電路級別硅

『壹』 為什麼電路板要用硅做我知道硅是半導體，謝謝

電路板本身是由有機材料（比如紙基或者玻璃纖維）以及導電材料（銅，鋁）等製成的，用不到硅。硅主要用於電子元器件上面，因為其獨特的半導體性質，很多電阻以及其它器件都用到硅，而且必不可少。

『貳』 怎樣判斷三極體是硅管還是鍺管

判斷方法：

判斷一般硅管PN結的電壓為0．6～0．7 V.鍺管PN結的電壓為 0．2～0．3V,還有一點比較實用，就是受科技與工藝的限制，製造NPN的硅管比PNP的要容易得多，而鍺管是PNP要比NPN容易，因此，市面上的NPN硅管比PNP多得多，而PNP的鍺管要比NPN的多得多，尤以鍺管為甚。

憑此，當拿到一個與眾不同的管子時(以前的鍺管基本都是金屬外殼園柱型封裝直徑5mm長10mm三個腳的),基本可按PNP鍺管來測。

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三極體組成原則

1，保證放大電路的核心器件三極體工作在放大狀態，即有合適的偏置。也就是說發射結正偏，集電結反偏。

2，輸入迴路的設置應當使輸入信號耦合到三極體的輸入電極，形成變化的基極電流，從而產生三極體的電流控制關系，變成集電極電流的變化。

3，輸出迴路的設置應該保證將三極體放大以後的電流信號轉變成負載需要的電量形式（輸出電壓或輸出電流）。

參考資料來源：網路-三極體

『叄』 什麼是硅(Si)半導體集成電路

就是利用光刻，實現在一小塊硅上面完成幾個幾十個甚至億萬個二極體三極體等等。它主要用在弱點方面，在強電上和大功率大電流上，還是需要獨立大功率的元器件支持，例如大功率電容，大電流的三極體和電阻，等等。

『肆』 可控硅，場效應管，三極體的區別

場效應管VS三極體

1、微件不同：

場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。

2、放大系數：

場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。

3、輸入電阻：

場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。

4、性能不同：

場效應管只有多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。

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一、場效應管的工作原理：

場效應管工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。

在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。

其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

二、三極體的產品作用：

晶體三極體具有電流放大作用，其實質是三極體能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極體最基本的和最重要的特性。

我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極體的電流放大倍數，用符號「β」表示。電流放大倍數對於某一隻三極體來說是一個定值，但隨著三極體工作時基極電流的變化也會有一定的改變。

『伍』 運放電路中怎麼判定用的是硅管還是鍺管

電位判斷三極體，用兩個電位的絕對值相減
0.6~0.7的是硅
0.2~0.3的是鍺，餘下的那個是C

C的電位高，是NPN型，第二高的是B

C的電位低，是PNP型，第二高的是B

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此判斷僅適用於工作在放大狀態。

『陸』 什麼叫電路級矽片

就是能用在電路以上復的制矽片材料。

在米粒大的矽片上，已能集成16萬個晶體管。這是何等精細的工程！這是多學科協同努力的結晶，是科學技術進步的又一個里程碑。
地殼中含量達25.8%的硅元素，為單晶硅的生產提供了取之不盡的源泉。由於硅元素是地殼中儲量最豐富的元素之一，對太陽能電池這樣註定要進入大規模市場（mass market）的產品而言，儲量的優勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一。