集成電路製造

① 微電子技術（集成電路設計與製造）主要從事什麼工作，就業前景怎樣

微電子專業就業大體上分為兩類：
1 集成電路設計
這一類主要使用eda工具，完成具體產品設計。可以細化為下列職位：
1.1 數字前端設計；
1.2 數字後端設計；
1.3 模擬集成電路設計；
1.4 庫單元設計。
2 半導體製造工藝
這類偏向於科研，目標是新工藝的研發。
兩類就業前景都很不錯，但是集成電路行業入行要求較高，一般需要較高學歷，相應的待遇也不錯。

② 集成電路是怎樣製造出來

集成電路是制復造過製程：
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。

③ 為何集成電路的製造用光刻而不用電子刻

哪個告訴你，集成電路的製造不用電子刻。

現在製造晶元的流程中，刻蝕就有光回刻和電子束刻蝕好吧。而答且電子束波長極短，跟光刻相比解析度要好很多。只不過電子束刻蝕速度極慢，而且設備昂貴，沒辦法量產而已。又不是真的不用。

④ 集成電路製造過程

集成電路或稱微電路、微晶元晶片/晶元（在電子學中是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。半導體集成電路工藝，包括以下步驟，並重復使用：

1. 光刻

2. 刻蝕

3. 薄膜(化學氣相沉積或物理氣相沉積）

4. 摻雜（熱擴散或離子注入）

5. 化學機械平坦化CMP

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然後使用光刻、摻雜、CMP等技術製成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術製成導線，如此便完成晶元製作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化製成、金屬化製成。

IC由很多重疊的層組成，每層由影像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪裡不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪裡額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。

1. 在一個自排列（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴散層的地方形成晶體管。

2. 電阻結構，電阻結構的長寬比，結合表面電阻系數，決定電阻。

3. 電容結構，由於尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。

4. 更為少見的電感結構，可以製作晶元載電感或由迴旋器模擬。

因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多，也是現在主流的組件。透過電路的設計，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。

隨機存取存儲器是最常見類型的集成電路，所以密度最高的設備是存儲器，但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結構非常復雜－幾十年來晶元寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的製作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層，因為他們太大了。高頻光子（通常是紫外線）被用來創造每層的圖案。因為每個特徵都非常小，對於一個正在調試製造過程的過程工程師來說，電子顯微鏡是必要工具。

在使用自動測試設備（ATE）包裝前，每個設備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為晶片（「die」）。每個好的die被焊在「pads」上的鋁線或金線，連接到封裝內，pads通常在die的邊上。封裝之後，設備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進行終檢。測試成本可以達到低成本產品的製造成本的25％，但是對於低產出，大型和/或高成本的設備，可以忽略不計。

