閾值判別電路

① 這個電路的閾值電壓是多少，反饋路上有個二極體，就不會分析了，求解怎麼分析和求解閾值電壓，跪求

這很簡單。當輸出為高電平時。U0通過R1二極體是運放的同相端比3V高。
（6.7-0.7-3)/2R1 X R1 +3V 這就是輸出高電平時，反相端要達到的閾值電壓。

② 閾值電壓對電路靜態功耗有什麼影響

有，看你抄問的是輸出還是襲輸入你TTL邏輯電路的話，輸入一般是三極體，達到0.7的PN結壓降就會導通，因此一般輸入低電平認為是0.7V，大於0.7V都認為是高電平輸出的話一般都是推挽結構的三極體，上下各有0.3V的三極體飽和壓降，因此輸出高電平一般是4.7，低電平一般是0.3V左右如果是OC輸出的話，高電平沒有壓降，就是電源電壓，比如5V，低電平有一個飽和壓降，小於0.3V。CMOS電路的話因為內部使用的是MOS管，輸入電壓閾值一般為1/2電源值電路工作比較穩定輸出與TTL類似，不一樣的是CMOS電路在低電流輸出時，因為它的導通電阻一般都非常小，毫歐級，所以壓降也非常小，通常輸出高電平電壓能達到VCC-0.1低電平電壓小於0.1V

③ 如何設計 閾值電壓 開關 邏輯電路

這個提法太籠統了，你得提出具體案例，才方便說明；

④ 閾值電壓是什麼 怎麼理解

閾值電壓通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。

在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。

如MOS管，當器件由耗盡向反型轉變時，要經歷一個 Si 表面電子濃度等於空穴濃度的狀態。此時器 件處於臨界導通狀態，器件的柵電壓定義為閾值電壓，它是MOSFET的重要參數之一。

MOS管的閾值電壓等於背柵（backgate）和源極（source）接在一起時形成溝道（channel）需要的柵極（gate）對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小於閾值電壓，就沒有溝道。

(4)閾值判別電路擴展閱讀

偏置電壓指晶體管放大電路中使晶體管處於放大狀態時，基極-射極之間，集電極-基極之間應該設置的電壓。因為要使晶體管處於放大狀態，其基極-射極之間的pn結應該正偏，集電極-基極之間的pn應該反偏、

因此，設置晶體管基射結正偏，集基結反偏，使晶體管工作在放大狀態的電路，簡稱為偏置電路。直流偏置電壓是指晶體管放大電路中使晶體管處於放大狀態時，基極-射極之間及集電極-基極之間應該設置的電壓。

⑤ 怎麼判斷集成運算放大器有幾個閾值電壓

直接查集成電路手冊就行了，閾值電壓在製作集成電路時就定型了，在手冊里都清楚標注了。

⑥ 求滯回比較器電路的閾值

2、反相滯回比較器
工作原理：滯回比較器的三個主要參數是：閾值電壓v1、v2和回差電壓vh，改變基準電壓vref（也叫參考電壓）的大小，可同時調節兩個閾值電壓v1和v2的大小，且不影響回差電壓值vh；改變rw和r2的比值或輸出電壓的正負幅度可以調整回差值大小。提示：如果電路中遇到干擾電壓時，可以適當調節rw和r2的比值，使干擾信
(a)
電路圖
(b)
傳輸特性
圖10－2
滯回比較器
號的峰值落在回差電壓范圍內，就不會引起電路輸出端的誤動作，即錯誤的翻轉。實驗電路如圖10－2所示
（1）按圖接線，並將rw調為100k（或用實驗箱上100k電阻直接連上）。輸入信號ui接實驗箱左側直流電壓-5v-+5v輸出端並用萬用表直流電壓檔調到大約±0.8v左右（視運放同相端3腳對地電壓而定）。測出v0從u+跳變到u-時ui的臨界值。（原理與方法1：當輸入電壓ui經過r1電阻進入運放反相輸入端2腳後，此電壓一旦與同相端3腳u∑對地電壓相等（ui=±u∑），就使得輸出電壓uo發生反相跳變，這一變化使同相端3腳+u∑重新得到一個與原來相反的對地直流電壓-u∑(此電壓與u∑大小基本相等，極性相反。由分壓公式知：
u∑={10k/（100k+10k)}
±uo)。我們只需用萬用表直流電壓檔先測量一下3腳u∑對地電壓值，就可知輸入電壓ui為多大值時，輸出端uo必然發生反相跳變。兩次測量u∑，可知u0從u+跳變到u-時和u-從變到u+時ui的臨界值。（2）為了觀察uo上下跳變，將示波器耦合方式選為dc，y軸衰減置為5v/div,以便觀察輸出端uo直流電壓的上、下跳變。
（3）vi接信號發生器f=500hz，有效值為1-3v的正弦波，觀察並記錄ui和u0的波形。
（4）將電路中的rw調為200k，重復上述實驗（只不過是分壓比變了，±u∑對地電壓變小了）。
（5）參考公式:
；

⑦ 設計一個電流閾值電路，當電流大於60mA時，二極體燈亮，低於60mA，二極體燈滅……

可在二極體正極和地加一個電阻（可以用電位器）給二極體立向加電壓二板菠負極加一電源伎當電流達到60mA時二權管的正向電壓大於負極約0.7伏可調整電位器進行調試。

⑧ 電路中怎麼判別三極體是放大，截止還是飽和

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

場效應管的名字也來源於它的輸入端（稱為gate）通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

首先考察一個更簡單的器件－MOS電容－能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開（圖1.22A）。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。圖1.22A中的MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。圖示的器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。

圖1.22B中是當MOS電容的GATE相對於BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。由於過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小於閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現了。

MOS電容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反轉（VBG＝3V），（C）積累（VBG＝-3V）。

中是當MOS電容的GATE相對於backgate是負電壓時的情況。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處於accumulation狀態了。

MOS電容的特性能被用來形成MOS管。圖1.23A是最終器件的截面圖。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小於閾值電壓，就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。

MOSFET晶體管的截面圖：NMOS（A）和PMOS（B）。在圖中，S＝Source，G=Gate,D=Drain。雖然backgate圖上也有，但沒有說明。

MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。在對稱的MOS管中，對soure和drain的標注有一點任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管。製造非對稱晶體管有很多理由，但所有的最終結果都是一樣的。一個引線端被優化作為drain，另一個被優化作為source。如果drain和source對調，這個器件就不能正常工作了。

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在。圖1.23B中就是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對於BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。如果GATE相對於BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負值。由於NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。一個工程師可能說，「PMOS Vt從0.6V上升到0.7V」， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。

⑨ 有沒有達到電壓閾值才放電的電路

電擊棍、照相機的閃光燈都是這樣的電路。讓小電流慢慢向電容充電，充滿後一次放電就行。

⑩ 閾值是指一個數值還是一個范圍區間

閾值是表示一個臨界值；
在應用中，通常會讓在臨界值之下表現出一個狀態，而在臨界值之上表現出另一個狀態；
閾值可以同時定義（或者叫設置）幾個，這樣就出現區間即是范圍；
如果保溫電路，低於60°就需要加熱，高於65°就停止加熱；