四硅驅動電路圖

1. 這張四硅機電路圖畫得正確嗎

裡面的C30電容和電感L1會不會畫錯呢？本人也只是愛好而已，就照圖做了一個、就是可控硅不能調了，燈直亮不閃，後來把C30和L1改接卻可以用了

2. 有哪些可控硅模塊有四個引腳，兩個引腳接控制電流，兩個接大電流，且控制極斷電自動關斷

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由於雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網路中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號載入到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常採用過零觸發電路。過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由於採用過零觸發，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路。 1 過零檢測電路電路設計如圖1 所示，為了提高效率，使觸發脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大於4V ，脈沖寬度應大於20us.圖中BT 為變壓器，TPL521 - 2 為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極體截止，三極體T1基極的偏置電阻電位使之導通，產生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51 的外部中斷0 的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然後發出雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B 兩點電壓輸出波形如圖2 所示。 2 過零觸發電路電路如圖3 所示，圖中MOC3061 為光電耦合雙向可控硅驅動器，也屬於光電耦合器的一種，用來驅動雙向可控硅BCR 並且起到隔離的作用，R6 為觸發限流電阻，R7 為BCR 門極電阻，防止誤觸發，提高抗干擾能力。當單片機80C51 的P1. 0 引腳輸出負脈沖信號時T2 導通，MOC3061 導通，觸發BCR 導通，接通交流負載。另外，若雙向可控硅接感性交流負載時，由於電源電壓超前負載電流一個相位角，因此，當負載電流為零時，電源電壓為反向電壓，加上感性負載自感電動勢el 作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠遠超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向導通，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間並聯一個RC阻容吸收電路，實現雙向可控硅過電壓保護，圖3 中的C2 、R8 為RC 阻容吸收電路。 原理簡介： 1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。 2，由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，條件如下： A、從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。 B、維持導通1、陽極電位高於陰極電位，2、陽極電流大於維持電流，兩者缺一不可。 C、從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位，2、陽極電流小於維持電流，任一條件即可。

3. 可控硅驅動電路

光耦的應該會有兩個電源的是吧？！一個高電壓，一個低電壓，可以隔離開來，這樣安全性能比較高；
脈沖變壓器的話，一個電源搞定，方便省事。
各有好處，看用在什麼情況了。。。

4. 場效應管和可控硅驅動電路一樣嗎

他們的驅動電路是有本質上的區別，首先場效應管通常分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其中絕緣柵型場效應管也叫MOS管（有一種場效應管、三極體混合的器件叫IGBT俗稱門控管，該器件的驅動電路與場效應管的驅動電路幾乎一樣），這種驅動屬於電壓驅動，在大多應用在功率輸出、電力變換等場合，要求最好採用PWM（脈寬調制）信號來控制，其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭（也稱圖騰柱輸出），並且要有一定的瞬態驅動能力（因為場效應管的柵極等效一個電容，當驅動信號的瞬態功率不夠時，其原本的波形將被改變，通常等效為一個積分器），要求導通時，其柵極電壓要相對於源極高10-20V左右，典型值15V，而關斷時為了保證場效應管關斷可靠，該電壓此時應該為-15V，在實際應用中為了減小場效應管的功耗過大或防止其損壞一般要加如過流保護和相關吸收電路，並且盡量做到場效應管的工作頻率與負載的諧振頻率相同，典型應用就是電磁爐，流過爐盤（加熱線圈）的電流與流過吸收電容的電流各自雖然都很大，但相位不同，互相抵消，經疊加後的總電流較小，即流過場效應管（實際用IGBT）的電流較小。下圖為場效應管的典型驅動電路：
而可控硅屬電流驅動，因為他等效於兩個三極體構成正反饋放大，當有一個觸發信號後，由於強大的正反饋作用，使之一直導通，當柵極電壓高於陽極電壓或者陽極、陰極電壓差小於一定數值時正反饋才會失效，即可控硅被復位，一般情況下，其柵極電壓不會高於陽極，所以可控硅屬於不可關斷的半控器件，當觸發導通時無法通過柵極關斷，而場效應管屬全控器件可以通過柵極關斷。下圖為可控硅結構及其典型驅動電路：

5. 雙向可控硅驅動電路，如圖，我用的是MOC3041，雙向可控硅是BTA 16-600B，AA1接上面時負載一直工作，

圖中可控硅控制極接法有點奇怪，光敏器件無輸入時R2提供電壓給控制極，可控硅會導通版；而光敏器權件有輸入時，即使飽和導通，由於R3的作用可控硅還是可能導通，起不了開關作用。
可控硅控制極一般接在R3與光耦連接處。此時光耦有輸入時可控硅導通，無輸入時關斷。
R2為控制極提供觸發電壓，一般取100歐左右；R3用於消除光耦漏電流影響，防止誤觸發，一般取1K左右。這兩個電阻不需要承受多大的功率，1/8-1/4瓦都可以。
R4、C1是阻容吸收電路，一般取幾十歐，功率1W。

6. 關於MOC3021驅動雙向可控硅典型應用電路的問題

MC3021之2腳為低電平時雙向可控硅導通，當它為高電平時，交流電的下一個過零點後截止。
RC的值圖上已有標准值。
兩電阻的功率沒有明確經驗值，1/4W貌似也可以正常工作。

7. 三相10瓦發電機用四硅做後級輸出電伏多少伏 電路圖怎樣畫的

三相10瓦發電機用四硅做後級輸出電壓為12V。

電路圖如圖：

發電機（英文名稱：Generators）是將其他形式的能源轉換成電能的機械設備，它由水輪機、汽輪機、柴油機或其他動力機械驅動，將水流，氣流，燃料燃燒或原子核裂變產生的能量轉化為機械能傳給發電機，再由發電機轉換為電能。發電機在工農業生產、國防、科技及日常生活中有廣泛的用途。

8. 電力驅動原理(馬達，電鋸等)，要圖

電機驅動電路既可通過繼電器或功率晶體管驅動，也可利用可控硅或功率型MOS場效應管驅動。為了適應不同的控制要求(如電機的工作電流、電壓，電機的調速，直流電機的正反轉控制等)，下面介紹幾種電機驅動電路，以滿足以上要求：圖1電路利用了達林頓晶體管擴大電機驅動電流，圖示電路將BG1的5A擴流到達林頓復合管的30A，輸入端可用低功率邏輯電平控制。上述電路採用的驅動方式屬傳統的單臂驅動，它只能使電機單向運轉，雙臂橋式推挽驅動可使控制更為靈活。

9. 超大電流雙向可控硅驅動電路

具體可看下雙向可控硅觸發電路，有4象限觸發方式，且只有一個控制腳，該電路直接用交流降壓作為觸發信號

10. MOC3022 驅動可控硅的電路

1）斷開光耦輸出端，如果燈依然亮的，則可控硅擊穿了；
2）短路光耦輸入端，如果燈依然亮的，則可光耦輸出端擊穿了；