微波電路定義

A. 高頻電路和射頻電路和微波電路有什麼區別和聯系

射頻的范圍是3KHz-300GHz.
其中的300MHz-300GHz是微波頻段。也就是說微波占據了射頻范圍的"高頻"部分。
對於微波電路而言，傳統的基爾霍夫(Kirchhoff)電流電壓定律已不再適用。對微波電路的分析需要回到電磁場理論，即4組麥克斯韋爾方程(Maxwell).
微波基礎理論包括：傳輸線理論和波導，微波網路分析，阻抗匹配等。
至於「高頻電路」的概念比較寬泛。不同場合對「高頻」這一概念有不同的理解。幾MHz的高頻電路，傳統的電路分析還是適用的。

B. 微波器件的定義

（microwavedevice）
微波器件按其工作原理和所用材料、工藝不同，又可分為微波電真空器件、微波半導體器件、微波集成電路（固態器件）和微波功率模塊。微波電真空器件包括速調管、行波管、磁控管、返波管、迴旋管、虛陰極振盪器等，利用電子在真空中運動及與外圍電路相互作用產生振盪、放大、混頻等各種功能。微波半導體器件包括微波晶體管和微波二極體，具有體積小、重量輕、可*性好、耗電省等優點，但在高頻、大功率情況下，不能完全取代電真空器件。微波集成電路是將具有微波功能的電路用半導體工藝製作在砷化鎵或其他半導體材料晶元上，形成功能塊，在固態相控陣雷達、電子對抗設備、導彈電子設備、微波通信系統和超高速計算機中，有著廣闊的應用前景。微波功率模塊是通過採用固態功率合成技術，將多個固

C. 微波器件的介紹

工作在微波波段（頻率為300～300000兆赫）的器件，稱為微波器件。微波器件按其功能可分為微波振盪器（微波源）、功率放大器、混頻器、檢波器、微波天線、微波傳輸線等。通過電路設計，可將這些器件組合成各種有特定功能的微波電路，例如，利用這些器件組裝成發射機、接收機、天線系統、顯示器等，用於雷達、電子戰系統和通信系統等電子裝備。

D. 什麼是微波電路

高頻振盪

E. 微波集成電路該怎麼介紹

微波集成電復路是工作制在微波波段和毫米波波段，由微波無源元件、有源器件、傳輸線和互連線集成在一個基片上，具有某種功能的電路。可分為混合微波集成電路和單片微波集成電路。混合微波集成電路是採用薄膜或厚膜技術，將無源微波電路製作在適合傳輸微波信號的基片上的功能塊。電路是根據系統的需要而設計製造的。常用的混合微波集成電路有微帶混頻器、微波低雜訊放大器、功率放大器、倍頻器、相控陣單元等各種寬頻微波電路。單片微波集成電路是採用平面技術，將元器件、傳輸線、互連線直接製做在半導體基片上的功能塊。砷化鎵是最常用的基片材料。微波集成電路起始於20世紀50年代。微波電路技術由同軸線、波導元件及其組成的系統轉向平面型電路的一個重要原因，是微波固態器件的發展。20世紀60～70年代採用氧化鋁基片和厚膜薄膜工藝；80年代開始有單片集成電路。

F. 微波器件與微波元件的區別是什麼

微波器件
是指工作在微波波段（頻率為300～300000兆赫）的器件，稱為微波器件。微波器件按其功能可分為微波振盪器（微波源）、功率放大器、混頻器、檢波器、微波天線、微波傳輸線等。通過電路設計，可將這些器件組合成各種有特定功能的微波電路，例如，利用這些器件組裝成發射機、接收機、天線系統、顯示器等，用於雷達、電子戰系統和通信系統等電子裝備。
微波元件：能控制導行電磁波的模式、極化方向、幅值、相位及頻率等的無源裝置。

G. 高頻電路和射頻電路和微波電路有什麼區別和聯系

射頻的范圍是3KHz-300GHz. 其中的300MHz-300GHz是微波頻段。也就是說微波占據了射頻范圍的"高頻"部分。
對於微波電路而內言，傳統的基爾容霍夫(Kirchhoff)電流電壓定律已不再適用。對微波電路的分析需要回到電磁場理論，即4組麥克斯韋爾方程(Maxwell). 微波基礎理論包括：傳輸線理論和波導，微波網路分析，阻抗匹配等。
至於「高頻電路」的概念比較寬泛。不同場合對「高頻」這一概念有不同的理解。幾MHz的高頻電路，傳統的電路分析還是適用的。

