1. 關於采樣集成電路穩定性性能的篩選方法
FPGA內部寫一個串轉並的模塊（其實就是一個16位的移位寄存器），等16位數據都接收到後一次輸出給內部處理。這樣的話，提供給AD7705的SPI時鍾16分頻之後給串轉並的輸出控制就可以了
2. 半導體二極體，三極體的篩選及老化方法有哪些
檢查的主要內容如下：
②電位器、可變電容器和可調電感器等元件，調動時應該旋轉平穩，無跳變或卡死現象。④膠木件表面無裂紋、起泡和分層。瓷質件表面光潔平整，無缺損。⑤帶有密封結構的元器件，密封部位不應損壞和開裂。⑥鍍銀件表面光亮，無變色和發黑現象。2暢元器件的篩選和老化③接插件應插拔自如，插針、插孔鍍層光亮，無明顯氧化和玷污。①元器件外觀應完整無損，標注清晰，引線和接線端子無銹蝕和明顯氧化。篩選和老化的目的是剔除因某種缺陷而導致早期失效的元器件，從而提高元器件的使用壽命和可靠性。因此，凡有篩選和老化要求的元器件，在整機裝配前必須按照整機產品技術要求和有關技術規定進行嚴格的篩選和老化。然而在課堂化的業余條件下，不具備對元器件進行正規的篩選和老化的條件，只有藉助於萬用表和有關通用儀器對元器件進行一般的檢測，對阻容元件、二極體、三極體、集成電路、
電感線圈、電位器等元件的一般檢測在前面已學過的課程中已作介紹，這里不再敘述。而電視機生產廠傢具備對元器件進行篩選和老化的條件，且由專業人員操作，比較復雜。下面以對半導體二極體、三極體和集成電路的篩選和老化的技術要求為例作簡要介紹，僅供學生參考。（1）半導體二極體、三極體的篩選和老化①篩選程序：
b暢三極體：高溫儲存→溫度沖擊→跌落（大功率管不做）→高溫反偏（硅PNP管）→功率老化→高低溫測試（必要時做）→常溫測試→檢漏→外觀檢查。
心→功率老化。篩選程序可根據具體情況作相應變化，但其主要項目有：高溫儲存→溫度沖擊→跌落或離②條件及要求：
儲存時間：A級48h，B級96h。儲存溫度：硅二極體（150±3）℃；硅三極體（175±3）℃；鍺二極體、三極體（100±2）℃。a暢高溫儲存漏電流→常溫測試→檢漏→外觀檢查。a暢二極體（此處指整流二極體）：高溫儲存→溫度沖擊→敲擊→功率老化→高溫測試反向
鍺元件：（－55±3）℃茨（85±2）℃。b暢溫度沖擊
硅元件：（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低溫後高溫，轉換時間小於1min，每種狀態下放置1h，循環次數為5次。
允許曲線有跳動現象。敲擊次數為3～5次。c暢敲擊在專用夾具上，用小錘敲擊器件，並用圖示儀監視最大工作電流正向曲線。不
在c－b極間加反向電壓（具體電壓值按技術部門的指定值）。反偏時間約4h，漏電流不超過規定值。f暢高溫測試試驗溫度鍺二極體為（70±2）℃，鍺中小功率三極體為（55±2）℃，鍺大功g暢低溫測試試驗溫度為（－55±3）℃，恆溫時間為30min。
i暢檢漏按技術文件規定進行。（2）半導體集成電路的篩選h暢常溫測試按技術文件規定進行。e暢高溫反偏鍺管在（70±2）℃，硅管在（125±3）℃下，二極體加額定反向電壓，三極體d暢功率老化在常溫下，按技術要求通電老化。老化時間A級12h，B級24h。率三極體為（75±2）℃，硅二、三極體為（125±3）℃。恆溫時間為30min。①高溫儲存它的作用是通過高溫加熱，加速任何可能發生或存在的表面化學反應，使儲存條件：溫度150～（175±5）℃，儲存時間為48h或96h。150℃適用於環氧扁平封裝循環條件：溫度為（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低溫後高溫，每種溫度下保持30min，②溫度循環此項目能檢驗電路內不同結構材料的熱脹冷縮性是否匹配。電路穩定，剔除潛在的失效電路。的電路，175℃適用於其他材料封裝的電路。
