大中電路

Ⅰ 前級放大電路與功率輸出級電路的區別是什麼

前級放大電，主要是信號進行放大和匹配，給功率輸出級合適大小的激勵信號，這一級信號幅度一般500mvrms左右。 功率輸出級電路,則是將前置級的信號進一步放大到足夠推動揚聲器，這一級信號幅度根據功率不同，通常10-20Vrms左右。

Ⅱ 放大電路中輸入電阻大小在實際電路中有什麼作用。能否舉例說明一下。輸出電阻呢

放大電路輸入電阻的大小主要是考慮與信號源的匹配：
1、若要從信專號源取得盡可能大的屬功率，就要求放大電路的輸入電阻等於信號源的內阻（這一道理在中學物理中已講過，在大學電路中有證明）；
2、若要從信號源取得盡可能大的電壓，就要求放大電路的輸入電阻比信號源內阻大得多。

從以上兩種情況看，放大電路的輸入電阻比信號源內阻小都是不好的，所以在書上就有很多提高放大電路輸入電阻的方法。

但是還有一個問題就是在設計負反饋的時候，並聯負反饋要求信號源內阻比放大電路的輸入電阻大，反饋效果強些，而串聯負反饋要求信號源內阻比放大電路的輸入電阻小，反饋效果強些。

我對電路輸入電阻的理解就是以上這些。

關於電路的輸出電阻：
輸出電阻主要是考慮與負載電阻的匹配。
若要有最大輸出功率，要求輸出電阻等於負載電阻；若要有最大輸出電壓，輸出電阻盡可能小。所以在說輸出級時，有「帶負載能力強」，就是輸出電阻小。

另外，對於多級放大器，前級的輸出電阻對後級來說就相當於信號源內阻，也影響負反饋。

Ⅲ 5、在大功率電路中,可控硅直接串聯有何問題,一般採用什麼方法解決

在大功率電路中，可控硅直接串聯有誤差的問題，一般採用並聯的方法解決。

用在交流電路中，常用的為有可控整流，交流調壓等等。至於連接方式，可控硅一般都是串聯在電路中的，利用它的單向和可控性能進行觸發導通控制來改變導通角度，可控硅有單向和雙向，雙向可控硅相當於正向和反向並聯著的兩個可控硅，因為每個半周都需單獨觸發才能導通的。

可關斷可控硅

也屬於PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通可控硅相同，大功率GTO大都製成模塊形式。

盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由於普通可控硅在導通之後即外於深度飽和狀態，而GTO在導通後只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等於陽極最大可關斷電流IATM與門極最大負向電流IGM之比。

Ⅳ 中國礦大考研電路難嗎

？中國礦大考研電路總的來說考研不是很難。但是考研肯定是有一定難度的。礦大有兩個校區，徐州小區和北京校區，但是北京和徐州是合起來排名的，考研的話肯定是北京競爭激烈一些，因為北京就業單位比較多。首先筆試肯定要過關，然後筆試成績出來了，一定盡快選導師，和導師聯系。另外就是英語很重要，口語聽力在面試的時候很加分的。中國礦大電路考研參考書有哪些呢？管致中《信號與線性系統》高等教育出版社。邱關源《電路》高等教育出版社（第五版）。中國礦大考研電路科目：思想政治理論、英語一、數學一、電路。復試科目：信號與線性系統。中國礦大考研電路就業怎麼樣？首先要說的是礦大畢業的就業面不是局限在煤礦企業，也是根據專業的，比如信電的，可以去通信企業，電力企業等等。而且現在電產業和發電產業公司大批招人，電力電子專業的畢業生很多都從事相關工作且工資待遇都不錯，很多公司就奔著礦大電力電子專業來的。以後信息時代的發展，肯定離不開電路的。世界也正在數字化，網路化，特別是近幾年來，從物聯網的建立發展看出，網路和實際的操作的結合點就是電力電子，機電等。隨著世界性分工的精細化，專業學科就是很熱門的專業和就業前景，當然他的任務是很重，學精一定要精華。現在太陽能發電發展很快，無論國內還是國外在材料這方面已經盡了最大的努力了。如果利用利用光學儀器凸透鏡類，或把光聚集到一起，這以後的發展都是非常大的。

Ⅳ 家庭電路過大的原因

電是和我們生活、學習息息相關的，可以說人人離不開電。居家之中，冰箱等家用電器，一般是一天24小時開啟的，還有一些其他的電器，也需要經常使用。在很多電器同時用的情況下，可能會出現一些狀況，比如電流過大。家庭電路中電流過大的原因有哪些呢？主要有兩個方面的原因，即用電的總功率過大，再就是發生短路了。
我們在初中的時候都學過物理，知道電功率公式 P=UI，而I=P/U，如果電路之中的電壓固定不變的時候，p越大的話，那麼I就會越大。一般家庭當中使用的電路都是採用並聯的形式，所以可以總結出用電器的總功率過大是家庭電路中電流過大的原因的一個原因。

