電路圖偏移

A. 疊後偏移( 自激自收記錄剖面的偏移) 的基本原理

(一)疊後偏移的基本概念

疊後偏移在水平疊加之後進行，一般認為水平疊加剖面相當於自激自收記錄剖面，故疊後偏移又稱為自激自收記錄剖面的偏移。可以從以下三個方面理解疊後偏移的概念。

圖4-29 偏移的反射分析

從反射的觀點討論。當地下界面水平時，由地下反射點R₁、R₂反射的波在自激自收剖面上的位置(經時深轉換後)R'₁、R'₂與原反射點一致(圖4-29a)，自激自收剖面上的界面位置與真實界面一致。當界面傾斜時，由R'₁、R'₂點反射的波在普通剖面上則繪於自激自收點O₁、O₂的正下方，經時深轉換後為 (圖4-29b)。由圖可見，自激自收剖面上的視界面 在長度、位置、傾角等方面均不一致。通過簡單的幾何運算，可以得到它們之間的數量關系。當構造復雜時，自激自收剖面上的視界面由於位置不正確可能產生能量會聚、空白或干涉等現象，使記錄復雜化(圖4-30)，影響解釋工作的進行。所謂偏移處理，就是將自激自收剖面上的同相軸恢復其原來的正確位置，同時使干涉帶自動得到分解，剖面面貌變得清晰。

圖4-30 反射界面位置不正確造成能量會聚，空白或干涉

從廣義繞射的觀點討論。地下界面上的每—點均可認為是一個繞射點，它們在入射波的激勵下會向界面上方輻射廣義繞射波。地下一個繞射點對應到記錄上就是一條繞射雙曲線，即一大片，這正是一個模糊化過程。由於真實界面由許多繞射點所組成，它們都輻射繞射波，自激自收剖面上的視界面是所有這些繞射波雙曲線的公切線，其位置與雙曲線頂點連線不一致，發生了偏離(圖4-31)。偏移處理就是將繞射波能量正確地會聚於其雙曲線頂點，結果能量收斂、模糊化消除、界面也自然恢復到其真實位置處(即雙曲線頂點連線位置)。

從波場分析的角度來看，可以將偏移處理過程看作為自激自收剖面形成的反過程。眾所周知，波場函數既是時間變數的函數，又是空間變數的函數，地下任何一點處均存在著波場，地震記錄僅是地面處的波場值。偏移處理也就是將已知的地面波場值(自激自收記錄剖面)作為邊界條件反過來求地下各點處波場值的過程。要想得到地下各點波場值可以將檢波器放置在地下這些點處進行記錄，但是這是辦不到的，只能藉助於數學運算的方法，計算出地下各點波場值。因此，偏移處理就相當於將檢波器不斷地向地下移動的過程，故也稱之為延拓或波場外推。

圖4-31 偏移的繞射分析

以上從三個方面討論了偏移處理的概念。實際上，它們是一致的。數學上可以證明;一個反射界面上各點形成的廣義繞射波在地面上被記錄下來時，其繞射雙曲線頂點的連線與真實地下界面一致，而該繞射雙曲線族的公切線與用反射觀點算出的視界面一致。延拓意味著檢波器與地下界面距離越來越近，即界面深度越來越小。可以證明:當界面深度越來越小時，用反射觀點算出的地下反射點的縱向和橫向偏離都越來越小，廣義繞射波主要能量分布范圍也越來越小。

上述討論是針對自激自收剖面偏移而言的。實際上，其思想完全可用於非自激自收剖面的偏移，僅在具體計算上作微小變動，例如採用反射、繞射觀點計算時，需將炮點、檢波點分開，以計算界面偏離情況和繞射雙曲線，延拓時需將炮點、檢波點同時向下延拓等。

(二)爆炸反射面模型和成像原理

自激自收記錄剖面偏移計算中有一個十分重要的模型，即爆炸反射面模型。根據這一模型，地下反射界面上任一點都是一個震源，它們發出的波以相當於介質速度一半大小的速度向上傳播，在地面上被接收到就組成了自激自收記錄剖面。