3. 集成電路工藝設備的UT表和UM表
(1)集成電路前工藝設備根據其工藝性質，主要有以下幾種。
外延爐：用於外延材料生長。
氧化擴散設備：用於製取氧化層和實現摻雜。
制膜設備：主要有電子束蒸發台、磁控濺射台、等離子體增強化學汽相淀積(PECVD)設備。
離子注入機：用於高精度摻雜，根據注入能量、束流大小和矽片尺寸不同有多種規格。
腐蝕、刻蝕設備：主要AD7890BN-4有化學濕法腐蝕和等離子體化學干法刻蝕設備，干法刻蝕具有良好的選擇性和定向性。
光刻設備：有勻膠機、曝光機、顯影設備、堅膜烘焙機等設備。
純水製取設備：用於為工藝生產提供純凈無雜質、無細菌的水。
環境控制設備：包括水、風、電、氣、冷、濕、暖七大類型，主要是為集成電路生產提供潔凈的環境，必要的動力和恆定的溫度、濕度。
在線檢測儀器：主要用於檢驗、測控集成電路製造過程中的各種工藝參數，主要有膜厚測量儀、結深測量儀、C-V特性測量儀、C-T特性測量儀、薄膜應力測試儀、表面缺陷檢查儀、激光橢偏儀、線寬測量儀、電子顯微鏡、原子力顯微鏡等，還有各種放大倍率的光學顯微鏡、晶體管特性圖示儀等部分常規儀器。
(2)後工藝的主要設備有以下幾種。
裂片機：主要用於對加定完畢的矽片上的集成電路進行分割，壓焊機：包括有超聲、金球焊接設備，實現管芯內部引線端與外管殼外引線的電氣連接。
封裝設備：按不同工藝，有儲能對象機、平行封焊機、玻璃熔封設備、塑封機以及激光電子束封貼機等。
老化篩選設備：有高／低溫箱，靜／動態老化台，各種測試儀器、儀表、離心、振動等設備。
4. 如何對電子元器件進行檢驗和篩選
動手准備元器件之前，最好對照電路原理圖列出所需元器件的清單。為了保證在試制的過程中不浪費時間，減少差錯，同時也保證製成後的裝置能長期穩定地工作，待所有元器件都備齊後，還必須對其篩選檢測。 在正規的工業化生產中，都設有專門的元器件篩選檢測車間，備有許多通用和專用的篩選檢測裝備和儀器，但對於業余電子愛好者來說，不可能具備這些條件，即使如此，也絕不可以放棄對元器件的篩選和檢測工作，因為許多電子愛好者所用的電子元器件是郵購來的，其中有正品，也有次品，更多的是業余品或利用品，如在安裝之前不對它們進行篩選檢測，一旦焊入印刷電路板上，發現電路不能正常工作，再去檢查，不僅浪費很多時間和精力，而且拆來拆去很容易損壞元件及印刷電路板。 ⑴外觀質量檢查 拿到一個電子元器件之後，應看其外觀有無明顯損壞。如變壓器，看其所有引線有否折斷，外表有無銹蝕，線包、骨架有無破損等。如三極體，看其外表有無破損，引腳有無折斷或銹蝕，還要檢查一下器件上的型號是否清晰可辨。對於電位器、可變電容器之類的可調元件，還要檢查在調節范圍內，其活動是否平滑、靈活，松緊是否合適，應無機械雜訊，手感好，並保證各觸點接觸良好。 各種不同的電子元器件都有自身的特點和要求，各位愛好者平時應多了解一些有關各元件的性能和參數、特點，積累經驗。 ⑵電氣性能的篩選 要保證試制的電子裝置能夠長期穩定地通電工作，並且經得起應用環境和其它可能因素的考驗，對電子元器件的篩選是必不可少的一道工序。