『壹』 中頻功率表四個線怎樣接
功率表要取得兩種信號條件才成立，1.電壓2.電流。(共有四個接線端點)
水平線的那條是電流信號。
垂直轉彎的那條是電壓信號。
『貳』 與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什麼特點
MOSFET是電壓型控制器件，它的柵極電壓決定著它的電流，不同的mosfet特性也不同，增強型、耗盡型的控制電壓不同。
這樣一來，mos的偏置需要一個准確的柵極電壓，而偏置電流卻很低，偏置電阻可以取到很大，這樣MOS的輸入阻抗也會很高。
D、S極與三極體略同。
相比於IGBT和BJT耐沖擊性好,故障率低.由於電導率負溫度系數,MOSFET可擴展性很好.大功率應用時,如成本不敏感,如軍用、工業、高端消費產品,MOSFET是最優選擇.低壓大電流領域是MOSFET的強項.
IGBT是和功率MOSFET同步發展起來的一類開關器件,IGBT的優點在於做大功率時成本低,堪稱「窮人的法拉利」,耐壓比MOSFET容易做高.相比於BJT,更少被二次擊穿而失效.常用於高壓（600V)應用領域.以及低端大功率（2000W)設備,如電磁爐、逆變器等.
BJT是最老的開關器件,目前由於國內仍有一批尚未淘汰的BJT生產線沒有停產,仍然活躍於低端市場.低壓BJT開關頻率可以較高,但由於飽和CE壓降高達0.4V以上而遠遜於MOSFET,只被用在最低端領域.高壓BJT驅動麻煩,需使用低壓大電流的電流源驅動,一般使用變壓器驅動.在驅動不當或電壓應力過大時容易發生二次擊穿而失效.適合中功率(50~1000W),對成本極度敏感的市場.
BJT有兩種驅動方式,一種是基極開關,一種是射極開關.射極開關的效率和開關速度都優於基極開關,是BJT應用的潮流.
答：MOSFET是穩定性最好的器件,不容易損壞.MOSFET常見的失效模式有：
柵極擊穿.即柵極和源極之間的絕緣層破壞.此時的MOSFET（此處均指增強型MOSFET）無法開啟.
封裝破裂.這是由瞬間高熱引起的.在瞬間產熱過大,散熱不良的情形下,樹脂封裝材料部分分解氣化並膨脹,把封裝撐裂.
漏源極之間擊穿.這是MOSFET最嚴重的一種失效模式,通常不易發生.發生後會導致短路而非斷路.會導致強電源灌進弱電部分,如輸入電壓直接進入控制晶元而燒毀很多控制電路.通常是持續溫度太高引起的（管芯溫度大面積超過200度持續工作時才可能發生)IGBT穩定性比MOSFET稍差,但仍強過BJT.除了MOSFET的失效模式外,還有二次擊穿的失效模式.
當IGBT持續超過安全工作區工作時,會出現還未大面積發熱就出現CE極擊穿的現象,這種擊穿稱為二次擊穿.IGBT出現二次擊穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出現.
BJT常見的失效模式有：
二次擊穿：最常見的失效模式,表現為晶元並未大面積發熱,但CE之間持續低阻.此時BJT已經損壞.如果是用在電源上沒有保護,則會進一步發展為整管熔毀.CB間絕緣破壞：比較少見,通常發生在整管熔毀時,或CB間承受的電壓高於VCBO時擊穿.
熱擊穿：在高溫下管子熱失效.通常不易發生,因二次擊穿發生更加容易,先發生二次擊穿.
MOSFET開關極快,而且是多子導電器件,沒有拖尾電流,損耗主要是開通時的輸出電容放電損耗.計算公式為:
Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,
V是MOSFET開通前一瞬間承受的電壓.
IGBT開關速度較快,沒有存儲時間,但存在拖尾電流.拖尾電流,就是在VCE已經升高的情況下,CE之間仍然有一股小電流流通一段時間,拖尾電流導致的電流--電壓交叉損耗構成了IGBT的主要損耗.
BJT開關速度慢,而且是少子器件,存在存儲時間.存儲時間就是基極電流已經切斷甚至反向,而集極和射極仍然保持完全導通的時間.在存儲時間後進入下降時間.下降時間是電壓、電流交叉的時間,交叉損耗發生在下降時間.低壓BJT由於β值高,下降時間比較短,存儲時間也可以通過肖特基箝位電路大幅減小,因此主要損耗在於導通損耗,開關損耗不太大.高壓BJT的存儲時間不容易通過箝位控制,下降時間也較長,主要損耗包括電流--電壓交叉損耗.
但必須注意,採用射極開關的BJT沒有存儲時間,下降時間也很短,開關損耗可以達到MOSFET的水準.
答：從損耗分析上來看,
MOSFET的主要損耗是輸出電容放電損耗,因此需要實現零電壓開通,即開通前一瞬間DS電壓為0.
電路形式有LLC半橋以及准方波諧振的變換器,如移相全橋ZVS,准諧振反激.
IGBT的主要損耗來自拖尾電流,因此需要實現零電流關斷,消除拖尾電流,即關斷前一瞬間CE電流為0.
電路形式有ZCS半橋、ZCS全橋.
BJT的主要損耗和IGBT相仿,主要在關斷時有電流--電壓交叉損耗,因此也應實行零電流關斷.
