集成電路會議

A. 之前投稿了集成電路與微系統的會議，但是投稿系統遺漏作者

返修時可以修改的，以手稿為准。 網路了解下對您有幫助。

B. 集成電路發展史

個人閑來無事是寫的，現粘貼如下：
首先有集成電路這一想法的是英國科學家Dummer，那是在1952年，在皇家信號和雷達機構的一個電子元器件會議上他說：「隨著晶體管的出現和對半導體的全面研究，現在似乎可以想像，未來電子設備是一種沒有連接線的固體組件。」當然，那時還沒有「集成電路」這一名詞。然而，集成電路的真正發明卻是在美國，是在6年之後的1958年（也有人認為是1959年，具體原因接下來解釋）。
1958年9月12日，TI的Kilby發明了世界首塊集成電路，這是一個相移振盪器，集成了2個晶體管、2個電容和8個電阻——共12個元器件，該發明與1959年2月6日申請專利，1964年6月26日被批准。而到了1959年，Fairchild的Noyce發明了基於硅平面工藝的集成電路，1959年7月30日，Noyce為自己的發明申請了專利，1961年4月26日被批准。雖然Noyce比Kilby發明集成電路和申請專利在後，但批准在前，而且Noyce發明的集成電路更適合於大批量生產，所以會有一些人在關於誰先發明了集成電路的問題上產生了分歧。其實Kilby和Noyce被認為是集成電路共同的發明人，問題在於1958和1959不能被認為是共同的發明時間，而必須是其中的一個，我習慣於把它說成是1958年。
而到了1968年，Noyce和Moore以及Fairchild的其他一些雇員成立了Intel，1971年便生產出了世界首枚CPU——集成了2300個晶體管的4004，緊接著，次年8008，再次年8080……盡管CPU誕生於1971年，然而它被推向市場，換句話說就是普通平民可以買到是1981年的事。那是1981年的8月12日，IBM推出型號為IBM5150的計算機，這是最早的PC，CPU採用Intel的8088（1979年發明），系統採用Microsoft的DOS，內存16K，再配一個5.25英寸的軟碟機，售價1565美元。但你知道，當時的1565美元跟現在的1565美元不一樣，那時錢實啊，按照今天的物價指數，大約相當於現在的4000美元,在2011年8月13日這樣的日子，匯率是6.3902，那就是25560.8元人民幣。
早期的IC未形成獨立的產業，電子系統廠商把自己生產的IC用於自己的產品，只把一小部分銷往市場，而同時也會從市場購進一些。Intel和AMD開創了IC業的新紀元，他們只向市場供應通用的IC，而不使用IC去生產產品，當然也不會從市場購進IC。這種自行設計、用自己的生產線製造、自己封裝和測試、最後出售IC成品的廠商被稱為IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件製造商）。盡管如此，IDM還是有嚴格定義的：IC的對外銷售額超過IC總產值25%的企業就可以稱作是IDM了（如Motorola、TI、Sony），而沒有超過的叫做系統廠商(如IBM、HP）。根據這一定義，IDM並不意味著不生產系統產品，系統廠商也並不意味著不生產IC。區別僅在於它們生產的IC（或者乾脆沒生產）有多少用於自己的系統產品，有多少用於直接出售。
再後來，出現了一些這樣的公司，它們只設計IC，並不生產，我們稱之為Fabless，叫做無生產線設計公司。它們設計完成後，製造這一環節仍交給IDM完成，IDM的生產線除了生產自己設計的IC以外，還幫Fabless進行生產。1987年，TSMC（台台灣積體電路製造股份有限公司，台積電）成立，2000年，SMIC（中芯國際集成電路製造有限公司，中芯國際）成立，這些公司開創了一種新的模式，它沒有自己的產品，不設計也不使用，只是單純地提供製造服務，我們稱之為Foundry。這類公司的出現，不僅Fabless的設計成果有了天經地義的歸宿，而且就連IDM也把自己製造環節的一部分讓給Foundry來做，就Foundry而言，有時它接到來自IDM的生產任務比Fabless的還要多。再後來呢？連封裝測試也自成一家，形成獨立的產業。
縱觀今天的IC業，設計業、製造業、封測業三足鼎立，當然也不乏IDM這樣的一條龍式的企業，但是系統廠商在IC市場上的份額越來越低，（注意！我說的是在IC市場上），瀕臨滅絕！（注意！我說的是市場份額瀕臨滅絕。公司並沒有滅絕，而是他們意識到這種自己生產晶元僅供自己使用的模式不劃算，轉型了。）