所謂篩選，就是對電子元器件施加一種應力或多種應力試驗，暴露元器件的固有缺陷而不破壞它的完整性。篩選的理論是：如果試驗及應力等級選擇適當，劣質品會失效，而優良品則會通過。人們在長期的生產實踐中發現新製造出來的電子元器件，在剛投入使用的時候，一般失效率較高，叫做早期失效，經過早期失效後，電子元器件便進入了正常的使用期階段，一般來說，在這一階段中，電子元器件的失效率會大大降低。過了正常使用階段，電子元器件便進入了耗損老化期階段，那將意味著壽終正寢。這個規律，恰似一條浴盆曲線，人們稱它為電子元器件的效能曲線，如圖1所示。 電子元器件失效的原因，是由於在設計和生產時所選用的原材料或工藝措施不當而引起的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人們只能人為地創造早期工作條件，從而在製成產品前就將劣質品剔除，讓用於產品製作的元器件一開始就進入正常使用階段，減少失效，增加其可靠性。 在正規的電子工廠里，採用的老化篩選項目一般有：高溫存貯老化；高低溫循環老化；高低溫沖擊老化和高溫功率老化等。其中高溫功率老化是給試驗的電子元器件通電，模擬實際工作條件，再加上＋80℃－＋180℃的高溫經歷幾個小時，它是一種對元器件多種潛在故障都有檢驗作用的有效措施，也是目前採用得最多的一種方法。對於業余愛好者來說，在單件電子製作過程中，是不太可能採取這些方法進行老化檢測的，在大多數情況下，採用了自然老化的方式。例如使用前將元器件存放一段時間，讓電子元器件自然地經歷夏季高溫和冬季低溫的考驗，然後再來檢測它們的電性能，看是否符合使用要求，優存劣汰。對於一些急用的電子元器件，也可採用簡易電老化方式，可採用一台輸出電壓可調的脈動直流電源，使加在電子元器件兩端的電壓略高於元件額定值的工作電壓，調整流過元器件的電流強度，使其功率為1.5－2倍額定功率，通電幾分鍾甚至更長時間，利用元器件自身的特性而發熱升溫，完成簡易老化過程。 ⑶元器件的檢測 經過外觀檢查以及老化處理後的電子元器件，還必須通過對其電氣性能與技術參數地測量，以確定其優劣，剔除那些已經失效的元器件。當然，對於不同的電子元器件應有不同的測量儀器，但對於業余電子愛好者來說，一般不具備專用電子測量儀器的條件，但起碼應有一塊萬用電表，利用萬用電表可以對一些常用的電子元器件進行粗略檢測。各種電子元器件涉及到的電性能參數很多，我們要根據業余製作牽涉到的必須要弄清楚的有關參數進行檢測，而不必對該元器件的所有參數都一一檢測。下面例舉幾種基本元器件的檢測。 ①電阻器。它是所有電子裝置中應用最為廣泛的一種元件，也是最便宜的電子元件之一。它是一種線性元件，在電路中的主要用途有：限流、降壓、分壓、分流、匹配、負載、阻尼、取樣等。 檢測該元件時，主要看它的標稱阻值與實際測量阻值的偏差程度。在大量的生產中，由於加工過程中各道工序對電阻器的作用，電阻器的實際值不可能做到與它的標稱值完全一致，因此其阻值具有離散性，為了便於管理和組織生產，工程上按照使用的需要，給出了允許偏差值，如±5%、±10%、±20%。再加上萬用電表檢測電阻器時的誤差，一般要求其誤差不超過允許偏差的10%即認為合格。同時亦可通過外觀檢查綜合判斷其優劣。 ②電容器。電容器也是電子裝置中用得最多的電子元器件之一。它的質量好壞直接影響到整機的性能，同時也是容易失效的元件。在檢查電容器時，如果電解電容器的貯存期超過了三年，可以認為該元件已經失效。