⑤ 求一份集成電路製造工藝的主要流程

Chapter 2
IC 生產流程與測試系統
1
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
2 IC 生產流程與測試系統
2.1 IC 生產流程簡介
你想知道精密的IC 晶元是如何從粗糙的硅礦石中誕生的嗎？本節將為您揭開IC 製造的神秘面紗。
你知道嗎？製造一塊IC 晶元通常需要400 到500 道工序。但是概括起來說，它一般分為兩大部分：前道
工序（front-end proction）和後道工序（back-end proction）。
[1] 前道工序
該過程包括：
(1) 將粗糙的硅礦石轉變成高純度的單晶硅。
(2) 在wafer 上製造各種IC 元件。
(3) 測試wafer 上的IC 晶元
[2] 後道工序
該過程包括：
(1) 對wafer 劃片（進行切割）
(2) 對IC 晶元進行封裝和測試
在製造過程中有數道測試步驟。其中，在前道工序中對IC 進行的測試，我們把它叫做wafer 測試。在後
道工序過程中對封裝後的IC 晶元進行的測試，我們稱之為封裝測試。在有些情況下，wafer 測試也被放
在後道工序中，但在本文里，我們把wafer 測試歸為前道測試。
半導體基礎知識
2
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
♦ADVANTEST
前道生產流程：
<1> 硅棒的拉伸
將多晶硅熔解在石英爐中，然後依靠
一根石英棒慢慢的拉出純凈的單晶硅棒。
晶種
單晶硅
加熱器
石英爐
熔融的硅
金剛石刀
單晶硅
拋光劑
Wafer
氣體
加熱器
Wafer
石英爐
<2> 切割單晶硅棒
用金剛石刀把單晶硅棒切成一定的厚度
形成WAFER。
<3> 拋光WAFER
WAFER 的表面被拋光成鏡面。
<4> 氧化WAFER 表面
WAFER 放在900 度——1100 度的氧化
爐中，並通入純凈的氧氣，在WAFER 表面
形成氧化硅。
Chapter 2
IC 生產流程與測試系統
3
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
滴上光刻膠
電極
電極
真空泵
反應氣體
Wafer
Wafer
拋光板
研磨劑
光學掩模板
鏡片
Wafer
移位
重復<5> 到<9>，在
WAFER 上形成所需的
各類器件
<5> 覆上光刻膠
通過旋轉離心力，均勻地在WAFER
表面覆上一層光刻膠。
<6> 在WAFER 表面形成圖案
通過光學掩模板和曝光技術在
WAFER 表面形成圖案。
<7> 蝕刻
使用蝕刻來移除相應的氧化層。
<8> 氧化、擴散、CVD 和注入離子
對WAFER 注入離子（磷、硼），然
後進行高溫擴散，形成各種集成器件。
<9> 磨平（CMP）
將WAFER 表面磨平。
半導體基礎知識
4
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
♦ADVANTEST
正極
負極
Wafer
進氣
出氣
晶元
Wafer
探針卡
信號
使用ADVANTEST 的
T6573 測試系統
<10> 形成電極
把鋁注入WAFER 表面的相應位置，
形成電極。
<11>WAFER 測試
對WAFER 進行測
試，把不合格的晶元
標記出來。
Chapter 2
IC 生產流程與測試系統
5
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
後道生產流程：（對WAFER 測試合格的晶元進行下面的處理）
􀀀Ε 􀀀Ε 􀀀Ε􀀀Ε 􀀀Ε 􀀀Ε
􀀀Ε􀀀Ε􀀀Ε􀀀Ε􀀀Ε
􀀀Ε 􀀀Ε􀀀Ε􀀀Ε
􀀀Ε 􀀀Ε
金剛石刀
Wafer
晶元
Frame
晶元
連線
晶元Frame
樹脂
<12> 切割WAFER
把晶元從WAFER 上切割下來。
<13> 固定晶元
把晶元安置在特定的FRAME 上
切割機切割
Lead Frame
<14> 連接管腳
用25 微米的純金線將晶元和FRAME
上的引腳連接起來。
<15> 封裝
用陶瓷或樹脂對晶元進行封裝。
半導體基礎知識
6
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
♦ADVANTEST
2.2 前道工序中的測試及設備
在前道工序完成前要對wafer 進行前道測試，這樣做可以避免對不合格的IC 晶元進行封裝，從而減少不
必要的浪費，減少生產成本。
T665510
鏡片
激光
晶元
測試socket
信號
Performance board
晶元
老化板
晶元
引腳
<16> 修正和定型（分離和鑄型）
把晶元和FRAME 導線分離，使芯
片外部的導線形成一定的形狀。
<17> 老化（溫度電壓）測試
在提高環境溫度和晶元工作電壓的情
況下模擬晶元的老化過程，以去除發
生早期故障的產品
老化機老化板
<18> 成品檢測及可靠性測試
進行電氣特性檢測以去除不合格的晶元
