『壹』 關於一個MOS管組成的電壓選擇電路的電路分析，請個人大俠幫忙分析一下，先謝謝啦！
個人觀點。。。。。。
首先MOS管是四端器件，柵源漏襯，一般源襯短接。
在集成電路製造中，NMOS製作在P型襯底上，P襯上做N阱，而PMOS做在N阱上的，
如果只有一個PMOS管（比如左邊的電路），
那麼當控制引腳是高電平時，左邊電路導通，現在假設只有Q5，電源通過Q5的源端再經過溝道區到達漏端然後輸出。
也就是說，此時漏端是高電平，而漏端是P型半導體區域，襯底是N型的，這即是說漏到N阱有一條低阻通路（正向pn結，很小的電壓即可導通），一旦N阱接到什麼低電平的地方，立馬會出現大的電流，那就完蛋啦。
如果在串聯一個PMOS，注意第二個PMOS是反向的，現在我們從電源開始走一遍。
首先是電源，然後來到第一個PMOS的襯，P+（表示重摻雜）半導體區域，然後來到第一個PMOS的源，P區域，再經過第一個的柵來到第一個PMOS的漏端，還是P區域。接下來來到第二個PMOS『漏』（其實這種說法不對但是更易於理解），這個也是P區域，那麼第二個PMOS的『漏』是不是可以和第一個的漏合並咯，都是P區域半導體嘛。再下來到第二個MOS的柵再到第二個MOS的『源』，然後來到第二個的襯，P+區域，而這個P+區域接的是高電位。也就是說電荷只會在每個P區域之間交換，不會無聊的去克服勢壘到達N阱的N區域的。這樣避免了大規模漏電。也就是說輸出端只輸出高電平而不輸出大的電流。在電路上講輸出阻抗很較大，這樣就不會影響下一級電路的設計了，這是大部分電路的理想要求哦
至於肖特基二極體，應該是用來鉗位的吧，保證輸出不會高於某個電壓值。比如鉗位電壓是1.5V，那麼選中左邊的時候，輸出是1.5V而不是3.3V
。。。。。。。只是個人這么覺得，，，，，
『貳』 電路板電路中的供電電壓 選擇 24V或5V ，為什麼要選這個電壓，是習慣還是元器件特殊的需要
你好：
——★1、早期的電子電路設計，許多都是為使用電池而設計的。早期還沒有充電電池，都是干電池。所以設計時要符合干電池的電壓等級，即1.5V的倍數。如3V、4.5V、6V、9V、12V、24V等。例如半導體收音機就是很好的例子。
——★2、電子元器件的設計和生產，也是和電源的電壓相配合的。所以繼電器、蜂鳴器等。其實這些電壓等級還牽扯到標准化的制定問題。
——★3、隨著電子技術的發展，集成電路晶元被大量使用。由於生產工藝的不同，有些工藝的集成電路晶元耐壓較低，可以在+5V下安全運行，所以5V電壓又稱為設計、和應用的規范。如硬碟中的數據處理晶元，就是5V工作電壓的。
『叄』 求一個選通電壓的電路
位數不多,用LM339或324之類做成比較器,輸出互拆就行
『肆』 二極體電平選擇電路分析
用數學方法抄來推：反推法!(假設二極體導通後正向壓降為0，但實際是0.7V，這里為了分析方便，把二極體當開關，即開和關）
首先，將兩只二極體都拿掉，那麼此時，電位是不是=E啊？因為電阻上沒有電流嘛！輸出UO=E；
假設U1>U2(為了便於說明的方便假設的，你也可以假設U2>U1，但都小於E啊，不然就都不導通了):
我再把二極體一個一個的裝上去，裝上V1後(V2沒裝），是不是V1導通了啊？那麼輸出電壓肯定等於U1；
這個時候我再裝上V2，因為UO=U1,而U1>U2，那麼V2就導通了，這個時候是不是U1導通了呢？
再回過頭去看，因為U2導通，那麼此時輸出UO=U2，而U1>U2，所以在裝上V2後，V1截止了，所以輸出UO=U2.
假設我不這樣分析，（還是假設的U1>U2),我想裝上的V2，V2導通，UO=U2，再裝V1，因為U1>U2，所以V1不導通，所以還是UO=U2.
所以不管先裝哪一個二極體，都不影響推導的結果。
以後碰到這種問題時，就先把二極體都拿掉。再一個一個往上裝，算電位就出來了。
『伍』 電路：如圖電路，選擇節點0為參考點，根據節點電壓法計算電流I
路圖電路選擇節點臨渭三高點，根據節點電壓法，節點就是t家的地方，就是t接電線的地方
『陸』 求一個選擇電路的設計
採用非門是可以的，解決低電壓仍然可以驅動三級管的辦法是在非門後面串一個4.7K的限流電阻
『柒』 能幫忙設計一個開關電路，進行各種常用電壓電流電路選擇，用於AD模數轉換
具體什麼要求呀
『捌』 電壓比較電路
LM393就是最簡單的比較器了
只要設定一個13V的參考電壓到通向反入端
被測信號加入到同相端
正常情況下輸出為0，後續斷電
當被測信號高於13V時比較器輸出為高
『玖』 預先不知道被測電壓的大約值是電路的電壓選擇適當的什麼
據電壓表的正確使用可知，如果預先不知道被測電壓的大約值，但能判斷被測電壓不會超過15V，可以先用最大測量值為15V的量程，如果測五電壓不超過九V，為了減小誤差，讀數更為准確，可以改用最大測量值為九V的量程進行測量；
故答案為：不會超過15V；讀數更准確；