H. 混合微波集成電路是什麼

混合微抄波集成電路(HMIC)是MACOM開發的一項襲復雜技術，該技術可將兩種不同的材料（玻璃和硅）組合成單一的單片結構。這項技術能夠融合每種材料的最佳性質，從而有助於實現具有尺寸和成本優勢的單片電路解決方案。HMIC應視為GaAs和硅MMIC技術的輔助技術。HMIC側重於使用自動批處理製造和測試技術為高性能微波集成電路生產具有小尺寸和低損耗特點的電阻、電抗和集總元件。這項技術適用於晶圓級製造，既能有效突破尺寸、成本和性能限制，還可以顯著提高傳統二極體、有源、無源、混合及晶元細線微波電路的可靠性和可重復性。
1、高性價比
2、提高了可靠性和可重復性
3、可實現寬頻性能
4、使製造更靈活
5、同時利用玻璃和硅的優良性質：玻璃 - 低介電常數和高頻損耗正切；硅 - 高導熱性和低電阻
主要應用：CATV和有線寬頻、無線回程、工業、科學和醫療、測試和測量、晶元細線高頻微波應用

I. 微波集成電路可以怎樣分類

微波集成電路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波無源元件、有源器件、傳輸線和互連線集成在一個基片上，具有某種功能的電路。可分為混合微波集成電路和單片微波集成電路。混合微波集成電路是採用薄膜或厚膜技術，將無源微波電路製作在適合傳輸微波信號的基片上的功能塊。電路是根據系統的需要而設計製造的。常用的混合微波集成電路有微帶混頻器、微波低雜訊放大器、功率放大器、倍頻器、相控陣單元等各種寬頻微波電路。單片微波集成電路是採用平面技術，將元器件、傳輸線、互連線直接製做在半導體基片上的功能塊。砷化鎵是最常用的基片材料。微波集成電路起始於20世紀50年代。微波電路技術由同軸線、波導元件及其組成的系統轉向平面型電路的一個重要原因，是微波固態器件的發展。20世紀60～70年代採用氧化鋁基片和厚膜薄膜工藝；80年代開始有單片集成電路。

J. 微波集成電路的分類

將微波功能電路用半導體工藝製作在砷化鎵材料或其他半導體材料的晶元上的集成電路。用硅材料製作的微波電路工作於 300～3000吉赫頻段，可以視為硅線性集成電路的擴展，不包括在單片微波集成電路之內。
砷化鎵單片微波集成電路的製作工藝，是在半絕緣砷化鎵單晶片上用外延生長或離子注入硅形成有源層；注入氧或質子產生隔離層（或適合產生隔離層的其他離子）；注入鈹或鋅形成PN結；通過電子束蒸發製作金屬-半導體勢壘;用亞微米光刻、干法刻蝕、鈍化保護等工藝製作有源器件（如二極體、場效應晶體管）和無源元件（電感、電容、電阻和微帶元件耦合器、濾波器、負載等）以及電路圖形。電路設計也分為集總參數和分布參數兩種形式。分布參數主要用於功率電路和毫米波集成電路。毫米波集成電路指工作在 30～300吉赫范圍內的集成電路。
砷化鎵比硅更適合於製作單片微波集成電路（包括超高速電路）主要是由於：①半絕緣砷化鎵襯底的電阻率高達107～109歐·厘米，微波傳輸損耗小；②砷化鎵電子遷移率比硅高5倍左右，工作頻率高,速度快；③關鍵有源器件砷化鎵金屬－半導體場效應晶體管是一種多功能器件，抗輻照性能好，所以砷化鎵單片微波集成電路在固態相控陣雷達、電子對抗設備、戰術導彈、電視衛星接收、微波通信和超高速計算機、大容量信息處理方面有廣泛的應用前景。
已研製成功並逐步實用的單片微波集成電路有：單片微波集成低雜訊放大器、單片電視衛星接收機前端、單片微波功率放大器、單片微波壓控振盪器等。這種電路的設計主要圍繞微波信號的產生、放大、控制和信息處理等功能進行。大部分電路都是根據不同整機的要求和微波頻段的特點設計的，專用性很強。