硅晶圓電路

『壹』 晶圓是什麼東西

晶圓是生產集成電路所用的載體。

晶圓（英語：Wafer)是指硅半導體集成電路製作所用的硅晶元，是生產集成電路（integrated circuit，IC）所用的載體。而我們現實中比較常見到的硅晶片就要數電腦CPU和手機晶元。

在半導體行業，尤其是集成電路領域，晶圓的身影隨處可見。晶圓就是一塊薄薄的、圓形的高純硅晶片，而在這種高純硅晶片上可以加工製作出各種電路元件構，使之成為有特定電性功能的IC產品。

晶圓製造工藝：

表面清洗：晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護層，在製作前必須進行化學刻蝕和表面清洗。

初次氧化：由熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小後續中Si3N4對晶圓的應力氧化技術。

熱CVD：此方法生產性高，梯狀敷層性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產生反應，及氣體可到達表面而附著薄膜）等，故用途極廣。

以上內容參考：網路-晶圓

『貳』 碳化硅晶圓和硅晶圓的區別

晶圓是指製作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。

目前碳化硅晶圓主要是4英寸與6英寸,而用於功率器件的硅晶圓以8英寸為主,這意味著碳化硅單晶片所產晶元數量較少、碳化硅晶元製造成本較高。

基本介紹：

在現已開發的寬禁帶半導體中，碳化硅（SiC）半導體材料是研究最為成熟的一種。SiC半導體材料由於具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子遷移率以及更小的體積等特點，在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應用潛力。

碳化硅的應用范圍十分廣泛：由於具有寬禁帶的特點，它可以用來製作藍色發光二極體或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器；由於可以耐受的電壓或電場八倍於硅或砷化鎵，特別適用於製造高壓大功率器件如高壓二極體、功率三極體以及大功率微波器件。

由於具有高飽和電子遷移速度，可製成各種高頻器件(射頻及微波)；碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優於任何其它半導體材料，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。

『叄』 硅晶圓直徑、集成電路工藝尺寸的區別是什麼

這是兩種描述晶圓規格及工藝水平的數據，幾寸指的晶圓大小（直徑），幾納米指的晶體管之間的距離，晶圓直徑越大，且晶體管之間的距離越小，那麼單片晶圓上集成的晶粒（晶元）數也越多，也就是集成度越高，所以尺寸越做越大，間距（納米）越做越小，技術也越來越復雜。

硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%）。

(3)硅晶圓電路擴展閱讀：

注意事項：

1、由於晶圓生產工藝中，其表面會形成薄膜，這需要光刻技術將它去掉。在晶圓製造過程中，晶體、電容、電阻等在晶圓表面或表層內構成，這些部件是每次在一個掩膜層上生成的，並且結合生成薄膜及去除特定部分，通過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留特徵圖形的部分。

2、光刻確定了器件的關鍵尺寸，光刻過程中的錯誤可造成圖形歪曲或套准不好，最終可轉化為對器件的電特性產生影響。

3、高純度的多晶硅放在石英坩堝中，並用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約一千多攝氏度，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產生不需要的化學反應。

參考資料來源：網路-晶圓

參考資料來源：網路-晶圓工藝

參考資料來源：網路-納米

參考資料來源：網路-晶體管

參考資料來源：網路-硅

『肆』 想知道晶圓是什麼東西

晶圓是電路製作所用的硅晶片。由於其形狀為圓形，故稱為晶圓，在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品，半導體集成電路最主要的原料是硅，因此對應的就是硅晶圓。

晶圓的工藝

初次氧化，由熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小後續中Si3N4對晶圓的應力氧化技術，熱CVD，此方法生產性高，梯狀敷層性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產生反應，及氣體可到達表面而附著薄膜）等，故用途極廣。

硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在於岩石、砂礫中，硅晶圓的製造可以歸納為三個基本步驟，硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型，製造工藝，表面清洗，晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護層，在製作前必須進行化學刻蝕和表面清洗。

『伍』 晶圓和晶元的關系是什麼

晶元是晶圓切割完成的半成品。

『陸』 硅晶圓的簡單定義

硅晶圓就是指硅半導體電路製作所用的硅晶片，晶圓是製造IC的基本原料。

『柒』 晶圓是什麼

晶圓是指製作硅半導體電路所用的硅晶片。

晶圓原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解後摻入硅晶體晶種，然後慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片後，形成硅晶圓片，也就是晶圓。如今國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主。

晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半導體特徵尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。

晶圓的拋光：

為防止晶圓在旋轉過程中被甩出，拋光頭必須具有保持環結構。在 CMP 技術的發展歷程中出現過兩種保持環：固定保持環和浮動保持環。

由於固定保持環無法避免邊緣效應，目前的主流 CMP 裝備均採用了浮動保持環，通過對浮動保持環施加不同的壓力可以調節晶圓與拋光墊的接觸狀態，從而有效改善邊緣效應。

由於保持環與拋光墊緊密貼合，必須在保持環底部設計一系列溝槽以引導拋光液順利進入晶圓/拋光墊界面。此外，為提高壽命，保持環需選擇高強度、耐腐蝕、耐磨損的聚苯硫醚或聚醚酮 等材料。

『捌』 處理器晶元內部的電路是怎麼在硅晶片上實現的比如電阻、電容、三極體

處理器內部的電路簡單來說是通過掩模光刻、擴散、摻雜、離子注入等等一系列繁復的半導體製程工藝加工製造在硅晶圓片上的，集成電路中一般不包含電容，其中的半導體器件也不是逐個製造而是整體分層加工製成的。

『玖』 矽片上所謂的層數是什麼意思

矽片上所謂的層數的意思是：

晶元布圖上的每一層圖案用不同顏色標示。對應每一層的圖案，製造過程會在硅晶圓上製做出一層由半導體材料或介質構成的圖形。把這些圖形層稱之為材料介質層。例如P型襯底層、N型擴散區層、氧化膜絕緣層、多晶硅層、金屬連線層等。

晶元布圖有多少層，製造完成後的硅晶圓上基本就有多少材料介質層。根據工藝安排，材料介質層的層數也許還會有增加。

晶元製造就是按照晶元布圖，在硅晶圓上逐層製做材料介質層的過程。材料介質層在硅晶圓上疊加在一起，就形成了整個晶元上，乃至整個硅晶圓上所有的電路元器件。它們主要包括晶體管(三極體)、存儲單元、二極體、電阻、連線、引腳等。

這些電路元器件從材料介質層的角度上看是有結構的、立體的。但是，電路元器件是平面分布在矽片上，乃至整個硅晶圓上，它們是二維(2D)分布的，是一個平面層。本文把硅晶圓上的電路元器件層稱之為電路層。這樣的晶元裸片封裝起來就是早期傳統的平面晶元(2D晶元)。

『拾』 硅晶圓的介紹

硅晶圓： 晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅製成長硅晶棒，成為製造積體電路的石英半導體的材料，經過照相製版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然後切割成一片一片薄薄的晶圓。