A. 為什麼一般,1G以上的頻率電路,走線都是走差分線,而不是單端線
那不是廢話么。那麼高頻率還不走差分線。差分線特點,有效抑制共模干擾。頻率越高,越容易受到干擾,越應該採取措施抑制或降低干擾。
B. 有一隻電流表,它的電阻Rg=500Ω,滿偏電流1g=1mA,要把他改裝成能測5A電流電流表怎麼辦
改成復0.6A時,通過靈敏電流表制1mA的電流,通過並聯電阻0.6-0.001=0.059A
根據並聯分流,Rx=1000/59=16.95Ω
RA=1000||16.95=16.32Ω
改成3A時,通過靈敏電流表1mA的電流,通過並聯電阻3-0.001=2.999A
根據並聯分流,Rx=1000/2999=0.333Ω
RA=1000||0.333=0.333Ω
電路圖就是電流表兩端並聯上面兩個電阻,每個前面加一個開關
C. 銅鋅原電池,硫酸銅為電解質反應後溶液質量增加1g通過電路的電子數目
鋅置換出銅,反應後因為鋅的摩爾質量比銅的大1,所以溶液質量增加,並且每反應掉1mol鋅,溶液質量增加1g,通過電子數2L,L是阿伏伽德羅常數
D. 電路中加一個模擬開關74lvc1g66再接地有什麼好處
這個符號代表帶電顯示裝置(或燈)。
一般安裝在高壓成套開關櫃面板上。
E. 肖特基勢壘二極體LRB551V-30T1G 用在什麼電路上
肖特基二極體是問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極回短(可以小到幾納答秒),正向導通壓降僅0.4V左右。
它不是消什麼,因為開關電源的逆變頻率都很高普通二極體無法滿足這樣高頻的整流需要,所以必須採用這用快速恢復的肖特基二極體。
F. 10M的MSTP電路,兩端互ping的同時傳一個2G和一個1G的文件 會不會出現丟包
不會。
不管文件是2G,還是1G,傳送的速度不會變的,10M大約是1M位元組的傳送速度,而ping包只有64位元組,絕對不會丟包的。
G. 在單片機控制數碼管的電路中,用74ls244 驅動數碼管,74ls244,1G和2G引腳 接什麼
74ls244: 8 輸入3態緩沖電路。
把8個輸入分成2組,4個一組。
H=高電平
L=低電平
Z=高阻
G=0 的時候,輸回入答->輸出
G=1的時候,輸出為高阻態
即使在不考慮雙向傳輸的時候,通常也是使用245來做緩沖,因為布線方便;
H. 配電箱電路圖中SNM1G/3P50A是什麼樣的開關
三級開關 電流為50A
I. 電腦內存是什麼
在計算機的組成結構中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件,對於計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存),輔助存儲器又稱外存儲器(簡稱外存)。外存通常是磁性介質或光碟,像硬碟,軟盤,磁帶,CD等,能長期保存信息,並且不依賴於電來保存信息,但是由機械部件帶動,速度與CPU相比就顯得慢的多。內存指的就是主板上的存儲部件,是CPU直接與之溝通,並用其存儲數據的部件,存放當前正在使用的(即執行中)的數據和程序,它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路,內存只用於暫時存放程序和數據,一旦關閉電源或發生斷電,其中的程序和數據就會丟失。
既然內存是用來存放當前正在使用的(即執行中)的數據和程序,那麼它是怎麼工作的呢?我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存(即DRAM),動態內存中所謂的「動態」,指的是當我們將數據寫入DRAM後,經過一段時間,數據會丟失,因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。具體的工作過程是這樣的:一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。但時間一長,代表1的電容會放電,代表0的電容會吸收電荷,這就是數據丟失的原因;刷新操作定期對電容進行檢查,若電量大於滿電量的1/2,則認為其代表1,並把電容充滿電;若電量小於1/2,則認為其代表0,並把電容放電,藉此來保持數據的連續性。
從一有計算機開始,就有內存。內存發展到今天也經歷了很多次的技術改進,從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等,內存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天,伺服器主要使用的是什麼樣的內存呢?目前,IA架構的伺服器普遍使用的是REGISTEREDECCSDRA
J. 跪求電路大佬,這個電路題我寫的對封閉面的方程比答案第一個封閉面多了un1G1+Is。
s面和主部份相關的支路共7條,所以方程內應該有7項!書上第一方程只有5項,可能印刷錯漏吧;但留意這兩條支路電流又出現在整理後的方程。