硅集成電路工藝基礎

⑴ 硅集成電路工藝基礎pdf下載 微盤

-關旭東寫的，留方式

⑵ 什麼是微電子技術

21世紀的先導技術：微電子技術

中國科學院上海硅酸鹽研究所 陳同來
電子技術是信息社會的基石。實現信息化的網路及其關鍵部件不管是各種計算機還是通訊電子裝備，它們的基礎都是集成電路。盡管電子學在化合物半導體和其它新材料方面的研究及在某些領域的應用取得了很大進展，但還遠不具備替代硅基工藝的條件。硅集成電路技術發展至今，全世界數以萬億美元計的設備和科技投入，已使硅基工藝形成非常強大的產業能力。同時，長期的科研投入已使人們對硅及其衍生物各種屬性的了解達到十分深入、十分透徹的地步，成為自然界100多種元素之最，這是非常寶貴的知識積累。隨著集成電路技術的發展，使整機、電路與元件、器件之間的明確界限被突跛。器件問題、電路問題和整機系統問題已經結合在一起，體現在一小塊矽片上，這就形成了固體物理、硅器件工藝與電子學三者交叉的新技術學科——微電子學。隨著集成電路技術的廣泛滲透和延拓，它將是一個更為廣泛的邊緣性學科。 微電子學和微電子技術一般地指以集成電路技術為代表，製造和使用微小型電子元件、器件和電路，實現電子系統功能的新型技術學科，它也特指大規模集成電路的製造和運用技術。微電子技術與傳統電子技術相比，其主要特徵是器件和電路的微小型化。它把電路系統的設計和製造工藝緊密結合起來，適於進行大規模的批量生產，因而成本低和可靠性高。在21世紀，微電子技術是改變生產和生活面貌的先導技術。例如，採用微電子技術製成的集成電路晶元（微晶元）已發展到進入GSI時代；微晶元上的器件密度已達到人腦中神經元密度水平。這樣水平的微晶元將促使計算機及通信產業更新換代，大大改變人們生產、生活的面貌。科學家們已在討論把微晶元記憶線路植入人的大腦以治療老年性痴呆症，或增加人的記憶能力的可能性。而用微晶元製作的手提式超級計算機、電子筆記本、微型翻譯機和攜帶型電話等已陸續出現。

微電子技術當前發展的一個鮮明特點就是：系統級晶元（System On Chip，簡稱SOC）概念的出現。在集成電路（IC）發展初期，電路都從器件的物理版圖設計入手，後來出現了IC單元庫，使用IC設計從器件級進入到邏輯級，這樣的設計思路使大批電路和邏輯設計師可以直接參與IC設計，極大的推動了IC產業的發展。由於IC設計與工藝技術水平不斷提高，集成電路規模越來越大，復雜程度越來越高，已經可以將整個系統集成為一個晶元。正是在需求牽引和技術推動的雙重作用下，出現了將整個系統集成在一個IC晶元上的系統級晶元的概念。其進一步發展，可以將各種物理的、化學的和生物的敏感器(執行信息獲取功能)和執行器與信息處理系統集成在一起，從而完成從信息獲取、處理、存儲、傳輸到執行的系統功能，這是一個更廣義上的系統集成晶元。很多研究表明，與由IC組成的系統相比，由於SOC設計能夠綜合並全盤考慮整個系統的各種情況，可以在同樣的工藝技術條件下實現更高性能的系統指標。微電子技術從IC向SOC轉變不僅是一種概念上的突破，同時也是信息技術發展的必然結果。目前，SOC技術已經嶄露頭角，21世紀將是SOC技術真正快速發展的時期。

微電子技術的另一個顯著特點就是其強大的生命力，它源於可以低成本、大批量地生產出具有高可靠性和高精度的微電子結構模塊。這種技術一旦與其他學科相結合，便會誕生出一系列嶄新的學科和重大的經濟增長點。作為與微電子技術成功結合的典型例子便是MEMS（微電子機械繫統或稱微機電系統）技術和生物晶元等。前者是微電子技術與機械、光學等領域結合而誕生的，後者則是與生物工程技術結合的產物。

可以認為微電子技術的迅猛發展必將帶來又一次革命性變革。相應的微電子產品將如同細胞組成人體一樣，成為現代工農業、國防裝備和家庭耐用消費品的細胞，改變著社會的生產方式和人們的生活方式。微電子技術不僅成為現代產業和科學技術的基礎，而且正在創造著代表信息時代的硅文化。因此有科學家認為人類繼石器、青銅器、鐵器時代之後正進入硅石時代。