成品檢測：
電氣特性檢測及外觀檢查
可靠性檢測：
實際工作環境中的測試、長期工作的壽
命測試
<19> 標記
在晶元上用激光打上產品名。
完整的封裝
Chapter 2
IC 生產流程與測試系統
7
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
下面，將向大家介紹一下前道測試中需要使用的設備：
(1) 測試系統（test system）：測試系統生成測試IC 時所需的各種信號，並且檢測IC 的輸出信號。根
據檢測的結果，測試系統判斷所測的IC 是否合格，並將測試的結果傳輸給wafer prober。
(2) Wafer prober：wafer prober 將wafer 從工作台上移送到測試頭下面，並將探針卡上的針腳壓在IC
晶元上，形成良好的電氣接觸。Wafer prober 還要根據測試系統的測試結果，給不合格的IC 打上墨
印。
(3) 探針卡（probe card）：探針卡負責測試系統與IC 晶元之間的電氣連接。在探針卡上有很多的探針
（needle）。測試時，這些探針被壓到IC 晶元的電極板上，從而完成與IC 晶元的電氣連接。
早期的探針是幾厘米長的鎢質探針。但是這種鎢質探針因為自身的電氣特性，無法應用在信號頻率
高於60MHz 的場合，也無法應付narrow pitched pad。
之後推出的新型探針卡上的探針已經解決了上述的限制，完全可以滿足當今設備的測試需求。
再接下來，將向大家介紹一下memory 器件在wafer 測試中的修復：
在高密度內存單元的製造過程中，通常會額外地再造一些備用的內存單元。這樣，在測試中如果發現某
些內存單元不合格，就可以用備用的內存單元進行替換，從而提高良品率。
在wafer 測試中，需要對不合格的IC 晶元進行分析，以判別如何使用備用的內存單元來修復這些晶元。
這種分析稱為修復分析，分析的演算法稱為修復演算法。
經過修復演算法分析後，如果IC 晶元不能修復，就歸為廢品，如果可以修復，就使用激光修復器對電路重
新連接，用備用內存單元條替換已損壞的內存單元。修復後的IC 晶元需要重新進行測試。只有通過測試
後，wafer 測試才算結束。
最後，讓我們再看一下wafer 測試分析：
將wafer 測試的結果根據晶元的位置坐標顯示出來，就可以形成一張wafer 的映射圖。通過該圖，可以
看到次品晶元的分布趨勢。良品/ 次品的分類也可以依靠映射圖中的數據進行，而無須使用墨印器。對
於內存設備來說，還能夠顯示每一個不合格的比特的空間分布。次品的錯誤模式以及其他的分析數據對
於減少次品率大有益處。
剔除廢品IC 的方法：
1 ．使用墨印器（Inker）給不合格的IC 晶元上打上墨印。在後道工序中，
在劃片的時候丟棄被打上墨印的IC
2 ．也可以不用墨印器，而直接記錄下出問題的IC 晶元在wafer 上的坐
標。在後道工序中（切割wafer 時）根據該坐標丟棄IC。
小知識
內存單元：
內存單元是用來保存數據（0 或1）的電路單元。
一個最簡單的內存單元是由一對晶體管和一個電容組成的。例如，擁有
64Mbit 容量的內存設備中有64,000,000 個內存單元。
MRA：
在ADVANTEST，我們使用MRA （memory repair analyzer，即內存修復分析
器）來進行高速的分析並獲得修復方案。即，如何用備用單元條來替換有問
題的單元。
小知識
半導體基礎知識
8
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •
♦ADVANTEST
Fig.2-1 由WFBMAP3 顯示的wafer fail bit map
2.3 封裝測試/ 最終測試
在完成封裝測試的過程中，我們要用到的測試系統和HANDLER。
剛剛我們提到了存放IC 晶元的托盤，下面我們來介紹一下。
WFBMAP3
WFBMAP3 （wafer fail bit map）是一個ADVANTEST 為內存測試提供的軟
件。Wafer map 與wafer fail bit map 這兩個軟體都能顯示wafer 上晶元
的測試結果，但是只有wafer fail bit map 能夠顯示內存晶元中每一個內
存單元的測試結果。
小知識
測試系統到底做些什麼？
答：測試系統會向所測試的IC 加上信號，然後從IC 的輸出端接受IC 的輸
出信號，以判斷該IC 晶元是否合格。
HANDLER 到底是什麼？
答：HANDLER 即是機械手，它把所要測試的IC 晶元從托盤里移至測試平台
上。在測試結束後，它通過接受信號，把合格與不合格的IC 晶元移至相應
的平台 。HANDLER 還能根據測試要求對IC 晶元進行加熱和冷卻。
小知識
TRAY （托盤）是什麼？
答：通常在使用HANDLER 把晶元放在一個TRAY 中，對於各種不同形狀的
IC，我們相對有不同的TRAY。在測試台，HANGLER 根據P/F 把IC 放在兩個
不同的TRAY 中。
小知識

