mos門電路

⑴ 什麼是MOS保護

可以說保護板上的IC是檢測電池的電壓、電流的，如過電壓，過電流，低壓等，而MOS就相當於開關，保護IC+Mosfet可以實現的功能如下(四大保護): 過充保護,當電池芯的電壓超過設定值時,由保護IC切斷Mosfet管。等電芯電壓回歸到允許的電壓是,重新恢復Mosfet管的導通。過放保護,當電池芯的電壓降低得超過設定值時,由保護IC切斷Mosfet管。等電芯電壓回歸到允許的電壓時,重新恢復Mosfet管的導通。過流保護,當工作電流超出設定值時,由保護IC切斷Mosfet管。等工作電流回歸到允許的電壓是,重新恢復Mosfet管的導通。短路。其實這個功能是過流保護的擴展,當保護IC檢測電池輸出正負極之間電壓小於規定值時,認為此時電池處於短路狀態,立即切斷迴路。等短路的故障排除再恢復迴路。短路時電池的輸出正負極的電壓為零,而實際電芯的電壓還是正常的。

⑵ 這個MOS門電路圖怎麼理解

A,B兩個是或門，輸入A端，不輸入B端，另一種情況相反。然後你說的不一樣，是什麼不一樣，是沒有表示出S,D呢，還是沒有把B表示出來。

⑶ 邏輯門電路有哪些特性和參數,並給出參數的定義

主要有以下參數: 1、工作電源上下限 2、輸入高低電平上下限 3、輸出高低電平上下限 4、輸入阻抗 5、輸出阻抗。CMOS門電路由單極型MOS管構成的門電路稱為Mos門電路。MOS電路具有製造工藝簡單、功耗低、集成度高、電源電壓使用范圍寬、抗干擾能力強等優點，特別適用於大規模集成電路。MOS門電路按所用MOS管的不同可分為三種類型：第一種是由PMOS管構成的PMOS門電路，其工作速度較低；第二種是由NMOS管構成的NMOS門電路，工作速度比PMOS電路要高，但比不上TTL電路；第三種是由PMOS管和NMOS管兩種管子共同組成的互補型電路，稱為CMOS電路，CMOS電路的優點突出，其靜態功耗極低，抗干擾能力強，工作穩定可靠且開關速度也大大高於NMOS和PMOS電路，故得到了廣泛應用。MOS管主要參數1、開啟電壓VT·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2、直流輸入電阻RGS·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比·這一特性有時以流過柵極的柵流表示·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。3、漏源擊穿電壓BVDS·在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS·ID劇增的原因有下列兩個方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿，（2）漏源極間的穿通擊穿。

⑷ TTL門電路和MOS門電路

TTL是transistor-transistor
logic的縮寫，就是晶體管到晶體管邏輯電路的意思。
COMS是MOS管的，TTL就是晶體管的。

⑸ 怎麼用mos管構成與門和或門，還有大家都喜歡用與非門和或非門 為什麼

mos管構成與門、或門、與非門和或非門如下圖，從中可以看出，與門和或門由兩級電路構成，且用的器件較多，即影響速度又降低集成度，所以用與非門和或非門多。

1.與門：

⑹ 關於MOS管搭建門電路的問題。

對於NMOS，它是無法傳輸強1的。NMOS想要傳輸高電平，首先它要開啟，那麼柵源電壓一定要大於VTN，也就是說在這個或門電路中，NMOS的源端作為輸出，它無法高於柵的電壓。樓主這里輸入信號用的1.8V吧，當輸入V1、V2是10或者01的時候，上面的NMOS網路只有一隻管子導通，下面的P網路一隻開啟另外一隻截止，對於上面的N網路，導通的這只單管，它的源端的輸出無法高於1.8-VTN。所以10和01的時候輸出在1.4V左右。輸入為11時，按道理達不到1.8V啊，如果是1.8v,2個NMOS早就關閉了，溝道不會形成反型層（這時候襯偏也是1.8V呢，閾值電壓會比VTN0大的），但是波形上怎麼會是1.8V？樓主查一下你用的工藝庫文件吧，看看具體的參數。對於11輸入我感覺，這幾只MOS管沒有工作在正常的開關狀態啊。樓主可以把MOS的其它端子也測一下，看看波形的變化。至於毛刺，當信號從01到10改變的時候，上面的那隻PMOS由關斷到開啟，而下面的PMOS從開啟到關斷，這樣就相當於多了一個懸空節點，而這個懸空節點需要充電（給節點電容充電），也就是說上面那個PMOS有短暫的電流流過，這會對輸出造成影響。當兩個輸入為00的時候，輸出不為零，因為PMOS不能傳輸強0，PMOS要開啟，那麼PMOS源端的電壓一定要比柵端高一個閾值最少，所以輸出低電平最少為VTP的絕對值。一般電路沒有這么應用的，都是P在上N在下，樓主要真想用或門，在或非門後面接一個反相器，才兩只管子嘛，既能達到全擺幅又能增加電路的驅動能力~~

⑺ 寫出MOS門電路L輸出的布爾邏輯代數式

如果上方是正電源，下方的地的話，通常的電路構成是 P管在上方，N管在下方；
因此，估計你的電路圖還是畫錯了吧

⑻ 當MOS門電路輸入端通過電阻（不論電阻阻值為多少）接到VDD時，其邏輯狀態相當於什麼當MOS門電

當MOS門電路輸入端通過電阻（不論電阻阻值為多少）接到VDD時，其邏輯狀態相當於1.或叫高電平
當MOS門電路輸入端通過電阻（電阻阻值有一定限制）接到地時，其邏輯狀態相當於
0或叫低電平