延拓是偏移處理中的重要概念，但僅延拓還不夠。延拓的結果得到地下各點處波場值，仍然是時間的函數。偏移處理要得到的是地下介質清晰的「原像」，它與時間無關，只是空間坐標的函數。為了要從延拓的結果中得到需要的「像」，必須利用成像原理。分析在t=0時刻觀測到的由爆炸反射面激發的波前形狀，因為這時沒有時間流逝，所以尚未發生波的傳播，故波前的形狀一定與激發它的反射面的形狀相同。t=0時刻的波前形狀對應於反射界面形狀這個事實就稱為成像原理。因此，只需從延拓的結果(地下各點的波場)中取出地下各點處零時刻的波場值就組成了所需要的「像」。

(三)橫向解析度的討論

橫向解析度是指用地震記錄沿橫向所能分辨的最小地質體寬度，此寬度越小，則橫向解析度越大。

根據惠更斯原理，地震工作中地表某一點接收到的不是來自地下界面上某一「點」的反射，而是一小塊界面上所有點作為次生源發出的繞射波相長干涉的結果。這個能產生次生繞射波相長干涉的小塊「面」稱為第一菲涅耳帶。橫向尺度小於第一菲涅耳帶的地質體是無法分辨的。因此，第一菲涅耳帶的大小是判別橫向解析度大小的重要尺度。

圖4-32 第一菲涅爾帶的計算

水平界面、自激自收條件下的第一菲涅爾帶大小很容易計算(圖4-32)。通常認為相位差小於二分之一個波長就能產生相長干涉。由於是自激自收雙程旅行時間，故圖上標明的為四分之一個波長。由圖可知第一菲涅爾帶半徑為

地震勘探

式中:h為界面深度;λ為波長。因此，當波長λ固定時，第一菲涅爾帶的大小由界面深度h決定。偏移處理中，不斷地將檢波器向地下延拓，同一界面距檢波器的距離越來越小，第一菲涅爾帶越來越小，故橫向解析度越來越高。還可從前述偏移概念的繞射觀點出發討論橫向解析度問題。地下一個繞射點反映在地面記錄上是一大片，即橫向「模糊化」了。從理論上說，雖然繞射波可向任何方向傳播，但能量主要集中在繞射雙曲線頂點附近。若忽略掉那些振幅衰減超過-20dB的能量，則繞射波分布范圍為 式中各量的意義同(4-64)式。它的推導較為復雜，這兒就不贅述了，但得到的結論與前述一樣，即延拓可以減小界面深度h，從而也就減小了繞射波主要能量部分在地面分布的范圍，提高了橫向解析度。

當h=0時，即將檢波器置於界面處時能得到最高的橫向解析度記錄，將檢波器置於界面處的記錄正是前述的延拓和成像，也就是偏移處理的結果，所以能達到最高橫向解析度。

實現疊後偏移的方法很多，如基於幾何地震學的繞射掃描疊加，基於波動方程的有限差分偏移、頻率波數域偏移和克希霍夫積分偏移等。本節主要介紹使用最為廣泛的15°有限差分偏移並兼顧其他方法。

B. 如何生成一個幅度為5V 偏移2.5V(OV--5V)頻率為20K以上 的三角波 謝謝 需要電路圖

如圖是一個線性三角波產生電路，三角波的頻率由R2、R3、C2決定，f≈0.33/(R2+R3)C2，電阻的單位取KΩ，電容的單位取uF，頻率的單位取KHz，圖中的頻率約100KHz，至於你需要多高的頻率，你可以自行計算。

調節R4可以改變三角波的幅度，調節R6可以改變三角波的直流偏移量,如果嫌偏移量的范圍過小可以適當地加大R9的阻值，運放你可以自行選擇一些標準的運放,如TL084、4558等等。希望對你有幫助！

C. 在微機原理中，偏移量是什麼意思

你說的是不是偏移地址啊？

偏移地址
定義:偏移地址就是計算機里的內存分段後,在段內某一地址相對於段首地址(段地址)的偏移量.
如8086存儲系統中 20位的物理地址(就是數據存儲的實際地址)=16位的段地址*16+16位的偏移量
例如一個存儲器的大小是1KB,可以把它分為4段，第一段的地址范圍就是0—255，第二段的地址范圍就是256-511，依次類推。。這些段內的偏移地址就是在0-255的范圍內的。

