1. 哪裡可以買到RFID標簽晶元IDS- SL900A做好的標簽也可以。
IDS-SL900A智能標簽晶元預計2010年10月量產,現在可以申請少量樣片。
IDS-SL900A是IDSMicrochip公司推出的UHF半無源RFID標簽。它的電壓范圍為1.1~3.3V,工作於860MHz ~ 960MHz,IDS-SL900A內置了溫度感測器、實時時鍾、ADC和EEPROM等功能模塊,只需要外接電池和天線即可工作,系統參數還可通過SPI介面進行讀取和配置,因此使用起來非常方便。 IDS-SL900A的功耗非常低,它具有三種工作模式:關機模式、空閑模式和記錄模式。在關機模式下,系統具有最小的工作電流,一般為O.1uA;在空閑模式下,電流約為2uA,此時晶元中只有晶振電路和時鍾電路工作;而在記錄模式下,IDS-SL900A內部的溫度感測器、EEPROM等所有功能模塊全部工作,電流約為200uA。由上可見,IDS-SL900A功能多、功耗低,外圍電路簡單,非常適合於採用電池供電的應用場合。
感興趣的企業,請聯系漢石國際(中國)辦事處 陳先生
電郵:[email protected]
網站:www.hanshiltd.com
2. 誰有海康視頻伺服器IDS-6501HF主板硬體電路圖及相關技術資料
我對你為什麼要這個有興趣,我能找到,不過我要知道你要干什麼,有疑問私信我
3. 關於場效應管的等效電路問題
那R1不是直接接地的嗎? 等效線路是針對交流信號而言,而電源對於交流信號而言是與地通的(即短路)故輸入阻抗=R3+R1//R2 (MOS管輸入阻抗高
4. 電路分析請問這個電路圖這條支路是起什麼作用的
這個是MOS場效應管構成的鏡像電流源,右圖為三極體構成的鏡像電流源;
你所說的支路,柵極與漏極相連接形成了負反饋,因為漏極電流的大小與柵極電壓的大小相關並成正比,從而穩定了柵極電壓 Ugs;
Ugs = Ud = Vdd - Id*R;
Ugs 穩定了,漏極電流也就穩定了,因為管子的一致性,所以兩個管子的漏極電流是一樣的,故而稱謂鏡像電流源;
5. IDS是什麼意思
CVT通常指一種汽車變速器,也叫無級變速器,代表車系為日系車。CVT(),直接翻譯就是連續可變傳動,也就是我們常說的無級變速箱,顧名思義就是沒有明確具體的檔位,操作上類似自動變速箱,但是速比的變化卻不同於自動變速箱的跳擋過程,而是連續的,因此動力傳輸持續而順暢。附CVT變速箱的優點:1、CVT可以依靠變速器的無級調速來適應汽車的各種速度,使發動機長時間工作在最佳工況,因此可以提高發動機燃燒效率,提高燃油經濟性。2、動力性好。CVT的特性使動力性能明顯優於手動變速器(MT)和自動變速器(AT)。3、舒適性好。CVT沒有檔位,變速過程連續而線性,提速無換擋沖擊,急加速時沒有AT的退檔頓挫現象,CVT系統有很寬的傳動比,一般在2.400—0.395,高速行駛時發動機轉速低、噪音小,使駕駛員及乘客能夠享受旅途安靜輕松的舒適感覺。4、操控性好。簡單概括,就是起步快,加速更加順暢。5、成本低。簡單的結構與較低的成本及優異的性能使CVT的前景十分廣闊。
6. 三極體開關電路與場效應管電路有哪些不同
雙極型三極體BJT與場效應管FET電路主要區別體現在以下方面:
①製程工藝內不同,容結構不同,也導致了成本不同。
②導電的載流子不同
③電氣參數不同。
以下詳述:
①製程工藝不同
雙極型三極體BJT與場效應管FET的物理結構如圖所示:
7. 場效應管2N60用在哪些電路
這是一個mos管,他的Ids是2A,Vds是600V,也就是說電壓低於600V,電流小於2A的電路,都能用它
8. PMOS處於飽和區的電壓條件電流公式
PMOS的開啟電壓是Vgs<-Vth
處於飽和區的條件是Vgs-Vds<-Vth
也可以寫作Vgd<-Vth
9. MOS管的Vgs大於10V時,不同的Ids會影響Rds的值嗎
mos管的開啟電壓有最大值,最小值是因為mos管的測試條件不一樣啊,比如說溫度。三個值具體參考哪一個要看你用在什麼上面啊。以這個為例,如果你設計的電路,mos管的電壓都不夠1.7V,那這個mos管你肯定不能用的,因為連mos管開啟的最小電壓你都達不到。另一方面,萬一mos管真的是處於需要最大開啟電壓才能開啟的情況下,mos管的電壓達不到最大值,也是不能開啟的。所以,綜合起來,還是要看你的應用,規格書上的這些數據只是供你選用mos的時候做個參考。一般來說,設計電路的人員都希望mos管的開啟電壓越小越好,因為他們本身的控制信號電壓就很低。