Ⅰ 內存的工作原理
內存也叫主存，是PC系統存放數據與指令的半導體存儲器單元，也叫主存儲器（Main
Memory），通常分為只讀存儲器（ROM-Read
Only
Memory）、隨機存儲器（RAM-Red
Access
Memory）和高速緩存存儲器（Cache）。我們平常所指的內存條其實就是RAM，其主要的作用是存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時做緩沖之用。
下面是結構：
1、PCB板
內存條的PCB板多數都是綠色的。如今的電路板設計都很精密，所以都採用了多層設計，例如4層或6層等，所以PCB板實際上是分層的，其內部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩定，所以名牌內存多採用6層PCB板製造。因為PCB板製造嚴密，所以從肉眼上較難分辯PCB板是4層或6層，只能藉助一些印在PCB板上的符號或標識來斷定。
2、金手指
黃色的接觸點是內存與主板內存槽接觸的部分，數據就是靠它們來傳輸的，通常稱為金手指。金手指是銅質導線，使用時間長就可能有氧化的現象，會影響內存的正常工作，易發生無法開機的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。
3、內存晶元
內存的晶元就是內存的靈魂所在，內存的性能、速度、容量都是由內存晶元組成的。
4、內存顆粒空位
5、電容
PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。電容採用貼片式電容，因為內存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點不差，它為提高內存條的穩定性起了很大作用。
6、電阻
電阻也是採用貼片式設計，一般好的內存條電阻的分布規劃也很整齊合理。
7、內存固定卡缺口：內存插到主板上後，主板上的內存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內存，這個缺口便是用於固定內存用的。
8、內存腳缺口
內存的腳上的缺口一是用來防止內存插反的（只有一側有），二是用來區分不同的內存，以前的SDRAM內存條是有兩個缺口的，而DDR則只有一個缺口，不能混插。
9、SPD
SPD是一個八腳的小晶元，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256位元組，可以寫入一點信息，這信息中就可以包括內存的標准工作狀態、速度、響應時間等，以協調計算機系統更好的工作。從PC100時代開始，PC100規准中就規定符合PC100標準的內存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內存的信息，並按SPD的規定來使內存獲得最佳的工作環境。
Ⅱ 內存PCB是什麼
（PCB，Printed circuit board）印刷電路板
印製線路板（PCB）是電子產品中電路元件和器件的支撐件，它提供電路元件和器件之間的電氣連接，它是各種電子設備最基本的組成部分，它的性能直接關繫到電子設備質量的好壞。隨著信息化社會的發展，各種電子產品經常在一起工作，它們之間的干擾越來越嚴重，所以，電磁兼容問題也就成為一個電子系統能否正常工作的關鍵。同樣，隨著電於技術的發展，PCB的密度越來越高，PCB設計的好壞對電路的干擾及抗干擾能力影響很大。要使電子電路獲得最佳性能，除了元器件的選擇和電路設計之外，良好的PCB布線在電磁兼容性中也是一個非常重要的因素。
Ⅲ 內存布線是什麼
首先，最突出的好處之一就是主板廠商無需更改主板上單通道DDR內存的布線方式，這對於主板廠商來說無疑是一個節省成本的好辦法。內存介面仍然遵循舊的184引腳標准，這也是內存製造廠商所樂於見到的改進方案：節省成本，增加利潤。
如果設計出支持雙通道DDR內存的晶元組，對於主板廠商來說，要設計內存插槽走線方面的問題也隨之而來。128Bit的內存數據線也不是那麼容易做的，就算做得出來，主板的成本也會相應地提高不少。當然，就目前主板廠商的布線技術而言，要在主板上實現128Bit的內存數據線布線也不是很難的一件事，但這並不意味著主板廠商不希望採取更加簡單的布線方式來生產主板。在相同的技術條件下，成本利潤始終是一個需要慎重考慮的因素。
其次，單通道的FastStream64內存技術可以達到與雙通道不相上下的性能。在AMD的K7平台上，最新的Athlon XP前端匯流排頻率和DDR400一樣，同為400MHz（寬頻為3.2GB/s），因此也就不存在什麼內存性能瓶頸。KT600憑借FastStream64技術，在許多測試中，性能上並不亞於支持雙通道內存工作模式的nForce2晶元組。很顯然，由於K7平台的匯流排帶寬較小，制約了雙通道DDR內存的性能發揮，因而單、雙通道DDR平台之間的性能差距並不是很明顯，所以Fast Stream64技術在K7平台上游刃有餘！
而在800MHz FSB P4平台上，PT800晶元組的性能也出乎許多人的意料。經過許多官方和非官方的測試，不論是超線程，還是FastStream64內存技術，都使得系統有了大幅度的提升。PT800的性能雖比不上支持雙通道DDR內存的i875/i865平台，但是在相同的內存環境下，PT800的性能卻略微超過了只採用單通道內存工作模式的i875/i865平台。因為晶元組性能並不單純是由內存技術來決定的，還應包括系統環境和其他各方面因素。