C. 請問有沒有參加過集成電路與微系統這個會議的小夥伴呢想知道往屆檢索怎麼樣謝謝

我參加的2020年的，召開的幾屆都是EI檢索的，檢索速度也比較快，你可以去官網看看。還有不明白的話你也可以網路下。

D. ISCC會議好中嗎

不好中。
ISSCC，全稱International Solid State Circuits Conference，國際固態電路會議，是集成電路設計領域的最高級別學術會議，有「集成電路領域的奧林匹克」之稱。
ISSCC的歷史有多長？首屆ISSCC在1954年召開在美國賓夕法尼亞州的費城。為紀念起源，即使在如今的ISSCC的logo上仍然印有University of Pennsylvania。第一屆ISSCC僅有六家學術機構投稿——貝爾實驗室、通用電氣、美國無線電公司（RCA）、費城電池公司（Philco）、麻省理工以及賓夕法尼亞大學。當時，注冊費僅為4美元。

E. isvlsi會議什麼水平

是一流水平。isvlsi會議全稱是IEEE-Computer-Society-Annual-Symposium-on-VLSI，這是一種年度研討會，也是VLSI領域的權威國際會議之一，涉及的范圍很大，也包括集成電路相關主題和新興的應用領域。

F. 在你所在的行業里，國內最頂尖高手在國際上是什麼水平

以高層會議ISSCC作為參考，並討論」的國內頂尖選手在世界」的標準是什麼

什麼是ISSCC？

ISSCC是公認的最高級別會議在集成電路設計領域被世界學術界和企業界。它被大陸媒體譽為「世界奧林匹克大會」在集成電路設計領域。台灣媒體在IC領域被稱為「奧斯卡」。但由於世界領先的工業界和學術界，並在每一個階段的國際固態電路首先發表了最前沿的技術，在最高水平的代表（「學習先進國家的先進的企業如英特爾、高通是做什麼的，最好的地方之一是年。isscc40-50 %論文產業。」清華大學的王志華教授）。

另外需要指出的是在許多人的心目中是等同於CPU晶元，即使知道很多討論或提及或集成電路晶元標簽的問題是中央處理器，CPU是什麼，在2014年的情況下，處理器是在一個27人會議。所有其他類型的晶元也很重要，如高速高精度ADC已在禁運項目的瓦瑟納爾協議，但它是一個雷達和其他先進的軍事裝備的關鍵設備。