⑼ 邏輯門電路的詳細介紹

CMOS門電路
由單極型MOS管構成的門電路稱為Mos門電路。MOS電路具有製造工藝簡單、功耗低、集成度高、電源電壓使用范圍寬、抗干擾能力強等優點，特別適用於大規模集成電路。MOS門電路按所用MOS管的不同可分為三種類型：第一種是由PMOS管構成的PMOS門電路，其工作速度較低；第二種是由NMOS管構成的NMOS門電路，工作速度比PMOS電路要高，但比不上TTL電路；第三種是由PMOS管和NMOS管兩種管子共同組成的互補型電路，稱為CMOS電路，CMOS電路的優點突出，其靜態功耗極低，抗干擾能力強，工作穩定可靠且開關速度也大大高於NMOS和PMOS電路，故得到了廣泛應用。
MOS管主要參數
1、開啟電壓VT
·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、直流輸入電阻RGS
·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
·這一特性有時以流過柵極的柵流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3、漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿，（2）漏源極間的穿通擊穿。
·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID4、柵源擊穿電壓BVGS
·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5、低頻跨導gm
·在VDS為某一固定數值的條件下，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
·是表徵MOS管放大能力的一個重要參數
·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內
6、導通電阻RON
·導通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
·在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由於在數字電路中，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似
·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內
7、極間電容
·三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
·CGS和CGD約為1～3pF
·CDS約在0.1～1pF之間
8、低頻雜訊系數NF
·雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的
·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
·雜訊性能的大小通常用雜訊系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）
·這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小
·低頻雜訊系數是在低頻范圍內測出的雜訊系數
·場效應管的雜訊系數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
CMOS反相器
CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之後，所開發出的第二種廣泛應用的數字集成器件，從發展趨勢來看，由於製造工藝的改進，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為佔主導地位的邏輯器件。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠優於TTL。此外，幾乎所有的超大規模存儲器件，以及PLD器件都採用CMOS藝製造，且費用較低。早期生產的CMOS門電路為4000系列，隨後發展為4000B系列。當前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補MOS或CMOS電路。CMOS反相器電路，由兩只增強型MOSFET組成，其中一個為N溝道結構，另一個為P溝道結構。為了電路能正常工作，要求電源電壓VDD大於兩個管子的開啟電壓的絕對值之和，即VDD>(VTN+|VTP|)。
CMOS門電路
1、與非門電路：包括兩個串聯的N溝道增強型MOS管和兩個並聯的P溝道增強型MOS管。每個輸入端連到一個N溝道和一個P溝道MOS管的柵極。當輸入端A、B中只要有一個為低電平時，就會使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導通，輸出為高電平；僅當A、B全為高電平時，才會使兩個串聯的NMOS管都導通，使兩個並聯的PMOS管都截止，輸出為低電平。因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即n個輸入端的與非門必須有n個NMOS管串聯和n個PMOS管並聯。
2.或非門電路：包括兩個並聯的N溝道增強型MOS管和兩個串聯的P溝道增強型MOS管。當輸入端A、B中只要有一個為高電平時，就會使與它相連的NMOS管導通，與它相連的PMOS管截止，輸出為低電平；僅當A、B全為低電平時，兩個並聯NMOS管都截止，兩個串聯的PMOS管都導通，輸出為高電平。因此，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達式為。顯然，n個輸入端的或非門必須有n個NMOS管並聯和n個PMOS管並聯。比較CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯的，其輸出電壓隨管子個數的增加而增加；或非門則相反，工作管彼此並聯，對輸出電壓不致有明顯的影響。因而或非門用得較多。
3、異或門電路：它由一級或非門和一級與或非門組成。或非門的輸出。而與或非門的輸出L即為輸入A、B的異或如在異或門的後面增加一級反相器就構成異或非門，由於具有的功能，因而稱為同或門。
CMOS傳輸門
MOSFET的輸出特性在原點附近呈線性對稱關系，因而它們常用作模擬開關。模擬開關廣泛地用於取樣——保持電路、斬波電路、模數和數模轉換電路等。下面著重介紹CMOS傳輸門。所謂傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號的模擬開關。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOSFET並聯而成，如上圖所示。TP和TN是結構對稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。設它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號的變化范圍為-5V到+5V。為使襯底與漏源極之間的PN結任何時刻都不致正偏，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接-5V電壓。兩管的柵極由互補的信號電壓（+5V和-5V）來控制，分別用C和表示。傳輸門的工作情況如下：當C端接低電壓-5V時TN的柵壓即為-5V，vI取-5V到+5V范圍內的任意值時，TN均不導通。同時、TP的柵壓為+5V，TP亦不導通。可見，當C端接低電壓時，開關是斷開的。為使開關接通，可將C端接高電壓+5V。此時TN的柵壓為+5V，vI在-5V到+3V的范圍內，TN導通。同時TP的棚壓為-5V，vI在-3V到+5V的范圍內TP將導通。由上分析可知，當vI<-3V時，僅有TN導通，而當vI>+3V時，僅有TP導通當vI在-3V到+3V的范圍內，TN和TP兩管均導通。進一步分析還可看到，一管導通的程度愈深，另一管的導通程度則相應地減小。換句話說，當一管的導通電阻減小，則另一管的導通電阻就增加。由於兩管系並聯運行，可近似地認為開關的導通電阻近似為一常數。這是CMOS傳輸門的優點。在正常工作時，模擬開關的導通電阻值約為數百歐，當它與輸入阻抗為兆歐級的運放串接時。可以忽略不計。CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號的開關之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。