有些電容器上沒有出廠年限標志，外觀則完好無損，肉眼很難判斷出它的質量問題，因此就必須要對它進行檢測。 電容器在電路中擔任隔直、濾波、旁路、耦合、中和、退耦、調諧、振盪等。它的常見故障有擊穿、漏電、失效（乾涸）。用萬用電表的歐姆檔檢查電容器是利用了電容器能夠充放電原理進行的，這時應選用歐姆檔的最高量程（R×1kΩ或R×10kΩ）來測量。如圖2所示。當萬用電表的兩根表棒與電容器的兩引腳相接時，表針先向順時間方向偏轉一個角度，此時稱為電容器的充電，當充電到一定程度時，電容器又開始放電，此時萬用電表的指針便返回到∞位置。在測量過程中，表針擺動的角度越大，說明所檢測的電容器容量越大。表針返回後越接近∞處，說明所檢測的電容器漏電越小，即所檢測的電容器的質量越高。 測量電解電容器時，由於其引腳有正、負極之分，應將紅表棒接電容器的負極，黑表棒接電容器的正極，這樣測量出來的漏電電阻才是正確的。反接時一般漏電電阻要比正接時小，利用這一點，還可判斷出無極性標志的電解電容器的極性。如果電容器的容量太小，如在4700P以下，就只能檢查它是否漏電或擊穿，如果在測量中，表針擺動一下回不到∞處，而是停留在0－∞處的中間某一位置上，說明該電容器漏電嚴重；也可採取圖3所示的辦法。在萬用電表與被測小電容器之間加裝一隻NPN型硅三極體，要求其β值大於100，集電極-發射極之間的耐壓應大於25V，ICEO越小越好。被測電容器接到A、B兩端。由於三極體VT的電流放大作用，較小容量的電容器也能引起表針較大幅度的擺動，然後返回到∞位置，如不能返回到∞處的，則可估測出漏電電阻。 對於可變電容器、拉線電容器，亦可用萬用電表檢測出它們有否碰片或漏電、短路等。 ③電感器。電感器是一種非線性元件，可以儲存磁能。由於通過電感的電流值不能突變，所以，電感對直流電流短路，對突變的電流呈高阻態。電感器在電路中的基本用途有：扼流、交流負載、振盪、陷波、調諧、補償、偏轉等。利用萬用電表對其進行檢測時，即只能判斷出它的直流電阻值，如果已經標明了數值的電感器，只要其直流電阻值大致符合，即可視為合格。 ④晶體二極體。晶體二極體是一種非線性器件，它的正、反兩個方向的電阻值相差懸殊，這就是二極體的單向導電性。在電路中，利用這一特性，可以作整流、檢波、箝位、限幅、阻尼、隔離等。 用萬用電表測量二極體時，可選用歐姆檔R×1kΩ。由於二極體具有單向導電性，它的正、反向電阻是不相等的，兩者阻值相差越大越好。對於常用的小功率二極體，反向電阻應比正向電阻大數百倍以上。用紅表棒接二極體的正極，黑表棒接它的負極，測得的是反向電阻。反之，紅表棒接二極體的負極，黑表棒接它的正極，測得的是正向電阻。諸二極體的正向電阻一般在100Ω－1kΩ左右；硅二極體的正向電阻一般在幾百歐至幾千歐。如果測得它的正、反向電阻都是無窮大，說明該二極體內部已開路；如果它的正、反向電阻均為0，說明二極體內部已短路；如果它的正、反向電阻相差無幾，說明二極體的性能變差失效。出現以上三種情況的二極體均不能使用。 ⑤晶體三極體。三極體是電子裝置中的重要元件，它的質量優劣直接關繫到系統工作的可靠性和穩定性，因此，它是最需要進行老化篩選的元件之一。已知一個三極體的型號和管腳排列，可採用如下簡易測試法來判斷它的性能。應該注意的是：對一般小功率低壓三極體，不宜採用R×10kΩ檔進行測試，以免表內的高電壓損壞三極體。 