總之，IC晶元的進口在中國已成為最大的進口商品在中國多年，和關鍵核心技術嚴重依賴國外廠商。

G. 我想問一下集成電路目前的現狀，希望有專業人士不吝賜教，大致介紹一下目前比較前沿的發展情況。

我這里有一份。要的話可以給你發一份。

2011 年 1月 2日
中國集成電路產業發展現狀 中國集成電路產業發展現狀 集成電路產業發展
關鍵詞：中國集成電路現狀
集成電路產業是知識密集、技術密集和資金密集型產業，世界集成電路產業發 展迅速，技術日新月異。2003年前中國集成電路產業無論從質還是從量來說都不 算發達， 但伴隨著全球產業東移的大潮， 中國的經濟穩定增長， 巨大的內需市場， 以及充裕的人才，中國集成電路產業已然崛起成為新的世界集成電路製造中心。 二十一世紀， 我國必須加強發展自己的電子信息產業。 它是推動我國經濟發展， 促進科技進步的支柱，是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產業基 礎的集成電路產業必須優先發展。只有擁有堅實的集成電路產業，才能有力地 支持我國經濟、軍事、科技及社會發展第三步發展戰略目標的實現。
一、我國集成電路產業發展迅速 1998 年我國集成電路產量為 22.2 億塊，銷售規模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國集成電路產量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠遠高於同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產業重大變化 2008年是中國集成電路產業發展過程中出現重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退，同時也使中國出口產品數量明顯減少，佔中國出口總 額1/3左右的電子信息產品增速回落，其核心部件的集成電路產品的需求量相應 減少。 人民幣升值也是影響產業發展的一個不可忽視的因素， 因為在目前國內集成電 路產品銷售額中直接出口佔到70%左右， 人民幣升值對於以美元為結算貨幣的出 口貿易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國內集成電路產業整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點，在即將到來的2011年裡，人民幣加速升值值得關 注。 三、中國集成電路產品產銷概況 中國集成電路產品產銷概況 中國集 2008年中國集成電路產業在產業發展周期性低谷呈現出增速逐季遞減狀態， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現了未曾有過的負增長局 面；全年集成電路產量為417.14億塊，較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產品產量和銷售額的情況如圖1和圖2所示：
圖1 2003—2008年中國集成電路產品產量增長情況
圖2 2003—2008年中國集成電路產品銷售額增長情況 由上圖可知，最近幾年我國集成電路產品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因為在國務院18號文件頒布後的五年中，中國集成電路產業的產品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升， 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍，是一種階段性的超高速發展的狀態；一般情況下，我國集成電路產業年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發展，因此，在2007年以後， 我國集成電路產業的年增長速度逐步減緩應屬正常勢態， 在世界集成電路產業周 期性低谷階段，20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展，形成金融危機後又向經濟實體部門擴散，從2008
年開始對中國集成電路產業產生影響，到第三季度國際金融危機明顯爆發後，中 國集成電路產業銷售額就出現了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態。圖3 是這個變化過程。
圖3 2006Q1－2008Q4中國集成電路產品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產業的發展得益於產業環境的改善， 抵禦金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月，財政部和國家稅務總局發布了《關於企業所得稅若干優 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號)，對集成電路企業所享受的所得稅優惠十分 重視。日前通過的《電子信息產業調整和振興規劃》 ，又把「建立自主可控的集成 電路產業體系」作為未來國內信息產業發展的三大重點任務之一，在五大發展舉 措中明確提出「加大投入，集中力量實施集成電路升級」。2005年由國務院發布的 《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006━2020年)》(國發[2005]44號),確定 並安排了16個國家重大專項，其中把「核心電子器件、高端通用晶元及基礎軟體 產品」與「超大規模集成電路製造裝備及成套工藝」列在多個重大專項的前兩位； 2008年4月國務院常務會議已審議並原則通過了這兩個重大專項的實施方案，為 專項涉及的相關領域提供了良好的發展契機。 中國各級政府對集成電路產業發展 的積極支持和相關政策的不斷落實， 對我國集成電路產業的發展產生了積極的影 響。 四、中國集成電路產品需求市場 近些年來，隨著中國電子信息產品製造業的迅速發展，在中國市場上對集成 電路產品的需求呈現出飛速發展的勢態，並成為全球半導體行業的關注點，即使 中國集成電路產品的需 在國內外半導體產業陷入低迷並出現了負增長的2008年，
求市場仍保持著增長的勢頭， 這是由中國信息產品製造業的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產品市場需求額變化情況如圖 4所示。
圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產業結構 設計、製造和封裝測試業三業並舉，半導體設備和材料的研發水平和生產能 力不斷增強，產業鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設計業和晶元製造業的加速發展， 設計業和晶元製造業所佔比重逐步上升，國內集成電路產業結構逐漸趨於合理。 2006年設計業的銷售額為186.2億元， 比2005年增長49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長21.2%。晶元製造業2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長26.4%。2001年我國設計業、晶元製造業、封測業的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別佔全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產業結構 不盡合理。 最近5年來， 在產業規模不斷擴大的同時，IC 產業結構逐步趨於合理， 設計業和晶元製造業在產業中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設計業、晶元 製造業、封測業的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別佔全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設備材料的研發和生產能力不斷增強。 在設備方面， 65納米開始導入生產， 中芯國際與 IBM 在45納米技術上開展合作，FBP（平面凸點式封裝）和 MCP（多
晶元封裝）等先進封裝技術開發成功並投入生產，自主開發的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸矽片已進入生產線使用。在材料方面，已 研發出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內生產能力和供應能力不斷 增強。
但是2008年，國內集成電路設計、晶元製造與封裝測試三業均不同程度的受 到市場低迷的影響，其中晶元製造業最明顯，全年晶元製造業規模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要晶元製造企業均出現了產能閑置、業績下滑的情 況；封裝測試業普遍訂單下降、開工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設計 業也受到國內市場需求增長放緩的影響， 由於重點企業在技術升級與產品創新方 面所做的努力部份地抵禦了市場需求不振所帶來的影響， 全年增速仍保持在正增 長狀態，為4.2%，高於國內集成電路產業的整體增幅。如圖5所示。
圖5 2008年中國集成電路產業基本結構
六、集成電路技術發展 集成電路技術發展 我國技術創新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產線，發展到目前的 12 英寸生產線，IC 製造工藝向深亞微米挺進， 封裝測試水平從低端邁向中 研發了不少工藝模塊， 先進加工工藝已達到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發和生產
方面取得了顯著成績。IC 設計水平大大提升，設計能力小於等於 0.5 微米企業比 例已超過 60%，其中設計能力在 0.18 微米以下企業占相當比例，部分企業設計 水平已經達到 100nm 的先進水平。設計能力在百萬門規模以上的國內 IC 設計企 業比例已上升到 20%以上，最大設計規模已經超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產，不僅滿足國內市場需求，有的還進入國際市場。 總之，集成電路產業是信息產業和現代製造業的核心戰略產業，其已成為一些 國家信息產業的重中之重。 2011年我國集成電路產業的發展將勉勵更好的發展環 境，國家政府的支持力度將進一步增加，新的扶植政策也會盡快出台，支持研發 的資金將會增多，國內市場空間更為廣闊，我國集成電路產業仍將保持較快的發 展速度，佔全球市場份額比重必會進一步增大！！ ！
附錄： 附錄： 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 1947 年，美國貝爾實驗室發明了晶體管。 1956 年，中國提出「向科學進軍」，把半導體技術列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用 物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接 觸二極體和三極體（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎。 1962 年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並 在國內首先鑒定了 DTL 型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產品。 這些小規模雙極型數字集成電 路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。 1968 年，組建國營東光電工廠（878 廠） 、上海無線電十九廠，至 1970 年建 成投產，形成中國 IC 產業中的「兩霸」。 1968 年，上海無線電十四廠首家製成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導體）電 路（MOSIC） 。拉開了我國發展 MOS 電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研 究所（現電子第 24 所） 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研製成功 NMOS 電路。之
