電路圖G1

❶ 那個師傅給說下圖中G１是什麼元件，有什麼作用啊，還有上面一點的X１１有什麼用謝謝

晶振。給左邊的單片機提供外部時鍾的。

❷ 跪求高人指教 可控硅模塊 MTC55-16 電路圖上 K1 K2 A1 A1 G1G2 分別接在什麼東西 上的 起到什麼作用

單相可控硅，你熟悉不？
模塊裡面是兩個單相可控硅！
K1 、 A1 、 G1是一個可控硅的三個極； K2 、 A2、G2 是另一個可控硅的三個極。不過這兩個可控硅有一個連接點。一般是其中一個可控硅的A極與另一個可控硅的K相連接。
G是控制極，接脈沖觸發迴路。 A、K是陽極、陰極，接主迴路，不過觸發迴路也需要K極。

❸ 電路圖中G代表什麼

電路圖中G代表靈敏電流計。

靈敏電流計是供學生實驗或實驗室檢查直流電路中微弱的電流專或微小屬電壓用的，它是一種高靈敏度的磁電式儀表，可以測量10^-7～10^-12A的微小電流。如用作電橋測量、溫差電偶、電磁感應及光電效應等。

(3)電路圖G1擴展閱讀：

當線圈中通有電流IS時，由於氣隙磁場的作用而產生的電磁力矩推動線圈偏轉。線圈在偏轉過程中，支承它的張絲發生扭曲變形，同時產生與電磁力矩方向相反的彈性回復力矩，該力矩與線圈偏轉角成正比。

當這兩個力矩大小相等時，線圈不再偏轉而處於平衡位置a0，此時有：NSBIg=Dab，式中N為線圈的匝數，S為線圈的面積，B為線圈所在氣隙處的磁感應強度，D為張絲的扭轉系數，這幾個量均為靈敏電流計的固有參數。

其中，a0=NSBIs/D=Si*Is。其中，NSB*Si/D定義為電流計的電流靈敏度，其倒數1/Si稱為電流計常量。

❹ 這是一個電容焊接充放電電路，圖中紅色部分，G1，G2，G3都沒接線為何電容兩端有高壓，求解呀。

由Q1、Q2組成的振盪觸發電路通過T2耦合到G1、G2、G3的。

❺ 電路圖中G是表示什麼

G為靈敏電流計是供學生實驗或實驗室檢查直流電路中微弱的電流或
微小電壓用的,它是一種高靈敏度的磁電式儀表,可以測量10^-7～10^-12A的微小電流.如用作電橋測量、溫差電偶、電磁感應及光電效應等.實驗中的檢流計.如圖是電表外形結構.表頭的結構同直流安培表、直流伏特表相
同.靈敏電流計的量程電流[1]（滿刻度電流值）為30微安.儀表使用前
應先檢查指針是否對准零點,如有偏差,應用零點調節器調零.用靈敏電流計檢查電路中微弱的電流時,可直接串聯在待測電路
中,從電流計指針是否偏轉來確定電路中有無電流通過.如果指針向
右偏轉,則表明電路有電流從「＋」接線柱到「－」接線柱；如果指
針向左偏轉,則表明電流方向由「－」接線柱流向「＋」接線柱.用靈敏電流計檢查電路兩點間是否存在電壓,可直接並聯在電路
中待測的兩點,根據指針偏轉確定兩點間是否存在電壓,根據偏轉的
方向可確定兩點間電壓的方向.無論用作檢測電流或微小電壓,此電流計都不能精確地測量電流
強度或兩點間的電壓,而只能作為檢流計或示零儀表用.任何時候都不應使通過電流計的電流強度超過滿刻度電流值,更
不要將電流計誤作安培表,或伏特表接入電路.儀表搬運時應使兩接線柱短路.當靈敏電流計的外接電阻不同時,靈敏電流計內部的線圈其阻尼特性不同,當外接電阻較小時,線圈則緩慢地趨向平衡位置,稱為過阻尼狀態；當外接電阻較大時,線圈做減幅周期振動,稱為欠阻尼狀態；在這兩種狀態之間存在一種臨界狀態,即線圈以最快的速度達到平衡位置,而不發生振動,稱為臨界阻尼狀態,此時外接電阻叫做臨界電阻.在實驗中,通過電流計的電流與游標的偏轉格數是成正比的,比例系數C稱之為電流計常數,且電流計有一定的內阻.