『叄』 這個電路圖的中文名字叫什麼
Flyback變換器，俗稱單端反激式DC－DC變換器，又稱為返馳式（Flyback）轉換器，或「Buck-Boost」轉換器，因其輸出端在原邊繞組斷開電源時獲得能量，因此得名。
這里用簡單的幾個元件盡然實現了：自激式電流饋電ZVS推挽拓撲。
電流饋電解決電壓饋電推挽電路的偏磁問題，ZVS提高了轉換效率而且對EMC也有好處，真是個巧妙的設計。
將這個電路改造一下很容易做成溫伯格電路（反激電流饋電推挽拓撲），就可以得到一個低成本；無偏磁；高效率；不錯的EMC；低紋波的電源。
這簡直就是一個特別適合汽車12V升壓hifi功放的電源。
零電壓開關(Zero Voltage Switch)
PWM開關電源按硬開關模式工作(開/關過程中電壓下降/上升和電流上升/下降波形有交疊)，因而開關損耗大。高頻化雖可以縮小體積重量，但開關損耗卻更大了。為此，必須研究開關電壓/電流波形不交疊的技術，即所謂零電壓開關(ZVS)/零電流開關(ZCS)技術，或稱軟開關技術，小功率軟開關電源效率可提高到80%~85%。20世紀70年代諧振開關電源奠定了軟開關技術的基礎。隨後新的軟開關技術不斷涌現，如准諧振(20世紀80年代中)全橋移相ZVS-PWM，恆頻ZVS-PWM/ZCS-PWM(上世紀80年代末)ZVS-PWM有源嵌位；ZVT-PWM/ZCT-PWM(20世紀90年代初)全橋移相ZV-ZCS-PWM(20世紀90年代中)等。我國已將最新軟開關技術應用於6kW通信電源中，效率達93%。
『肆』 IGBT做zvs電路圖
IGBT做出來的是零電源開關，不是zvs,但和zvs作用一樣
『伍』 全橋移相和全橋LLC的區別
1、移相全橋復：PWM控制，控制制電路簡單，主電路參數簡單，ZVS，不能實現ZCS
2、有源嵌位：目的是解決整流電路不能ZCS，損耗大，尖峰過高的問題，但是由於逆變和整流都要控制，控制電路相對較復雜
3、LLC：PFM控制，控制電路簡單，主電路參數設計較復雜，逆變ZVS，整流ZCS，由於調頻范圍受限，不能全量程輸出
個人認為：
控制電路設計復雜度：有源嵌位>LLC>移相
主電路設計復雜度：LLC>有源嵌位>移相
效率：LLC>有源嵌位>移相
輸出范圍：有源嵌位=移相>LLC
『陸』 高頻感應加熱電源中的串聯諧振電路中的電容起什麼作用
一般串聯電容是為了形成LC的振盪，再調整觸發信號的頻率形成諧振，也叫諧振電容。讓電路諧振起來可以做成軟開關，即ZVS或者ZCS。這樣開關管不用一直工作在硬關斷和硬開通區域，減少了開關損耗。
『柒』 scs/zcs-150d-znj中znj是什麼意思
汽車電路中的scs是指電子控制系統的集成，其內容包含：ABS-防抱死系統、CBC-轉向制動控制系統、EBD-電子制動力分配系統、MSR-加速防滑系統、TCS-牽引力控制系統、VSC-車輛穩定控制系統等等。
『捌』 zvs電路是什麼是輸出高壓還是輸出高頻率交流 zvs是什麼呢
ZVS是英文（Zero Voltage Switch）的首字母縮寫，表示零電壓開關(ZVS)技術，另外還有零電流開關(ZCS)技術，或統稱為軟開關技術。
這些技術是在電源變換電路（AC/DC、DC/DC、DC/AC等）中提高電源效率的一種手段，一般情況下，這種技術可以使得小功率開關電源效率提高到80%~85%。
『玖』 什麼叫軟開關 zvc與zcs有什麼不同
硬開關：
開關損耗大。開通時，開關器件的電流上升和電壓下降同時進行；關斷時，電壓上升和電流下降同時進行。電壓、電流波形的交疊產生了開關損耗，該損耗隨開關頻率的提高而急速增加。
2.感性關斷電尖峰大。當器件關斷時，電路的感性元件感應出尖峰電壓，開關頻率愈高，關斷愈快，該感應電壓愈高。此電壓加在開關器件兩端，易造成器件擊穿。
3.容性開通電流尖峰大。當開關器件在很高的電壓下開通時，儲存在開關器件結電容中的能量將以電流形式全部耗散在該器件內。頻率愈高，開通電流尖峰愈大，從而引起器件過熱損壞。另外，二極體由導通變為截止時存在反向恢復期，開關管在此期間內的開通動作，易產生很大的沖擊電流。頻率愈高，該沖擊電流愈大，對器件的安全運行造成危害。
4.電磁干擾嚴重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和dv/dt增大，從而導致電磁干擾（EMI）增大，影響整流器和周圍電子設備的工作。
軟開關：
上述問題嚴重阻礙了開關器件工作頻率的提高。近年來開展的軟開關技術研究為克服上述缺陷提供了一條有效的途徑。和硬開關工作不同，理想的軟關斷過程是電流先降到零，電壓在緩慢上升到斷態值，所以關斷損耗近似為零。由於器件關斷前電流已下降到零，解決了感性關斷問題。理想的軟開通過程是電壓先降到零，電流在緩慢上升到通態值，所以開通損耗近似為零，器件結電容的電壓亦為零，解決了容性開通問題。同時，開通時，二極體反向恢復過程已經結束，因此二極體方向恢復問題不存在。
『拾』 zvs電路到底是什麼發個電路圖看看！有什麼用
這個是軟開關技術的一種，叫零電壓開關，還有一種ZCS，叫零電流開關；零電壓開關的意思就是MOS或者IGBT在開通和關斷的時候其DS兩端的電壓為0；主要作用是減小MOS或IGBT開關損耗，減小MOS或者IGBT發熱量；網上有個小電路你可以看看；
http://forum.eepw.com.cn/thread/245105/1