⑥ 集成電路製造包括哪些工藝

工藝阿，主要就是焊接吧，印刷電路板是單獨作的，上面元件用布線機自動裝，然後就剩焊接了

⑦ 如何製作簡易集成電路

製作簡易集成電來路的方法：
1、根據自源己的電路功能要求，用verilog編寫程序。編寫完成後導入quartus軟體，編譯、綜合後進行電氣規則驗證、晶元面積驗證等各種驗證，如果不合適就修改程序重新驗證，如果通過了就輸出電子元件表。
2、把1的結果導入布局布線的相關軟體，在其中進行布局布線，並進行各種驗證，通過後輸出相應的掩膜文件表。
3、把2中的掩膜文件表交給集成電路晶元製造工廠，由工廠進行製造即可。

集成電路是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。

⑧ 集成電路生產企業怎麼認定

根據國家發展改革委、信息產業部、稅務總局和海關總署聯合頒布的《國家鼓勵的集成電路企業認定管理辦法（試行）》的規定，集成電路企業，是指在中國境內（不含香港、澳門、台灣）依法設立的從事集成電路晶元製造、封裝、測試以及6英寸（含）以上硅單晶材料生產的具有獨立法人資格的組織，不包括集成電路設計企業。

一、認定機構

（一）國家發展和改革委員會、信息產業部、國家稅務總局和海關總署為集成電路企業認定主管部門（以下簡稱主管部門），負責全國集成電路企業的認定管理工作，其職責是：
1、組織集成電路企業認定機構（以下簡稱認定機構）開展認定工作；
2、監督檢查全國集成電路企業的認定工作，審核批准認定結果；
3、受理對認定結果、年審結果以及有關認定決定的異議申訴。

（二）主管部門共同委託中國半導體行業協會為集成電路企業認定機構，負責集成電路企業認定和年審工作。其職責是：
1、受理集成電路企業認定申請；
2、具體組織集成電路企業認定工作，提出認定意見；
3、負責集成電路企業年度審查，並將結果報主管部門備案。

二、申請條件

申請認定的集成電路企業須滿足下列條件：

（一）是依法成立的從事集成電路晶元製造、封裝、測試以及6英寸（含）以上硅單晶材料生產的法人單位；

（二）具有與集成電路產品生產相適應的生產經營場所、軟硬體設施和人員等基本條件，其生產過程符合集成電路產品生產的基本流程、管理規范，具有保證產品生產的手段與能力；

（三）自產（含代工）集成電路產品銷售收入占企業當年總收入的60％以上（新建企業除外）；

（四）企業主管稅務機關認定企業無惡意欠稅或偷稅騙稅等違法行為。

三、認定程序

（一）由企業向認定機構提出申請，依照有關要求提供相關資料，提交的資料及其內容必須真實有效。

（二）認定機構應依照相關實施細則進行審理，並於15個工作日內向主管部門提出認定意見及相關資料，主管部門於45個工作日內聯合發文確定或將否定意見告認定機構。

（三）認定結果在認定機構的網站及有關媒體上發布，接受社會監督。

（四）國家對認定的集成電路企業實行年度審查制度。企業按規定的時限向認定機構提交年度審查報告，逾期未報的企業視為自動放棄認定資格。認定機構出具年審意見報主管部門備案，年審不合格的集成電路企業，其認定資格自下一年度起取消。