Ⅳ 內存電流是多少
電流：我們知道，水能在管中流動，我們管它叫水流。同樣，電子也能在導線中流動，這種電子的流動就叫做電流。電流一般用符號\"I\"表示。水在流動中有高低之分，電在流動中也有強弱之別。電流的發笑用電流強度來表示。電流強度在數值上等於一秒鍾內通過導線橫截面的電量的大小。通常所說的電流大小，就是指電流強度的大小。一般表示電流強度的單位是安培，簡稱安，用符號\"A\"表示。在有些電路中流過的電流很小，通常用毫安、微安來計量。
它們之間的換算關系是：
1安培 = 1000毫安 （mA）
1毫安 = 1000微安 （μA）
Ⅳ ddr3內存供電路圖
還有就是有的機子不上CPU，CPU供電電路無供電，插上U才有供電，那在插上在CPU的座子上有很多的針口你應該能看見的，那些口中有的是直接接地的線，
Ⅵ 內存條的電路問題
後面沒有集成塊的叫單面內存，很常見的，沒有問題，只要主板能夠識別就可以用。放心吧。
Ⅶ 內存的結構原理
內存也叫主存，是PC系統存放數據與指令的半導體存儲器單元，也叫主存儲器（Main Memory），通常分為只讀存儲器（ROM-Read Only Memory）、隨機存儲器（RAM-Red Access Memory）和高速緩存存儲器（Cache）。我們平常所指的內存條其實就是RAM，其主要的作用是存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時做緩沖之用。
下面是結構：
1、PCB板
內存條的PCB板多數都是綠色的。如今的電路板設計都很精密，所以都採用了多層設計，例如4層或6層等，所以PCB板實際上是分層的，其內部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩定，所以名牌內存多採用6層PCB板製造。因為PCB板製造嚴密，所以從肉眼上較難分辯PCB板是4層或6層，只能藉助一些印在PCB板上的符號或標識來斷定。
2、金手指
黃色的接觸點是內存與主板內存槽接觸的部分，數據就是靠它們來傳輸的，通常稱為金手指。金手指是銅質導線，使用時間長就可能有氧化的現象，會影響內存的正常工作，易發生無法開機的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。
3、內存晶元
內存的晶元就是內存的靈魂所在，內存的性能、速度、容量都是由內存晶元組成的。
4、內存顆粒空位
5、電容
PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。電容採用貼片式電容，因為內存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點不差，它為提高內存條的穩定性起了很大作用。
6、電阻
電阻也是採用貼片式設計，一般好的內存條電阻的分布規劃也很整齊合理。
7、內存固定卡缺口：內存插到主板上後，主板上的內存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內存，這個缺口便是用於固定內存用的。
8、內存腳缺口
內存的腳上的缺口一是用來防止內存插反的（只有一側有），二是用來區分不同的內存，以前的SDRAM內存條是有兩個缺口的，而DDR則只有一個缺口，不能混插。
9、SPD
SPD是一個八腳的小晶元，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256位元組，可以寫入一點信息，這信息中就可以包括內存的標准工作狀態、速度、響應時間等，以協調計算機系統更好的工作。從PC100時代開始，PC100規准中就規定符合PC100標準的內存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內存的信息，並按SPD的規定來使內存獲得最佳的工作環境。
Ⅷ 誰有內存條電路圖/PCB圖
內存條晶元參數
整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。
顆粒編號解釋如下：
1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。
2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）
3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）
6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））
由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。
常見SDRAM 編號識別
維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：
序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI
SAMSUNG內存
體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
Infineon（億恆）
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
Ⅸ 內存條電路圖
你不可能求到
這是商業機密