家用電器的耗電量越大，當多個電器同時開啟的時候，耗電量自然會比較大，總功率也就大，因此導致電流會過大。為減少這種情況出現，建議大家在選用家用電器的時候，還需要注意看電功率即能效標識情況，盡量選擇耗電量低的產品。空調可以說是耗電大王，居家用的空調1~1.5匹就可以了，通常連續用8個小時，好點點，根據能耗級別不同，那麼具體度數也不一樣。一級能效大約1度電，二級能耗為2度電，而四級能耗的則為5度電左右。液晶電視使用比較多，耗電量主要和功率小大，還有尺寸大小有關系，居家面積不大的話，沒必要選擇那麼大尺寸的。
另外一個家庭電路中電流過大的原因就是短路發生了。很多人家在買了新房或是二手房之後，都要對水電路進行改造，而在改造的時候，不小心接錯線了，或是電線外面的絕緣皮因為時間長出現老壞了，或是被什麼東西損壞了，從而造成了火線和零線直接連通，那麼短路就出現了，此時電流會很大。

Ⅵ 放大電路中的小電流和大電流是什麼

小電流大電流都是相比較而言。例如，基極是小電流，集電極射極是大電流。電壓極是小電流，功率級是大電流。

Ⅶ 在大型電路圖紙中，有一部分東西不了解，請各位師傅賜教

x6 To MP
這個看圖上，是多個線同時指向這個標識，感覺應該是線路數量一共6根或6組的意思，To MP應該是接線到母排的意思。

Ⅷ 畫電路圖要注意什麼 對於電路圖的要求是什麼

電路圖最好呈長方形，各元件要均勻分布在各邊，元件不要畫在拐角處。電路圖版中的各元權件的連接順序要與實物圖中的順序對應。畫電路圖時，要注意電路所處的狀態,開關是斷開還是閉合。

並聯電路，在電路較長上找出分點和合點並標出。並明確每個元件所處位置。（首先弄清楚幹路中有無開並和電流表）連實物圖，先連好電池組，找出電源正極，從正極出發，連幹路元件，找到分點後，分支路連線，千萬不能亂畫，順序作圖。

直到合點，然後再畫另一條支路[注意導線不得交叉，導線必須畫到接線柱上（開關，電流表，電壓表等）接電流表，電壓表的要注意正負接線柱]遇到滑動變阻器，必須一上，一下作圖，檢查電路無誤後，最後將電壓表接在被測電路兩端。

(8)大中電路擴展閱讀：

設計電路，就是按照要求確定電路中的各個元件的位置。其方法是：先將開關和用電器對應地連接起來，要能分析出開關是控制哪個用電器的，在電路中起什麼作用（是控制幹路，還是控制支路）。

再將開關和所控制的用電器串聯起來，若開關是在幹路中，應與電源串聯。然後通過分析，判斷出用電器之間是串聯，還是並聯。在分析的基礎上，正確畫出電路圖。

Ⅸ 什麼叫電路

並聯電路：把元件並列地連接起來組成的電路，如圖，特點是：幹路的電流在分支處分兩部分，分別流過兩個支路中的各個元件。例如：家庭中各種用電器的連接。
串聯電路是一種電路,電流依次通過每一個組成元件的電路.串聯電路的基本特徵是只有一條支路，由此出發可以推出串聯電路有如下五個特點：（1）流過每個電阻的電流相等。因為直流電路中同一支路的各個截面有相同的電流強度。（2）總電壓（串聯電路兩端的電壓）等於分電壓（每個電阻兩端的電壓）之和，即u=u1+u2+……un。這可由電壓的定義直接得出。（3）總電阻等於分電阻之和。把歐姆定律分別用於每個電阻可得u1=ir1，u2=ir2，……,un=irn代入u=u1+u2+……+un並注意到每個電阻上的電流相等，得u=i（r1+r2+rn）。此式說明，若用一個阻值為r=r1+r2+…+rn的電阻元件代替原來n個電阻的串聯電路，這個元件的電流將與原串聯電路的電流相同。因此電阻r叫原串聯電阻的等效電阻（或總電阻）。故總電阻等於分電阻之和。（4）各電阻分得的電壓與其阻值成正比，因為ui=iri。（5）各電阻分得的功率與其阻值成正比，因pi=i2（平方）ri。串聯的優點：所以在電路中，
若想控制所有電路，
即可使用串聯的電路；
串聯的缺點；若電路中有一個用電器壞了，整個電路意味這都斷了。