在檢查三極體的穿透電流大小時，可採用圖4所示的測量法，圖中被測的是NPN型三極體，如果是NPN型三極體，其測試棒應與管腳對調。萬用電表的量程一般選用R×100或R×1kΩ檔，要求測得的電阻值越大越好，對於中功率的鍺管，此值應大於數千歐；對於硅管，此值應大於數百千歐。如果所測得的數值過小，說明管子的穿透電流大，管子的性能不好。如果測量時萬用電表的表針搖擺不定，說明管子的穩定性很差。如果測得的阻值接近於零，說明管子內部已擊穿短路，不能使用。 在檢查三極體的放大性能β值時，可以採用圖5所示的估測法。如果被測管是NPN型，可按此方法測試，如果被測管是PNP則按虛線方式連接。測量時表針應向右偏轉，其偏轉角度越大，說明管子的放大倍數β越大。如果加上電阻R之後表針變化的角度不大或根本不變，則說明管子的放大作用很差或已經損壞。其R的阻值可在51kΩ－100kΩ范圍內選取。也可能利用人手的電阻，用手捏位管子的c-b兩極，但不要使它們短路，以手的皮膚電阻代替R。 對於結型場效應管，已知型號與管腳，如果用萬用電表測G（柵極）和S（源極）之間，G與D（漏極）之間沒有PN結電阻，說明該管子已壞。用萬用電表的R×1kΩ檔，其表棒分別接在場效應管的S極和D極上，然後用手碰觸管子和G極，若表針不動，說明管子不好；若表針有較大幅度的擺動，說明管子可用。結型場效應管電路符號與引腳如圖6所示。 以上所述的管子測量方法雖是粗略的，但一般都切實可行，如欲進行更嚴格的測量篩選，則宜使用專門的測試儀器。 ⑥集成電路。集成電路的門類、品種很多，在業余條件下，電子愛好者似乎沒有特別的測試方法，採用萬用電表進行測量時，只能對照已知的集成塊引腳數據，用測得的數據與已知的數據進行對比，從而判斷出被測集成塊的好壞。也可以搭一個簡單的試驗電路，將集成塊插入電路中進行試驗，如能完成某些功能或符合某種邏輯關系便可用。如對音樂集成電路進行測試，可先製作一個簡易電路，留出音樂集成電路的插腳（或用夾子），將音樂集成電路置於電路中，如果發聲正常則可使用，否則不可使用。如果你有時間也樂於動手的話不妨自製一些常用的集成電路的簡易試驗儀器（參見本站檢測儀表），可方便日後的電子電路製作。 ⑦ 其它電子元器件。如常用的各種開關、接插件、發光二極體、揚聲器、耳機等，主要用萬用電表檢測它們的通斷情況。對於發光二極體和揚聲器、耳機，也可用電池組來試驗其發光或發聲程序，以此來判斷其優劣。
5. 集成電路可分為哪些等級 各等級的篩選溫度的區間
據集成電路使用環境及對系統可靠性要求的不同,設計者可以選擇不同工藝和等級的集成電路。盡管國外的集成電路製造商對集成電路分等方法各不相同,但也大同小異,總的來說大體可分為三個等級,即商業級、工業級和軍用級。
6. 安徽大學文典集成電路保研一般是哪
一般會是安徽理工大學。
保研一般都是同等級別的大學。
保研全稱是推薦優秀應屆本科畢業生免試攻讀碩士學位研究生，顧名思義，就是被保送者不經過筆試等初試一些程序，通過一個考評形式鑒定學生的學習成績、綜合素質等，在一個允許的范圍內，由本科所在學校推薦，並經招生單位考核後錄取為研究生。高等院校實行推薦少數優秀應屆本科畢業生免試為碩士生是1985年開始試點的。一般每年9月下旬至10月下旬在大四學生中進行篩選，規則制訂和操作權由各校掌握，因此學校不同，保研情況也各有不同。
7. 集成電路的發展趨勢如何微電子技術為達到極限嗎
虵有一篇論文，你可以看看，對提高姿勢水平很有幫助
8. 集成電路883和883b有什麼區別
