igbt驅動電路原理

① IGBT模塊的工作原理

IGBT工作原理：

IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

——IGBT柵極與發射極之間的電壓；

——IGBT集電極與發射極之間的電壓；

——流過IGBT集電極－發射極的電流；

——IGBT的結溫。

如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低，則IGBT不能穩定正常地工作，如果過高超過柵極－發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞；同樣，如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極－發射極之間的耐壓，流過IGBT集電極－發射極的電流超過集電極－發射極允許的最大電流，IGBT的結溫超過其結溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。

② IGBT具體怎麼工作

IGBT模塊控制電路工作原理
1、PCB1板（主控制板）對IGBT逆變模塊的控制信號
由脈寬調制電路（PCM+PFM）輸出兩路脈沖方波，周期為50微秒，脈寬可調，時序相差180度。若用萬用表DVC檔測量，可測得一直流電壓值。
2、PCB2板（驅動板）對IGBT逆變模塊的驅動信號
驅動電路產生四路（全橋）相互隔離的驅動信號，周期、脈寬、時序受PCB1控制，分別驅動四IGBT單元的導通和截止。用萬用表DCV檔測量，先測到一個負電位，延時後，再測到一個大於此負電位的電壓值。注意：不能用雙通道示波器同時測量兩路驅動信號。
3、IGBT模塊逆變電路
IGBT模塊與主變壓器構成的逆變電路是由濾波後的直流電，經控制信號使IGBT模塊內部的大功率的場效應管交替導通工作，逆變輸出為交流電（20KHZ），主變壓器降壓後，在次邊輸出一個高頻電壓（70V）的交流電，再經過後續整流電路變為70V左右的直流電。此電路如果有故障，請重點檢查IGBT性能及是否擊穿損壞，以及PCB3板銅箔線有沒有腐蝕、燒斷。
希望你能看懂並採納。

③ igbt的工作原理

由圖1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四層結構，可以認為IGBT是由一個MOSFET和一個PNP三極體組成，由柵極控制的MOSFET來驅動PNP晶體管；也可以把它看成是由一個VDMOS和一個PN二極體組成。。以圖1為例分析IGBT的工作模式。在圖1所示的結構中，柵極G與發射極E短接且接正電壓、集電極接負壓時，器件處於反向截止狀態。此時J1、J3結反偏、J2結正偏，J1、J3反偏結阻止電流的流通，反向電壓主要由J1承擔。當柵極G與發射極E短接，集電極C相對於柵極加正電壓時，J1、J3結正偏、J2結反偏，電流仍然不能導通，電壓主要由反偏結J2承擔，此時IGBT處於正向截止。PT型IGBT由於緩沖層的存在通過犧牲反向阻斷特性來獲得較好的正向阻斷特性，而NPT型IGBT則擁有較好的正反向阻斷特性。當集電極C加正電壓，柵極G與發射極E施加電壓大於閾值電壓時，IGBT的MOS溝道開啟，器件進入正向導通狀態。

④ IGBT的驅動電路，是如何工作的各部分電阻R12，R11和Q1，Q2，Q3是干什麼的

IGBT驅動電路一般要對輸入信號進行放大和隔離。
當PWM波為正電壓時，Q1 Q3導通，而Q2不導通，經過Q1 Q3構成的放大電路將信號放大後，再通過光耦隔離，就得到了IGBT的驅動信號。
同理當PWM波為負（或0）電壓時Q1不導通，Q2 Q3構成了放大電路，經過光耦隔離，就得到了IGBT關斷信號。
R11起耦合作用，R12限流電阻。
純手打，望採納！！

⑤ IGBT驅動電路，誰能指點下迷津，這個原理圖理解總覺得很矛盾，有人可以指點下嗎在線等哦~~~

Rg：是IGBT驅動電阻；
VD3、R3、ZD1、C3組成穩壓電路給恆流源供電，其中VD3負責整流和隔離；
VQ1、VQ2、VQ3、VQ4、R12、R11是個恆流源與VD1、CM配合實現控制IGBT開通dv/dt，原理是當IGBT開通過快導致IGBT的C極電壓下降過快時（也就是dv/dt過高），這時電容CM的充電電流也加大，充電電流有部份來自IGBT的驅動電流（通過g點對驅動電流分流），這樣就可以降低IGBT的開通速度，由此降低開通dv/dt；
VQ5、VQ6、VQ7、VQ8、R21、R22也是個恆流源與VD2、CM配合實現控制IGBT關斷dv/dt，原理和上述一樣，不過這是個反過程，當IGBT關斷過快時它是注入電流至IGBT門極，降低IGBT關斷速度。

這是我個人理解，只做參考！

⑥ IGBT的工作原理

由圖1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四層結構，可以認為IGBT是由一個MOSFET和一個PNP三極體組成，由柵極控制的MOSFET來驅動PNP晶體管；也可以把它看成是由一個VDMOS和一個PN二極體組成。。以圖1為例分析IGBT的工作模式。在圖1所示的結構中，柵極G與發射極E短接且接正電壓、集電極接負壓時，器件處於反向截止狀態。此時J1、J3結反偏、J2結正偏，J1、J3反偏結阻止電流的流通，反向電壓主要由J1承擔。當柵極G與發射極E短接，集電極C相對於柵極加正電壓時，J1、J3結正偏、J2結反偏，電流仍然不能導通，電壓主要由反偏結J2承擔，此時IGBT處於正向截止。PT型IGBT由於緩沖層的存在通過犧牲反向阻斷特性來獲得較好的正向阻斷特性，而NPT型IGBT則擁有較好的正反向阻斷特性。當集電極C加正電壓，柵極G與發射極E施加電壓大於閾值電壓時，IGBT的MOS溝道開啟，器件進入正向導通狀態。

⑦ IGBT工作原理

IGBT工作原理：

IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

——IGBT柵極與發射極之間的電壓；

——IGBT集電極與發射極之間的電壓；

——流過IGBT集電極－發射極的電流；

——IGBT的結溫。

如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低，則IGBT不能穩定正常地工作，如果過高超過柵極－發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞；同樣，如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極－發射極之間的耐壓，流過IGBT集電極－發射極的電流超過集電極－發射極允許的最大電流，IGBT的結溫超過其結溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。

⑧ IGBT管在逆變器驅動板上的作用和工作原理有哪些

作用：
IGBT在逆變來器中的源基本作用是做為高速無觸點電子開關。

工作原理：
利用IGBT的開關原理，利用控制電路給予適當的開通、關斷信號，IGBT就能根據你的控制信號將直流電變換成交流電，直流電轉換成交流電後電壓會降低，例如火車供電系統的600V直流就是將380V交流整流而成，IGBT逆變器驅動板的作用就是將這個過程的再還原。同時可以通過控制信號的脈寬調節來控制電流的大小，也可以控制交流頻率，從而控制電機的轉速。

⑨ 誰明白這個互補推挽式IGBT驅動電路原理。

IGBT沒有P溝道，准互補做不出來，要做指能做准互補，我看了IGBT的伏安特性，IGBT管有放大區，說明可以做功放，但由於沒有P溝道配對，只能做變壓器推挽電路，或是甲類電路