igbt驅動電路

⑴ 求一個IGBT的驅動電路 用51單片機控制IGBT的開啟與關斷 求電路圖

單片機控制大功率器件電路隔離這一塊比較重要
我推薦你使用網路搜索「IGBT驅動回電路」看看網上常用的答做法，神州直接使用DC-DC模塊隔離。
這種電路自己去做一般都是比較麻煩的。如果可以的話，我推薦淘寶購一個單片機驅動IGBT的模塊或者對應的晶元。

⑵ igbt驅動電路的種類

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關於IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。
IGBT 的開關特性主要取決於IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。由於門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實際開關中存在的米勒效應（Miller 效應）在測量中也沒有被包括在內，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中僅僅只能作為一個參考值使用。
確定IGBT 的門極電荷
對於設計一個驅動器來說，最重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那麼我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]
門極驅動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW
驅動器總功率 P = PG + PS（驅動器的功耗）
平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW
最高開關頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)
峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min
其中的 RG min = RG extern + RG intern
fsw max. : 最高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 晶元內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候最好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconctor devices -
Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
所給出的測試方法測量出開通能量E，然後再計算出QG。
E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE
這種方法雖然准確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手
冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：
如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那麼可以近似的認為Cin=4.5Cies，
門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5
Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）
如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那麼可以近似的認為Cin=2.2Cies，
門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2
Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）
如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線，那麼只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：
門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5
-- 適用於Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT
門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2
-- 適用於Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT
當為各個應用選擇IGBT驅動器時，必須考慮下列細節：
· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的最大平均輸出電流必須大於計算值。
· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大於等於計算得到的最大峰值電流。
· 驅動器的最大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數據表中，給出了每脈沖的最大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。
另外在IGBT驅動器選擇中還應該注意的參數包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。

⑶ IGBT驅動電路分析

只要VCC和VEE的電壓正確就不用擔心A314J的VO端子輸出電壓不足（但事實上這個電路中VEE電壓是版0V）。C18 C19 是VCC和VEE的儲能電權容，D3 D4 是限制輸出電壓不高於VCC和不低於VEE的，R16 是驅動導通Q6 的限流電阻（阻值是根據IGBT的GE結電容大小和盲區時間來設定的），D7 是為了能迅速防掉IGBT的GE結電容中的電荷強制控制IGBT快速關斷。C22 R20是用來抑制關斷速度過快使IGBT內部寄生電感釋放出極高的尖峰電壓的。

⑷ IGBT的驅動電路有什麼特點

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

輸出特性與轉移特性：
IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變數時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小於開啟電壓VGE(th)時，IGBT處於關斷狀態。在IGBT導通後的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。
IGBT與MOSFET的對比：
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。
特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介於MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作於幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。
若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

⑸ 誰明白這個互補推挽式IGBT驅動電路原理。

IGBT沒有P溝道，准互補做不出來，要做指能做准互補，我看了IGBT的伏安特性，IGBT管有放大區，說明可以做功放，但由於沒有P溝道配對，只能做變壓器推挽電路，或是甲類電路

⑹ IGBT驅動電路如何和IGBT實物進行接線

安裝步驟：

(6)igbt驅動電路擴展閱讀：

gbt接線注意事項：

1、柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿，IGBT在包裝時將G極和E極之問有導電泡沫塑料，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸G極，直到 G極管腳進行永久性連接後，方可將G極和E極之間的短接線拆除。

2、在大功率的逆變器中，不僅上橋臂的開關管要採用各自獨立的隔離電源，下橋臂的開關管也要採用各自獨立的隔離電源，以避免迴路雜訊，各路隔離電源要達到一定的絕緣等級要求。

3、在連接IGBT 電極端子時，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應用，以免電極端子發熱在模塊上產生過熱。控制信號線和驅動電源線要離遠些，盡量垂直，不要平行放置。

4、光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應盡量短，最好不要超過3cm。

5、驅動信號隔離要用高共模抑制比（ CMR）的高速光耦合器，要求 tp《0.8μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250 等。

6、IGBT模塊驅動端子上的黑色套管是防靜電導電管，用接插件引線時，取下套管應立即插上引線；或採用焊接引線時先焊接再剪斷套管。

⑺ IGBT驅動電路分析

只要VCC和VEE的電壓正確就不用擔心A314J的VO端子輸出電壓不足（但事實上這個電迴路中VEE電壓是0V）。答C18
C19
是VCC和VEE的儲能電容，D3
D4
是限制輸出電壓不高於VCC和不低於VEE的，R16
是驅動導通Q6
的限流電阻（阻值是根據IGBT的GE結電容大小和盲區時間來設定的），D7
是為了能迅速防掉IGBT的GE結電容中的電荷強制控制IGBT快速關斷。C22
R20是用來抑制關斷速度過快使IGBT內部寄生電感釋放出極高的尖峰電壓的。

⑻ igbt驅動電路的要求

對於大功率IGBT，選擇驅動電路基於以下的參數要求：器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中，還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發等問題(見表1)。
表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系
由於IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。
1)向IGBT提供適當的正向柵壓。並且在IGBT導通後。柵極驅動電路提供給IGBT的驅動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處於飽和狀態。瞬時過載時，柵極驅動電路提供的驅動功率要足以保證IGBT不退出飽和區。IGBT導通後的管壓降與所加柵源電壓有關，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS儺就越低，器件的導通損耗就越小，這有利於充分發揮管子的工作能力。但是， VGE並非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。
2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間，由於電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產生一些高頻振盪信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處於微通狀態，增加管子的功耗。重則將使調壓電路處於短路直通狀態。因此，最好給處於截止狀態的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現開關雜訊時仍能可靠截止。
3)具有柵極電壓限幅電路，保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅動信號超出此范圍就可能破壞柵極。
4)由於IGBT多用於高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅動電路應與整個控制電路在電位上嚴格隔離，一般採用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。
5)IGBT的柵極驅動電路應盡可能的簡單、實用。應具有IGBT的完整保護功能，很強的抗干擾能力，且輸出阻抗應盡可能的低。

⑼ IGBT驅動電路如何和IGBT實物進行接線

IGBT我記得好像不大清楚了，以下僅供參考：你這個實物IGBT實際上是集成了兩個IGBT了，可以版理解權為兩個IGBT串聯起來了，所以有兩個驅動介面，驅動電路驅動的實際上是IGBT的G和E，至於那個C極在三個大電極取一個，C極連接的其實是過電流保護。具體要看IGBT的使用說明書，上面有數字序號標注和電路圖

⑽ 對IGBT驅動電路有什麼要求

IGBT對驅動電路的要求：
(1)提供適當的正反向電壓,使IGBT能可靠地開通和關斷。當正偏壓增大時IGBT通態壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負偏電壓可防止由於關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通,一般選UGE=-5V為宜。
(2)IGBT的開關時間應綜合考慮。快速開通和關斷有利於提高工作頻率,減小開關損耗。但在大電感負載下,IGBT的開頻率不宜過大,因為高速開斷和關斷會產生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。
(3)IGBT開通後,驅動電路應提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。
(4)IGBT驅動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利於抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關時間和開關損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導通或損壞。RG的具體數據與驅動電路的結構及IGBT的容量有關,一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。
(5)驅動電路應具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、 驅動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配,另外,在未採取適當的防靜電措施情況下,G—E斷不能開路。