HTL等。

數字集成電路中最常用的主要有TTL和CM0S兩大系列。

①TTL集成電路。

雙極型三極體—三極體集成電路，簡稱TTL電路，是一種性能優良的集成門電路，其開關速度快、抗干擾能力強、負載能力強，因此應用也最廣泛。

TTL集成電路為正邏輯系統，即高電平（「1」）是大約3.6V的正電壓，低電平（「0」）是大約0.2～0.35V。TTL集成電路主要有54系列和74系列兩種。其中，54系列為軍用產品，74系列為民用產品。在54／74系列後不加字母表示標准TTL電路（如7410），如加有L、H、S或LS等字母，則分別表示低功耗、高速、肖特基和低功耗肖特基TTL電路（如74H00表示高速TTL電路、74LS00表示低功耗肖特基TTL電路）。54／74系列產品，只要尾數相同（如74LS10和7410），則邏輯功能和引腳排列完全相同。

②CM0S集成電路。

CM0S集成電路以單極型晶體管為基本元件製成，是互補金屬氧化物半導體集成電路的簡稱。由於CM0S電路功耗低、電源電壓范圍寬（3～18V）、抗干擾能力強、輸入阻抗高、扇出能力強、溫度穩定性好、成本低等，故應用范圍極廣，尤其是其製造工藝簡單，為大量生產提供了方便。CM0S集成電路主要有4000系列、54／74HC×××系列、54／74HCT×××系列和54／74HCU×x×四大類。

2.按製作工藝分類

按製作工藝分類主要有膜集成電路和混合集成電路兩大類別。其中，膜集成電路又分為厚膜集成電路（1～10（tm）和薄膜集成電路（小於1 gm）。膜集成電路和混合集成電路一般用於專用集成電路，通常稱為模塊，簡稱集成電路（IC）。

3.按集成度分類

集成度是指一個矽片上含有元器件的數目，按集成度分主要有小規模、中規模、大規模及超大規模集成電路等。集成類型及集成度如表1所示。

表1 集成類型及其集成度

4.按應用領域分類

按應用領域不同，可以分為軍用品、工業品和民用品（商用）3大類。

5.按器件類型分類

按器件類型不同，主要分為雙極型集成電路、單極型（MOS）集成電路或BiMOS型集成電路3大類。其中，MOS集成電路又分為P溝道、N溝道、互補對稱型絕緣柵場效應管集成電路；BiMOS集成電路又分為雙極與PM0S相結合、雙極與NM0S相結合、雙極與CM0S相結合的集成電路。