❻ 請問誰有羅技G1滑鼠的主板電路圖啊

可以去客服換一個，他們一般也不會修的，在保期內會直接換個給你。
G1有3種，舊版藍色保期是3年，鍵鼠套的黑灰色和新款的金色保期是1年的。

❼ 施密特電路圖

施密特觸發器不同於前述的各類觸發器，它具有以下特點：
1. 施密特觸發器屬於電平觸發，對於緩慢變化的信號仍然適用，當輸入信號達到某一定電壓值時，輸出電壓會發生突變。
2. 輸入信號增加和減少時，電路有不同的閾值電壓，它具有如圖10.9.1所示的傳輸特性。

10.9.1 CMOS門電路組成的施密特觸發器
由CMOS門組成的施密特觸發器如圖10.9.2所示。電路中兩個CMOS反相器串聯，分壓電阻R1、R2將輸出端的電壓反饋到輸入端對電路產生影響。

（a）邏輯電路 （b）邏輯符號
圖10.9.1 施密特電路的傳輸特性 圖10.9.2 CMOS反相器組成的施密特觸發器
假定電路中CMOS反相器的閾值電壓Vth≈VDD/2，R1< R2,且輸入信號vI為三角波，下面分析電路的工作過程。
由電路不難看出，G1門的輸入電平vⅠ1決定著電路的狀態，根據疊加原理有：

當vⅠ=0V時，G1門截止，G2門導通，輸出端vO=0V。此時vⅠ1≈0V。輸入從0V電壓逐漸增加，只要vⅠ1< Vth，則電路保持vO=0V不變。當vⅠ上升使得vⅠ1=Vth時，使電路產生如下正反饋過程：
這樣，電路狀態很快轉換為vO≈VDD， 此時VⅠ的值即為施密特觸發器在輸入信號正向增加時的閾值電壓，稱為正向閾值電壓，用VT+表示。即由式

得

所以

當vⅠ1>Vth時，電路狀態維持vO=VDD不變。vⅠ繼續上升至最大值後開始下降，當vⅠ1=Vth時，電路產生如下正反饋過程：

這樣電路又迅速轉換為vO≈0V的狀態，此時的輸入電平為vⅠ減小時的閾值電壓，稱為負向閾值電壓，用VT+表示。根據式

此時有

將VDD=2Vth代入可得

只要滿足vⅠ< VT-，施密特電路就穩定在vO≈0V的狀態。由式和式可求得回差電壓為
ΔVT=VT+-VT-
上式表明，回差電壓的大小可以改變R1、R2的比值來調節。電路工作波形及傳輸特性如圖10.9.3 所示。
圖10.9.3 施密特觸發器工作波形及傳輸特性
施密特反向器

10.9.2 用TTL門構成的施密特觸發器
圖10.9.4所示為用兩個TTL門構成的施密特觸發器電路。圖中 G1為與非門，G2為反相器，vⅠ通過電阻R1和R2來控制門的狀態。因為R1R2值不能取很大，因此串接二極體D,防止vO=VOH時,G2的負載電流過大。

圖10.9.4 兩級TTL門構成的施密特觸發器
當輸入vⅠ=0時，門G1截止，vO=VOH；門G2導通，輸出vO=VOL。當vⅠ逐步上升，使二極體D導通，則:

式中，VD為二極體D導通壓降，VOL≈0.3V≈0V.當v1上升到Vth時，由於G1另一輸入端v1』仍低於Vth，電路狀態不變。當vⅠ逐步上升至使v1』≥Vth(Vth為TTL門閾值電平）時，門G1將由截止轉為導通；門G2由導通轉為截止，vO=VOH，觸發器發生一次翻轉。此時vⅠ為上限觸發電平,如果忽略v1』＝Vth時G1的輸入電流，則可得到
故得