Ⅹ 超大規模集成電路的分類

集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路等。
小規模集成電路於1960年出現，在一塊矽片上包含10-100個元件或1-10個邏輯門。如 邏輯門和觸發器等。如果用小規模數字集成電路(SSI)進行設計組合邏輯電路時，是以門電路作為電路的基本單元，所以邏輯函數的化簡應使使用的門電路的數目最少，而且門的輸入端數目也最少。
中規模集成電路（Medium Scale Integration：MSI）
1966年出現，在一塊矽片上包含100-1000個元件或10-100個邏輯門。如 ：集成計時器，寄存器，解碼器等。
如果選用中規模集成電路(MSI)設計組合邏輯電路時，則以所用集成電路個數最少，品種最少，同時集成電路間的連線也最少。這往往需將邏輯函數表達式變換成選用電路所要求的表達形式，有時可直接用標准範式。
MSI中規模組合邏輯器件功能雖然比小規模集成電路SSI強，但也不像大規模集成電路LSI那樣功能專一化，這些器件產品的品種雖然不少，但也不可能完全符合使用者的要求，這就需要將多片級聯以擴展其功能，而且還可以用一些標準的中規模繼承組件來實現其它一些組合邏輯電路的設計。用中規模集成組件來進行組合邏輯電路設計時，其方法是選擇合適的MSI後，將實際問題轉化後的邏輯表達式變換為響應的MSI的表達形式。用MSI設計的組合邏輯電路與用門電路設計的組合邏輯電路相比，不僅體積小，重量較輕，而且提高了工作的可靠性。
中規模數據選擇起的級聯可擴展其選擇數據的路數，其功能擴展不僅可用於組合邏輯電路，而且還可用於時序邏輯電路。在組合邏輯電路中主要有以下應用：
（1）級聯擴展，以增加選擇的路數、位數，可實現由多位到多位的數據傳送；
（2）作邏輯函數發生器，用以實現任意組合邏輯電路的設計。
大規模集成電路(Large Scale Integrated circuits：LSI)
1970年出現，在一塊矽片上包含103-105個元件或100-10000個邏輯門。如 ：半導體存儲器，某些計算機外設。628512，628128（128K）最大容量1G。
超大規模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI)
在一塊晶元上集成的元件數超過10萬個，或門電路數超過萬門的集成電路，稱為超大規模集成電路。超大規模集成電路是20世紀70年代後期研製成功的，主要用於製造存儲器和微處理機。64k位隨機存取存儲器是第一代超大規模集成電路，大約包含15萬個元件，線寬為3微米。
超大規模集成電路的集成度已達到600萬個晶體管，線寬達到0.3微米。用超大規模集成電路製造的電子設備，體積小、重量輕、功耗低、可靠性高。利用超大規模集成電路技術可以將一個電子分系統乃至整個電子系統「集成」在一塊晶元上，完成信息採集、處理、存儲等多種功能。例如，可以將整個386微處理機電路集成在一塊晶元上，集成度達250萬個晶體管。超大規模集成電路研製成功，是微電子技術的一次飛躍，大大推動了電子技術的進步，從而帶動了軍事技術和民用技術的發展。超大規模集成電路已成為衡量一個國家科學技術和工業發展水平的重要標志，也是世界主要工業國家，特別是美國和日本競爭最激烈的一個領域。
特大規模集成電路(Ultra Large-Scale Integration：ULSI)
1993年隨著集成了1000萬個晶體管的16M FLASH和256M DRAM的研製成功，進入了特大規模集成電路ULSI (Ultra Large-Scale Integration)時代。特大規模集成電路的集成組件數在107～109個之間。
ULSI電路集成度的迅速增長主要取決於以下兩個因素：一是完美晶體生長技術已達到極高的水平；二是製造設備不斷完善，加工精度、自動化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進入深亞微米級領域。硅單晶制備技術可使晶體徑向參數均勻，體內微缺陷減少，0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少於0.05個/平方厘米。對電路加工過程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認識，由此發展了一整套完美晶體的加工工藝。生產電路用的矽片直徑的不斷增大，導致生產效率大幅度提高，矽片的直徑尺寸已達到12英寸。微缺陷的減少使晶元成品率增加，0.02個/平方厘米缺陷的矽片可使256MB DRAM的成品率達到80~90%。
巨大規模集成電路（Giga Scale Integration：GSI）
1994年由於集成1億個元件的1G DRAM的研製成功，進入巨大規模集成電路GSI（Giga Scale Integration）時代。巨大規模集成電路的集成組件數在109以上。