⑶ 在集成電路生產過程中用到的工藝方法有哪些

硅集成電路工藝的詳細介紹
http://blog.163.com/huagu@126/blog/static/1629483820079372556458/

⑷ 集成電路工藝主要分為哪幾類

集成電路工藝主要分為半導體集成電路、膜集成電路和混合集成電路3類。

半導體集成電路是採用半導體工藝技術，在硅基片上製作包括電阻、電容、三極體、二極體等元器件的集成電路；膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以「膜」的形式製作電阻、電容等無源元件的集成電路。

無源元件的數值范圍可以做得很寬，精度可以做得很高。技術水平尚無法用「膜」的形式製作晶體二極體、三極體等有源器件，因而膜集成電路的應用范圍受到很大的限制。在實際應用中，多半是在無源膜電路上外加半導體集成電路或分立元件的二極體、三極體等有源器件，使之構成一個整體，這就是混合集成電路。

根據膜的厚薄不同，膜集成電路又分為厚膜集成電路（膜厚為1～10μm）和薄膜集成電路（膜厚為1μm以下）兩種。在家電維修和一般性電子製作過程中遇到的主要是半導體集成電路、厚膜電路及少量的混合集成電路。

(4)硅集成電路工藝基礎擴展閱讀：

1、按用途分類

集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。

2、按應用領域分類

集成電路按應用領域可分為標准通用集成電路和專用集成電路。

3、按外形分類

集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用於大功率）、扁平型（穩定性好，體積小）和雙列直插型。

⑸ 半導體硅集成電路工藝中雜質的選擇標準是什麼

1）首先要選擇什麼雜質
- 如果要摻雜成P型半導體可以選擇B和BF和In.
-B是最常用的
-In和BF的質量比較大，適合於淺摻雜
-BF中的F可能對HCI或者NBTI等可靠性產生正影響，所以Poly中有一些可能有好處。
-如果選擇摻雜成N型半導體可以選擇P,As和Sb.
-P是最常用的。
-As質量比P中，通常最為淺摻雜。
-Sb通常最為Buried layer,因為擴散比較慢。
2）然後要選擇摻雜濃度
-Well implant一般E13劑量
-Vt implant一般E12劑量
-Source/drain一般E15劑量

⑹ 硅集成電路工藝基礎干氧濕氧氧化怎麼求厚度

矽片清洗--烘乾--干氧氧化--濕氧氧化--干氧氧化--氧化完
這樣的提問沒有意義
建議自己下去查查資料

⑺ ( )微電子技術的核心是( )。

B： 集成電路技術

⑻ 現代先進加速度感測器是以集成電路工藝和微機械加工工藝為基礎，在矽片上製造出來的微機電系統，已被廣泛

設加速度為ag，斜面傾角為θ．則有：
-gsinθ+ag=-0.4g…①
gcosθ=0.866g…②
解得：a=0.1g，θ=30°．
另一解a=-0.9g，代入（1），得sinθ=1.3（捨去）
答：此時車沿斜面向下的加速度為0.1g，斜面的傾角為30°．

⑼ 硅集成電路是什麼時候發明,誰發明的

1956年，美國材料科學專家富勒和賴斯發明了半導體生產的擴散工藝，這樣就為發明集成電路提供了工藝技術基礎。
1958年9月，美國德州儀器公司的青年工程師傑克·基爾比（Jack Kilby），成功地將包括鍺晶體管在內的五個元器件集成在一起，基於鍺材料製作了一個叫做相移振盪器的簡易集成電路，並於1959年2月申請了小型化的電子電路（Miniaturized Electronic Circuit）專利（專利號為No.31838743，批准時間為1964年6月26日），這就是世界上第一塊鍺集成電路。
1959年7月，美國仙童半導體公司的諾伊斯，研究出一種利用二氧化硅屏蔽的擴散技術和PN結隔離技術，基於硅平面工藝發明了世界上第一塊硅集成電路，並申請了基於硅平面工藝的集成電路發明專利（專利號為No.2981877，批准時間為1961年4月26日。雖然諾伊斯申請專利在基爾比之後，但批准在前）。
基爾比和諾伊斯幾乎在同一時間分別發明了集成電路，兩人均被認為是集成電路的發明者，而諾伊斯發明的硅集成電路更適於商業化生產，使集成電路從此進入商業規模化生產階段。
集成電路的發明開拓了電子器件微型化的新紀元，引領人們走進信息社會。它的誕生使微處理器的出現成為了可能，也使計算機走進人們生產、生活的各個領域，成為人們工作、學習、娛樂不可或缺的工具，而在計算機誕生之初，它卻是個只能存在於實驗室的龐然大物。