5. 74系列高速CMOS有幾種電路

CMOS電路 MOS電路又稱場效應集成電路，屬於單極型數字集成電路。單極型數字集成電路中只利用一種極性的載流子（電子或空穴）進行電傳導。它的主要優點是輸入阻抗高、功耗低、抗干擾能力強且適合大規模集成。特別是其主導產品CMOS集成電路有著特殊的優點，如靜態功耗幾乎為零，輸出邏輯電平可為VDD或VSS，上升和下降時間處於同數量級等，因而CMOS集成電路產品已成為集成電路的主流之一。其品種包括4000系列的CMOS電路以及74系列的高速CMOS電路。其中74系列的高速CMOS電路又分為三大類：HC為CMOS工作電平；HCT為TTL工作電平（它可與74LS系列互換使用）；HCU適用於無緩沖級的CMOS電路。74系列高速CMOS電路的邏輯功能和引腳排列與相應的74LS系列的品種相同，工作速度也相當高，功耗大為降低。74系列可以說是我們平時接觸的最多的晶元，74系列中分為很多種，而我們平時用得最多的應該是以下幾種：74LS，74HC，74HCT這三種
輸入電平 輸出電平 74LS TTL電平 TTL電平 74HC COMS電平 COMS電平 74HCT TTL電平 COMS電平另外，隨著推出BiCMOS集成電路，它綜合了雙極和MOS集成電路的優點，普通雙極型門電路的長處正在逐漸消失，一些曾經佔主導地位的TTL系列產品正在逐漸退出市場。CMOS門電路不斷改進工藝，正朝著高速、低耗、大驅動能力、低電源電壓的方向發展。BiCMOS集成電路的輸入門電路採用CMOS工藝，其輸出端採用雙極型推拉式輸出方式，既具有CMOS的優勢，又具有雙極型的長處，已成為集成門電路的新寵。3、 CMOS集成電路的性能及特點 功耗低CMOS集成電路採用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯的場效應管總是處於一個管導通另一個管截止的狀態，電路靜態功耗理論上為零。實際上，由於存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態功耗（在1MHz工作頻率時）也僅為幾mW。 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩壓。國產CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作。 邏輯擺幅大CMOS集成電路的邏輯高電平"1"、邏輯低電平"0"分別接近於電源高電位VDD及電源低電位VSS。當VDD=15V，VSS=0V時，輸出邏輯擺幅近似15V。因此，CMOS集成電路的電壓利用系數在各類集成電路中指標是較高的。 抗干擾能力強CMOS集成電路的電壓雜訊容限的典型值為電源電壓的45%，保證值為電源電壓的30%。隨著電源電壓的增加，雜訊容限電壓的絕對值將成比例增加。對於VDD=15V的供電電壓（當VSS=0V時），電路將有7V左右的雜訊容限。 輸入阻抗高CMOS集成電路的輸入端一般都是由保護二極體和串聯電阻構成的保護網路，故比一般場效應管的輸入電阻稍小，但在正常工作電壓范圍內，這些保護二極體均處於反向偏置狀態，直流輸入阻抗取決於這些二極體的泄露電流，通常情況下，等效輸入阻抗高達103~1011?，因此CMOS集成電路幾乎不消耗驅動電路的功率。 溫度穩定性能好由於CMOS集成電路的功耗很低，內部發熱量少，而且，CMOS電路線路結構和電氣參數都具有對稱性，在溫度環境發生變化時，某些參數能起到自動補償作用，因而CMOS集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路，工作溫度為-55 ~ +125℃；塑料封裝的電路工作溫度范圍為-45 ~ +85℃。 扇出能力強扇出能力是用電路輸出端所能帶動的輸入端數來表示的。由於CMOS集成電路的輸入阻抗極高，因此電路的輸出能力受輸入電容的限制，但是，當CMOS集成電路用來驅動同類型，如不考慮速度，一般可以驅動50個以上的輸入端。 抗輻射能力強CMOS集成電路中的基本器件是MOS晶體管，屬於多數載流子導電器件。各種射線、輻射對其導電性能的影響都有限，因而特別適用於製作航天及核實驗設備。 可控性好CMOS集成電路輸出波形的上升和下降時間可以控制，其輸出的上升和下降時間的典型值為電路傳輸延遲時間的125%~140%。 介面方便因為CMOS集成電路的輸入阻抗高和輸出擺幅大，所以易於被其他電路所驅動，也容易驅動其他類型的電路或器件。++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++TTL—Transistor-Transistor Logic 三極體－三極體邏輯MOS—Metal-Oxide Semiconctor 金屬氧化物半導體晶體管CMOS—Complementary Metal-Oxide Semiconctor互補型金屬氧化物半導體晶體管+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++Q：為什麼BJT比CMOS速度要快?A：很多人只知道BJT比CMOS快，但不知道為什麼。
主要是受遷移率的影響。以NPN管和NMOS為例，BJT中的遷移率是體遷移率，大約為1350cm2/vs。NMOS中是半導體表面遷移率，大約在400-600cm2/vs。所以BJT的跨導要高於MOS的，速度快於MOS。這也是NPN（NMOS）比PNP（PMOS）快的原因。 NPN比PNP快也是因為載流子遷移率不同，NPN中的基區少子是電子，遷移率大（1350左右）；PNP的基區少子是空穴（480左右）。所以同樣的結構和尺寸的管子，NPN比PNP快。所以在雙極工藝中，是以作NPN管為主，PNP都是在兼容的基礎上做出來的。MOS工藝都是以N阱PSUB工藝為主，這種工藝可做寄生的PNP管，要做NPN管就要是P阱NSUB工藝。 BJT是之所以叫bipolar，是因為基區中既存在空穴又存在電子，是兩種載流子參與導電的；而MOS器件的反形層中只有一種載流子參與導電。
但並不是因為兩種載流子導電總的遷移率就大了。而且情況可能恰恰相反。因為載流子的遷移率是與溫度和摻雜濃度有關的。半導體的摻雜濃度越高，遷移率越小。而在BJT中，少子的遷移率起主要作用。
NPN管比PNP管快的原因是NPN的基子少子是電子，PNP的是空穴，電子的遷移率比空穴大。NMOS比PMOS快也是這個原因。
而NPN比NMOS快的原因是NPN是體器件，其載流子的遷移率是半導體內的遷移率；NMOS是表面器件，其載流子的遷移率是表面遷移率（因為反形層是在柵氧下的表面形成的）。而半導體的體遷移率大於表面遷移率。

6. 單極型集成電路和雙極型集成電路有什麼區別

單極型集成電路就是場效應管集成電路，和雙極型（三極體）集成電路相比：
功耗小、噪音小、響應速度相對慢。