根據用途，元器件的質量等級可分為：用於元器件生產控制、選擇和采購的質量等級和用於電子設備可靠性預計的質量等級兩類，兩者有所區別，又相互聯系。
用於元器件生產控制、選擇和采購的質量等級
元器件的質量等級與其生產過程執行的規范是密不可分的，規范要求質量控制的嚴格程度，決定了元器件質量等級的高低。在大多數軍工產品中採用國產元器件的質量等級分為：(七專)7905、(七專)8406、(七專)840611A(半導體分立器件)、(七專)補充技術協議、國軍標(GJB)等五種。前四種可以認為是四種質量等級，而國軍標由於參照採用了美國軍用(MIL)標准，其質量等級的分類方法比較復雜，器件分為3～4個質量保證等級(簡稱質量等級);元件分為有可靠性指標的和無可靠性指標的兩類，對於有可靠性指標的元件可分為若干個失效率等級。
國軍標元器件的質量等級包括了：器件的質量保證等級和有可靠性指標元件的失效率等級，如表1所示。
表1國軍標元器件質量分級進口元器件的質量分級更為復雜，考慮到較多的是採用美國軍用元器件及部分歐洲空間局(ESA)元器件，所以簡要介紹MIL和歐洲空間局空間元器件協調組(ESA/SCC)元器件質量分級的情況。
美軍標元器件的質量分級如表2所示。
表2美軍標元器件質量分級從1994年6月美國宣布對軍用標准實行改革以來，表2中涉及的美軍標中，MIL-M-38510已並入MIL-I-38535，而且都已改成性能規范(規范代號的字母改為MIL-PRF-，以後的數字不變，如MIL-PRF-38535C)，內容也有較大的變化，例如採用統計過程式控制制(SPC)技術後，原來軍用規范規定要100%做的篩選項目，允許減少甚至可以全部免除。因此，在選擇和采購元器件時，必須加以注意。
這里特別要對微電路(包括：半導體集成電路及混合集成電路)的質量等級作些說明，其中B級與S級是微電路的質量保證等級，此外凡符合MIL-STD-883《微電路試驗方法和程序》1.2.1條規定的微電路，屬於質量等級為883級的微電路。其特點是微電路生產單位聲稱已按總規范MIL-M-38510及相應的詳細規范進行質量控制，但未進行認證。因此，具有不同信譽的微電路生產單位，電路的質量將有很大差別。從1995年5月14日開始MIL-M-38510並入MIL-PRF-38535後，已不生產B級、S級微電路，所以現在按MIL-M-38510采購的微電路，其質量等級大多數是883級，在883級微電路中，有些元器件供應商還根據對電路不同的質量控制，分為883B和883S，但其質量等級都不如B級有保證。
ESA/SCC元器件的質量分級較有規律，所有元器件都分為B、C兩級，但在采購時還可選擇不同的批驗收試驗(縮寫LAT，相當質量一致性檢驗)，由於LAT分為1、2、3類，所以ESA/SCC元器件可分為B1、B2、B3、C1、C2、C3六個質量等級。
用於電子設備可靠性預計的質量等級
當按GJB/Z
299或MIL-HDBK-217進行電子設備可靠性預計時，在該標准中列出了另一種質量等級與表4-1或表4-2列出的質量保證等級及失效率等級有一一對應的關系。由於質量保證等級及失效率等級有時也可簡稱為質量等級，所以兩者很易混淆。但只有軍用級元器件才有質量保證等級及失效率等級，而對於所有元器件都有進行可靠性預計的質量等級，這是兩者是主要的差別。
9. 在現代化的集成電路中，最小單位的晶體管（或者是什麼別的）有多大
納米級