場效應管驅動電路圖

1. 這樣的電路可以驅動場效應管柵極嗎

不可以，關鍵是Q2Q4集電極沒有形成電流迴路而不能工作；
或需要在兩個三極體上並聯電阻，作為集電極電阻；

2. 場效應管5V驅動12V直流電機問題

模擬是沒問題的，但實際使用中會有很多問題：
由於電機是電感性負載，必須在其兩端加續流二極體（負極接電機上端，正極接電機下端），而且電流要足夠，否則在MOS管關斷時電機產生的感應電壓會擊穿MOS管。
5V控制電壓過低，MOS管可能不完全導通，會造成MOS管過熱損壞；一般這個電壓可選在10-12V左右。此電路中可以用5V控制信號通過三極體或運放電路等把12V電壓加到G極來控制MOS的導通。
至於電機功率，要看你MOS管的散熱條件，條件足夠好的話，控制到20-30A的電流沒問題。

3. 用場效應管作調整管做穩壓電路驅動直流電機，但又要是能控制停止和啟動的開關

用功率三極體S8050，若用MOS管的話就用功率場效應管IR2104S ，可以做成H橋式

4. 四個場效應管驅動電機誰給我個電路圖

四個場效應管驅動一個電機共有兩種電路、其中上圖是直流電機正反轉控制電路。只要將圖中1和1、0和0對角兩個基極並連後引出兩條控制線,分別輸入0(接地)和1(10V)就可以控制直流電機正/反轉。

另外一種是五線二相步進電機底邊驅動電路,不知你要的那一種

5. 如圖是功率場效應管的驅動電路，如果用在高邊驅動該怎麼改動啊

採用「自舉」的方法提升門極電壓，使之達到400V+Vcc的數值。
但是驅動模塊本身耐壓必須達到這個數值，用分立元件自己搭接很不方便，建議選用現成電路如IR2110集成塊，就是專門實現你這樣要求的。

6. 這比較器電路驅動場效管電路圖對嗎

1）電路圖中沒有場效應管；
2）比較電路中，並沒有固定的基準電壓作為參照，你的比較器功能是什麼；

7. 場效應管和可控硅驅動電路一樣嗎

<p>他們的驅動電路是有本質上的區別，首先場效應管通常分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其中絕緣柵型場效應管也叫MOS管（有一種場效應管、三極體混合的器件叫IGBT俗稱門控管，該器件的驅動電路與場效應管的驅動電路幾乎一樣），這種驅動屬於電壓驅動，在大多應用在功率輸出、電力變換等場合，要求最好採用PWM（脈寬調制）信號來控制，其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭（也稱圖騰柱輸出），並且要有一定的瞬態驅動能力（因為場效應管的柵極等效一個電容，當驅動信號的瞬態功率不夠時，其原本的波形將被改變，通常等效為一個積分器），要求導通時，其柵極電壓要相對於源極高10-20V左右，典型值15V，而關斷時為了保證場效應管關斷可靠，該電壓此時應該為-15V，在實際應用中為了減小場效應管的功耗過大或防止其損壞一般要加如過流保護和相關吸收電路，並且盡量做到場效應管的工作頻率與負載的諧振頻率相同，典型應用就是電磁爐，流過爐盤（加熱線圈）的電流與流過吸收電容的電流各自雖然都很大，但相位不同，互相抵消，經疊加後的總電流較小，即流過場效應管（實際用IGBT）的電流較小。下圖為場效應管的典型驅動電路：</p>
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<p>而可控硅屬電流驅動，因為他等效於兩個三極體構成正反饋放大，當有一個觸發信號後，由於強大的正反饋作用，使之一直導通，當柵極電壓高於陽極電壓或者陽極、陰極電壓差小於一定數值時正反饋才會失效，即可控硅被復位，一般情況下，其柵極電壓不會高於陽極，所以可控硅屬於不可關斷的半控器件，當觸發導通時無法通過柵極關斷，而場效應管屬全控器件可以通過柵極關斷。下圖為可控硅結構及其典型驅動電路：</p>
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8. 場效應管驅動電路和發熱的問題

燙不燙不僅要看電流，還要看ds極間電壓，如果負載很重（就是導通時電阻比較小），那麼場效應管ds極間電壓較高，肯定發熱，建議重新檢查電路，交流220整流濾波後可達300V，不知你的負載需要多少伏，可再連通電路測下負載和場效應管的電壓,還有，不知你濾波沒，濾波電容容量不夠也可能造成場效應管發熱