只要輸入vⅠ>VT+，觸發器就處於輸出 vO=VOH的穩定狀態。
當輸入vⅠ逐步下降時，只要vⅠ≤Vth，門G1將由導通轉為截止，vO=VOH；門G2由截止轉為導通，vO=VOL，觸發器再次發生翻轉，此時vⅠ為下限觸發電平VT-=Vth，因此，電路的回差電壓

調整電阻R1和R2得分壓值，可以改變回差大小。其工作波形如圖10.9.3所示。

10.9.3 集成施密特觸發器
在集成門電路中，帶有施密特觸發器輸入的反相器和與非門,如施密特CMOS六反相器CC40106,施密特TTL四輸入雙與非門CT5413/CT7413等。集成施密特觸發器性能穩定，應用廣泛，下面以CMOS集成施密特觸發器CC40106為例介紹其工作原理。
圖10.9.5 CMOS集成施密特觸發器電路 (a) 電路圖 (b) 邏輯符號 (c) 傳輸特性曲線
由圖10.9.5(a)可見，它由施密特電路、整形及和緩沖輸出級組成。
1.施密特電路
施密特電路由P溝道MOS管TP1～TP3、N溝道MOS管TN4～TN6組成，設P溝道MOS管的開啟電壓VGS為VTP，N溝道MOS管開啟電壓VGS為VTN，輸入信號vⅠ為三角波。
當vⅠ=0時，TP1、TP2導通，TN4、TN5截止，電路中vO』為高電平（vO』≈VDD），TP9截止，TN10導通，v」為低電平，使TP11導通，TN12截止，vO=VOH。v0"使TP7導通，TN8截止，維持vO』≈VDD,vO』的高電平同時使Tp3截止，TN6導通且工作於源極輸出狀態。即TN5的源極TN4的漏極電位vS5≈VDD-VTN6，該電位較高。
vⅠ電位逐漸升高，當vⅠ>VTN4時，TN4先導通，由於TN5其源極電壓vS5較大，即使vⅠ>VDD/2，TN5仍不能導通，直至vⅠ繼續升高直至TP1、TP2趨於截止時，隨著其內阻增大，vO』和vS5才開始相應減少。
當vⅠ-VS5≥VTN5時，TN5導通，並引起如下正反饋過程：
於是TP1、TP2迅速截止，vO』為低電平，電路輸出狀態轉換為vO=0。
vO』的低電平使TN6截止，TP3導通且工作於源極輸出器狀態，TP2的源極電壓vS2≈0-VTP。
同理可分析，當vⅠ逐漸下降時，電路工作過程與vⅠ上升過程類似，只有當│vⅠ-vS2│>│VTP│時，電路又轉換為vO』為高電平，vO=VOH的狀態。
在VDD>>VTN +│VTP│的條件下，電路的正向閾值電壓VT+遠大於VDD/2，且隨著VDD增加而增加。在vⅠ下降過程中的負向閾值電壓VT-也要比VDD/2低得多。
由上述分析可知，電路在vⅠ上升和下降過程分別有不同的兩個閾值電壓，具有施密特電壓傳輸特性。其傳輸特性如圖10.9.3所示。
2.整形級
整形級由TP7、TP8、TP9、T10組成，電路為兩個首尾相連的反相器。在vO』上升和下降過程中，利用兩級反相器的正反饋作用可使輸出波形有陡直的上升沿和下降沿。
3.輸出級
輸出級為TP11和TN12組成的反相器，它不僅能起到與負載隔離的作用，而且提高了電路帶負載能力。
圖10.9.6所示為4輸入與非門（TTL）電路，圖中D1～D4構成四輸入二極體與門，T1、T2構成射級耦合雙穩態觸發器（施密特觸發器），T3、D5是射級跟隨器，完成電平轉移，T4、T5、T6構成推拉式輸出電路。
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