lcc電路

❶ 求教 開關電源LLC和LCC區別

不是同一個概念。
OCP是過流保護，很多電子設備都有個額定電流，不允許超過額定電流，不然會燒壞設備。
OLP是過載保護，防止主電源線路因過載導致保護器過熱損壞而加裝的過載保護設備。

❷ 當開關頻率大於諧振頻率時，LCC電路諧振網路是感性還是容性，為什麼

當開關頻率等於諧振頻率時，RLC電路諧振網路的XL=Xc，電路呈現純電阻。
當開關頻率大於諧振頻率時，RLC電路串聯諧振網路的XL＞Xc，電路呈現感性負載。
當開關頻率大於諧振頻率時，RLC電路串並聯諧振網路的XL＞Xc，電路呈現容性負載。

❸ 什麼是LLC電路

【1】LLC電路如下圖所示：

【2】LLC電路：LCC電路中有諧振電感、諧振電容、和勵磁電感組成諧振網路。通過變頻來達到穩壓的目的。

❹ 東芝cv330電梯正常狀態下lcc燈不亮，緊急電動時亮，門鎖安全迴路正常

這就是安全迴路出了問題
你看下極限開關 緩沖器開關 漲繩輪開關 限速器開關 就是這的問題

❺ 電感變壓器是不是LCC電路

為什麼有兩個C？不解！

❻ 什麼是LCC振盪電路，什麼是LLC振盪電路

都是LC電路，LCC我覺得是代表一個電感、兩個電容，接成電容三點式；反之LLC為電感三點式。

❼ 集成電路產業的集成電路發展簡史

1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；集成電路
1950年：結型晶體管誕生；1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；1951年：場效應晶體管發明；1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985年：80386微處理器問世，20MHz；1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段；1989年：1Mb DRAM進入市場；1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用 0.8μm工藝；1992年：64M位隨機存儲器問世；1993年：66MHz奔騰處理器推出，採用0.6μm工藝；1995年：Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；集成電路
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，採用0.25μm工藝；1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；2000年：1Gb RAM投放市場；2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。2003年：奔騰4 E系列推出，採用90nm工藝。2005年：intel 酷睿2系列上市，採用65nm工藝。2007年：基於全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄採用了領先的32納米工藝，並且下一代22納米工藝正在研發。 (ball grid array)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以代替引集成電路
腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。 表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的集成電路
Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。 (al tape carrier package)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是集成電路
TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。 (surface mount type)表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列集成電路
狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。 (pin grid array)陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶集成電路
瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。 (quad flat non-leaded package)四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的集成電路
名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。 (Small Outline Package(Wide-Jype))寬體SOP。部分半導體廠家採用的名稱。

❽ 電路lcc諧振電路工作原理

主要是指電感、電容並聯諧振組成的LC振盪器。
因為LC迴路有選頻特性回。理由：迴路的等效阻抗Z=(-J/ω答C)//(R+JωL),可知，阻抗Z與信號頻率有關。不同頻率的信號電流（同等大小的電流）在通過迴路時，產生的電壓是不同的。只有一個頻率的信號電流產生的電壓最大，就是當信號角頻率ω=ω0=1/√LC時。此時迴路阻抗最大，叫做並聯諧振。

❾ 什麼是LLC電路,它有什麼特點

LLC中電路有諧振電感、諧振電容和勵磁電感組成諧振網路，通過變頻控制來達到穩壓的目的。