後，又研製成 CMOS 電路。 七十年代初，全國掀起了建設 IC 生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研製成功。 1973 年，我國 7 個單位分別從國外引進單台設備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最後只有北京 878 廠，航天部陝西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月，中國科學院計算所研製成功 1000 萬次大型電子計算機，所 使用的電路為中國科學院 109 廠（現中科院微電子中心）研製的 ECL 型（發射極 耦合邏輯）電路。 1982 年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742 廠）IC 生產線建成驗收投產， 這是中國第一次從國外引進集成電路技術。 1982 年 10 月，國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路的領導，成立 了以萬里副總理為組長的「電子計算機和大規模集成電路領導小組」， 制定了中 國 IC 發展規劃，提出「六五」期間要對半導體工業進行技術改造。 1983 年，針對當時多頭引進，重復布點的情況，國務院大規模集成電路領 導小組提出「治散治亂」， 集成電路要「建立南北兩個基地和一個點」的發展戰 略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一 個點指西安，主要為航天配套。 1986 年，電子部廈門集成電路發展戰略研討會，提出「七五」期間我國集 成電路技術「531」發展戰略，即普及推廣 5 微米技術，開發 3 微米技術，進行 1 微米技術科技攻關。 1989 年 2 月，機電部在無錫召開「八五」集成電路發展戰略研討會，提出 了「加快基地建設，形成規模生產，注重發展專用電路，加強科研和支持條件， 振興集成電路產業」的發展戰略。 1989 年 8 月 8 日， 廠和永川半導體研究所無錫分所合並成立了中國華晶 742 電子集團公司。 1990 年 10 月，國家計委和機電部在北京聯合召開了有關領導和專家參加的座談 會，並向黨中央進行了匯報，決定實施九 O 八工程。 1995 年，電子部提出「九五」集成電路發展戰略：以市場為導向，以 CAD 為突破口，產學研用相結合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工 程和技術創新能力的建設，促進集成電路產業進入良性循環。 1995 年 10 月，電子部和國家外專局在北京聯合召開國內外專家座談會，獻 計獻策，加速我國集成電路產業發展。11 月，電子部向國務院做了專題匯報， 確定實施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建，總投資為 12 億美元，注冊資金 7 億美元，華虹 NEC 主要承 擔「九 0 九」工程超大規模集成電路晶元生產線項目建設。 1998 年 1 月 18 日，「九 0 八」 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這 條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產線已經具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產能力。 1998 年 1 月，中國華大集成電路設計中心向國內外用戶推出了熊貓 2000 系 統，這是我國自主開發的一套 EDA 系統，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要， 可處理規模達百萬門級，支持高層次設計。 1998 年 2 月 28 日，我國第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產線建成投產，這個
項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998 年 4 月，集成電路「九 0 八」工程九個產品設計開發中心項目驗收授 牌，這九個設計中心為信息產業部電子第十五研究所、信息產業部電子第五下四 研究所、上海集成電路設計公司、深圳先科設計中心、杭州東方設計中心、廣東 專用電路設計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業自動化研究所和航天工 業 771 研究所。這些設計中心是與華晶六英寸生產線項目配套建設的。 1998 年 3 月，由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發 的我國第一個-CMOS 微型彩色攝像晶元開發成功，我國視覺晶元設計開發工作取 得的一項可喜的成績。 1999 年 2 月 23 日，上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術檔次 從計劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主導產品 64M 同步動態存儲器（S－ DRAM） 這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集 。 成電路晶元生產線。 2000 年 7 月 11 日，國務院頒布了《鼓勵軟體產業和集成電路產業發展的若 干政策》 隨後科技部依次批准了上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個國家級 IC 設計產業化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國家高技術產業化示範工程項 目在北京有色金屬研究總院建成投產；3 月 28 日，國務院第 36 次常務會議通過 了《集成電路布圖設計保護條例》 。 2002 年 9 月 28 日，龍芯 1 號在中科院計算所誕生。同年 11 月，中國電子 科技集團公司第四十六研究所率先研製成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶， 實現 了我國直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研製零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內 IC 設計 第一股。 2006 年中星微電子在美國納斯達克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國納斯達克上市。 2008 年《集成電路產業「十一五」專項規劃》重點建設北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國家集成電路產業園。