D. altium designer列印原理圖時部分字元異常向左向下偏移

你打開preferences-----schematic-----Graphical---將convertspecialstring打勾試試希望可以幫到你

E. 圖中的施密特觸發器電路中，電平偏移電路是怎樣工作的，求解釋

這里電平偏移也叫電平位移，主要是通過二極體的0，7V的導通電壓來進行的；版
這樣，T2集電極電壓，經過權T3、D5後，就降低了1.4V；
要使T4、T5導通，T4基極電壓就需要1.4V，如果T2集電極輸出高電平也取1.4V，那麼T3、D5就不需要了。可是這個電壓不足以保證T1、T2正常工作，因此才出現T2集電極到T4基極之間出現電壓差，就需要做電平移位。

F. 各向異性疊前時間偏移原理

各向異性雙平方根旅行時疊前時間偏移方程可以寫成

三維三分量地震勘探

式中:I是成像點;t(=t_c)是時間深度;W是加權函數;b是從中點到成像點的偏移距;u是輸入數據。三維PKTM(克希霍夫疊前時間偏移)能夠使三維轉換波在空間任何位置准確成像。圖4.6.2說明了共成像點(CIP)、炮點和接收點之間的空間關系，來自同一炮－檢對數據道的能量根據散射旅行時方程(4.6.8)分配到空間所有可能的成像位置，所有炮點、檢波點對數據道的能量依據射線路徑累加到該成像點位置。

G. 如何消除運放偏置電流問題

首先，理解下偏執電流的概念：

運放兩個輸入端偏置電流的平均值，確切地說是運算放大器工作在線性區時流入輸入端的平均電流。用於衡量差分放大對管輸入電流的大小。

運放偏執電流消除應為正負端輸入阻抗相同，這樣偏執電流造成的影響才能消除，請看下面具體介紹：

您會為了匹配您運算放大器電路的輸入 DC 電阻而添加一個電阻器嗎？請看下圖所示電路。我

Rb 產生的熱雜訊以及這種高阻抗節點的潛在外部雜訊拾取，可能是不使用 Rb的其他原因。由於輸入偏置電流的誤差最小，為什麼要給電路增加更多潛在的雜訊呢？有時，我們可能會需要使用偏置電流消除電阻，而且它也是一種有效的方法。但是，許多電路並不會明顯受益，甚至會出現性能下降的情況。

H. 什麼是偏移量！

計算機匯編語言中的偏移量定義為：把存儲單元的實際地址與其所在段的段地址之間的距離稱為段內偏移，也稱為「有效地址或偏移量」。

段地址左移四位，與有效地址相加，就構成了邏輯地址。一般而言，段地址是cpu自己獨立編制的，但是偏移量是程序員編寫的。偏移量就是程序的邏輯地址與段首的差值。

在早期的8086中地址線是20位的，而段地址是16位。在十六進制下就是4位。這樣一個段寄存器就不能完整的描述出內存的地址。所以就和通用寄存器配用。偏移量存在通用寄存器中，段地址則存在段寄存器中。

(8)電路圖偏移擴展閱讀

偏移量是16-bit的，因此，一個段是64KB。偏移量存在通用寄存器中，段地址則存在段寄存器中。而地址首的五位（十六進制下，二十地址線是五位）有個特點，即末尾總是零，所以就取前四位當做段地址。正好是段地址的存儲空間大小。

在實模式中，內存比保護模式中的結構更令人困惑。內存被分割成段，並且，操作內存時，需要指定段和偏移量。

段-寄存器這種格局是早期硬體電路限制留下的一個傷疤。地址匯流排在當時有20-bit。然而20-bit的地址不能放到16-bit的寄存器里，這意味著有4-bit必須放到別的地方。因此，為了訪問所有的內存，必須使用兩個16-bit寄存器。

I. 電路圖示意圖一個圈中一個"～"是什麼VIN一端接地，我知道是信號，但具體什麼信號

信號疊加，交流信號上加了2.5v的直流偏移