⑨ 集成電路發展史

個人閑來無事是寫的，現粘貼如下：
首先有集成電路這一想法的是英國科學家Dummer，那是在1952年，在皇家信號和雷達機構的一個電子元器件會議上他說：「隨著晶體管的出現和對半導體的全面研究，現在似乎可以想像，未來電子設備是一種沒有連接線的固體組件。」當然，那時還沒有「集成電路」這一名詞。然而，集成電路的真正發明卻是在美國，是在6年之後的1958年（也有人認為是1959年，具體原因接下來解釋）。
1958年9月12日，TI的Kilby發明了世界首塊集成電路，這是一個相移振盪器，集成了2個晶體管、2個電容和8個電阻——共12個元器件，該發明與1959年2月6日申請專利，1964年6月26日被批准。而到了1959年，Fairchild的Noyce發明了基於硅平面工藝的集成電路，1959年7月30日，Noyce為自己的發明申請了專利，1961年4月26日被批准。雖然Noyce比Kilby發明集成電路和申請專利在後，但批准在前，而且Noyce發明的集成電路更適合於大批量生產，所以會有一些人在關於誰先發明了集成電路的問題上產生了分歧。其實Kilby和Noyce被認為是集成電路共同的發明人，問題在於1958和1959不能被認為是共同的發明時間，而必須是其中的一個，我習慣於把它說成是1958年。
而到了1968年，Noyce和Moore以及Fairchild的其他一些雇員成立了Intel，1971年便生產出了世界首枚CPU——集成了2300個晶體管的4004，緊接著，次年8008，再次年8080……盡管CPU誕生於1971年，然而它被推向市場，換句話說就是普通平民可以買到是1981年的事。那是1981年的8月12日，IBM推出型號為IBM5150的計算機，這是最早的PC，CPU採用Intel的8088（1979年發明），系統採用Microsoft的DOS，內存16K，再配一個5.25英寸的軟碟機，售價1565美元。但你知道，當時的1565美元跟現在的1565美元不一樣，那時錢實啊，按照今天的物價指數，大約相當於現在的4000美元,在2011年8月13日這樣的日子，匯率是6.3902，那就是25560.8元人民幣。
早期的IC未形成獨立的產業，電子系統廠商把自己生產的IC用於自己的產品，只把一小部分銷往市場，而同時也會從市場購進一些。Intel和AMD開創了IC業的新紀元，他們只向市場供應通用的IC，而不使用IC去生產產品，當然也不會從市場購進IC。這種自行設計、用自己的生產線製造、自己封裝和測試、最後出售IC成品的廠商被稱為IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件製造商）。盡管如此，IDM還是有嚴格定義的：IC的對外銷售額超過IC總產值25%的企業就可以稱作是IDM了（如Motorola、TI、Sony），而沒有超過的叫做系統廠商(如IBM、HP）。根據這一定義，IDM並不意味著不生產系統產品，系統廠商也並不意味著不生產IC。區別僅在於它們生產的IC（或者乾脆沒生產）有多少用於自己的系統產品，有多少用於直接出售。
再後來，出現了一些這樣的公司，它們只設計IC，並不生產，我們稱之為Fabless，叫做無生產線設計公司。它們設計完成後，製造這一環節仍交給IDM完成，IDM的生產線除了生產自己設計的IC以外，還幫Fabless進行生產。1987年，TSMC（台台灣積體電路製造股份有限公司，台積電）成立，2000年，SMIC（中芯國際集成電路製造有限公司，中芯國際）成立，這些公司開創了一種新的模式，它沒有自己的產品，不設計也不使用，只是單純地提供製造服務，我們稱之為Foundry。這類公司的出現，不僅Fabless的設計成果有了天經地義的歸宿，而且就連IDM也把自己製造環節的一部分讓給Foundry來做，就Foundry而言，有時它接到來自IDM的生產任務比Fabless的還要多。再後來呢？連封裝測試也自成一家，形成獨立的產業。
縱觀今天的IC業，設計業、製造業、封測業三足鼎立，當然也不乏IDM這樣的一條龍式的企業，但是系統廠商在IC市場上的份額越來越低，（注意！我說的是在IC市場上），瀕臨滅絕！（注意！我說的是市場份額瀕臨滅絕。公司並沒有滅絕，而是他們意識到這種自己生產晶元僅供自己使用的模式不劃算，轉型了。）

⑩ 集成電路是誰發明的

​集成電路是不是誰發明的，是科技進步的產物。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於鍺的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。

集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點少、壽命長、可靠性高、性能好等優點，同時成本低，便於大規模成產。它不僅在工、民用電子設備如電視機計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事通信等方面也得到廣泛應用。

發展
總體來看，IC設計業與晶元製造業所佔比重呈逐年上升的趨勢，2010年已分別達到25.3%和31%;封裝測試業所佔比重則相應下降，2010年為43.7%，但其所佔比重依然是最大的。

據《中國集成電路封裝行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告前瞻》顯示，在產業規模快速增長的同時，IC 設計、晶元製造和封裝測試三業的格局也正不斷優化。2010年，國內IC設計業同比增速達到34.8%，規模達到363.85億元;晶元製造業增速也達到31.1%，規模達到447.12億元;封裝測試業增速相對稍緩，同比增幅為26.3%，規模為629.18億元。

目前，我國集成電路產業集群已初步形成集聚長三角、環渤海和珠三角三大區域的總體產業空間格局，2010年三大區域集成電路產業銷售收入佔全國整體產業規模的近95%。集成電路產業基本分布在省會城市和沿海的計劃單列市，並呈現「一軸一帶」的分布特徵，即東起上海、西至成都的沿江發展軸以及北起大連、南至深圳的沿海產業帶，形成了北京、上海、深圳、無錫、蘇州和杭州六大重點城市。

去年年初，國務院發布了《國務院關於印發進一步鼓勵軟體產業和集成電路產業發展若干政策的通知》，從財稅、投融資、研發、進出口、人才、知識產權等方面給予集成電路產業諸多優惠，政策覆蓋范圍從設計企業與生產企業延伸至封裝、測試、設備、材料等產業鏈上下游企業，產業發展政策環境進一步好轉。前瞻網《中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》表示，根據國家規劃，到2015年國內集成電路產業規模將在2010年的基礎上再翻一番，銷售收入超過3000億元，滿足國內30%的市場需求。晶元設計能力大幅提升，開發出一批具有自主知識產權的核心晶元，而封裝測試業進入國際主流領域。「十二五」期間，中國集成電路產業將步入一個新的黃金發展期。