H. 集成電路設計方向的頂級會議有哪些

摘要】：正
中國電子學會半導體與集成技術學會委託四機部1424所籌備的全國中、大規回模集成電路設答計及分析學術會議於1981年11月28日至12月3日在昆明市召開.在雲南省科委、電子局領導機關的關心和雲南省半導體器件廠的大力支持下,學術會議開得比較成功.
來自全國近80名代表參加了這次會議.會議共收到論文摘要108篇,在會上報告了44篇.通過這次學術會議,可以看到我國中、大規模集成電路的設計、研製、分析測試及計算機輔助設計技術已有了較大的進展,其中雙極256位、1024位
ROM;MOS 4K靜態、16K動態隨機存貯器的研製成果,反映

【關鍵詞】： 大規模集成 學術會議 電路設計 計算機輔助 半導體器件 集成技術 設計技術 分析測試 動態隨機 研製成果
【正文快照】：
中國電子學會半導體與集成技術學會委託四機部1斗24所籌備的全國中、大規模集成電路設計及分析學術會議於1981年11月28日至12月3日在昆明市召開.在雲南省科委、電子局領導機關的關心和雲南省半導體器件廠的大力支持下,學術會議開得比較成功.
來自全國近80名代表參加了這次會議

I. 半導體材料有哪些

常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素製成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化鉛、硒化鉛等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體，如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等，還處於研究階段。此外，還有非晶態和液態半導體材料，這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。

J. 大規模集成電路的中國超大規模集成電路發展

「超大規模集成電路設計專項的實施和順利進展，為我國在2010年由世界第二大集成電路消費國走向集成電路設計大國奠定堅實的基礎。」這是在最近的一次會議上國家「十五」863超大規模集成電路設計專項負責人說過的一句話。
對集成電路的作用，行內有四句話形容的非常好，說是：電子信息產品和國防電子裝備的核心，是信息產業核心競爭力最重要的體現，是信息技術與產業掌握發展主動權和實現跨越發展的基石，是自主發展信息產業和現代服務業並提高其附加值所必備的技術保證。
「掌握集成電路和軟體的關鍵技術並實現產業化，對我國實現以信息化帶動工業化，確保國家信息安全，具有至關重要的作用。」該負責人說。
「集成電路和軟體重大專項」是我國「十五」計劃期間的十二項重大科技專項之一。科技部在863計劃集成電路方面，共設立了超大規模集成電路設計、100nm集成電路製造裝備和集成電路配套材料三個專項，而在超大規模集成電路設計方面成果尤為顯著。
全面達到預期目標
據該負責人介紹，超大規模集成電路設計專項自實施以來，在三個方面取得了重大進展，分別是在人才建設、微處理器、網路通信等方面。
「我們在7+1個國家集成電路設計產業化基地和9個國家集成電路人才培養基地建設方面取得了顯著成效；而在微處理器CPU和DSP設計方面，『眾志』、『C—Core』、『龍芯』和『漢芯』等都實現了由技術突破向重點推廣的縱深發展。最後一個是在網路通信、信息安全、信息家電等領域的SoC系統晶元開發和應用方面,「COMIP」、「華夏網芯」和「星光多媒體」等晶元取得開發和應用的重點突破。另外，在MPW、IP核聯盟、EDA工具、國際合作四項服務體系的建設也逐步完善。在實施效果中不但體現了立項的指導思想，而且除IP核應用推廣聯盟工作尚需進一步探索外，專項全面達到了立項的戰略目標和預期成果。」該負責人說。
作為知識高度密集產業，人才是發展我國集成電路設計產業的關鍵，專項大規模培養的人才對解決我國集成電路人才匱乏的瓶頸問題起到了重要作用。而一批具有自主知識產權的核心晶元產品和一批具有核心技術競爭力的集成電路設計企業先後出現，為集成電路的最終產業化打下了堅實的基礎。
體現國家意志，集聚一流人才，發揮後發優勢，搶抓國際IT產業結構重組的難得機遇，高起點地推進具有戰略前瞻意義的超大規模集成電路設計技術及產業的自主創新與跨越。這是專項實施時的初衷，而現在，專項組的科研人員們幾近圓滿地完成了這一任務。
為信息產業發展提供有力支撐
「『十五』期間，我國電子信息產業保持高速持續發展，而集成電路設計是具有戰略性的關鍵核心技術。本專項的實施對集成電路技術和產業具有顯著的推動作用，集成電路設計產業產值從1999年的5億元增長到2005年的近150億元，為支撐我國信息技術和產業的發展發揮著越來越大的作用。」該負責人介紹道。
在專項實施過程中，建設了一大批的產業化基地，這些基地的建設有效地調動了中央和地方的資源對集成電路設計業的推動；營造了集成電路設計業在市場、政策、資金和人才等方面健康發展的氛圍；形成了人才、技術和企業的集聚，為我國信息產業的發展提供強有力的支撐。