多層硅電路

⑴ 超大電流雙向可控硅驅動電路

具體可看下雙向可控硅觸發電路，有4象限觸發方式，且只有一個控制腳，該電路直接用交流降壓作為觸發信號

⑵ 220v雙向可控硅電路圖求詳解。

如果負載是感性負載，例如，電動機什麼的，有線圈的，在關斷時會出現一個電壓很高反電動勢，容易將可控硅擊穿。為了泄放掉這個電動勢，保護可控硅不被擊穿，就並聯了這樣一個電路

⑶ 單晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜電池的原理

高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求99.999％。單晶硅太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構和生產工藝已定型，產品已廣泛用於空間和地面。為了降低生產成本，現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經過復拉製成太陽電池專用的單晶硅棒。

單晶硅是轉化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領域，太空梭、宇宙飛船、人造衛星的製造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。

在科學技術飛速發展的今天，利用單晶硅所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。現在，國外的太陽能光伏電站已經到了理論成熟階段，正在向實際應用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。

直拉硅單晶廣泛應用於集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用於大功率半導體器件，比如整流二極體，硅可控整流器，大功率晶體管等。
區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ4〃。
直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。
硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用於微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為矽片引起的第一次革命。區熔單晶硅是利用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個方面。
1、製作電力電子器件
電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為「矽片引起的第二次革命」，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅製作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(PIC)等，廣泛應用於高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。製作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。
2、製作高效率太陽能光伏電池
太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也於2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速增長的態勢，年平均增長速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的增長速度。
晶體硅是目前應用最成熟，最廣泛的太陽能電池材料，佔光伏產業的85%以上。美國SunPower公司最近開發出利用區熔硅製作太陽能電池技術，其產業化規模光電轉換效率達到20%，為目前產業化最高水平，其綜合性價比超過直拉單晶硅太陽能電池（光電轉換效率為15%）和多晶硅太陽能電池（光電轉換效率為12%）。這項新技術將會極大地擴展區熔硅單晶的市場空間。據估計，到2010年，其總的市場規模到將達到電力電子需求規模，這是本項目新的市場機會。
3、製作射頻器件和微電子機械繫統（MEMS）
區熔單晶還可以用來製作部分分立器件。另外採用高阻區熔硅製造微波單片集成電路（MMIC）以及微電子機械繫統（MEMS）等高端微電子器件，被廣泛應用於微波通訊、雷達、導航、測控、醫學等領域，顯示出巨大的應用前景。這也是區熔單晶的又一個新興的市場機會。
4、製作各種探測器、感測器，遠紅外窗口
探測器、感測器是工業自動化的關鍵元器件，被廣泛應用於光探測、光纖通訊、工業自動化控制系統中以及醫療、軍事、電訊、工業自動化等領域。高純的區熔硅單晶是製作各種探測器、感測器的關鍵原材料，其市場增長趨勢也很明顯。

太陽能電池的原理

太陽光照在半導體p-n結上，形成新的空穴-電子對，在p-n結電場的作用下，空穴由n區流向p區，電子由p區流向n區，接通電路後就形成電流。這就是光電效應太陽能電池的工作原理。

太陽能發電方式太陽能發電有兩種方式

一種是光—熱—電轉換方式，另一種是光—電直接轉換方式。

太陽能電池的分類
太陽能電池按結晶狀態可分為結晶系薄膜式和非結晶系薄膜式(以下表示為a-)兩大類，而前者又分為單結晶形和多結晶形。

按材料可分為硅薄膜形、化合物半導體薄膜形和有機膜形，而化合物半導體薄膜形又分為非結晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化鋅 (Zn 3 p 2 )等。

太陽能電池根據所用材料的不同，太陽能電池還可分為：硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池四大類，其中硅太陽能電池是目前發展最成熟的，在應用中居主導地位。

（1） 硅太陽能電池

硅太陽能電池分為單晶硅太陽能電池、多晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池三種。
（2） 多元化合物薄膜太陽能電池

多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽，其主要包括砷化鎵III-V族化合物、硫化鎘、硫化鎘及銅錮硒薄膜電池等。
（3） 聚合物多層修飾電極型太陽能電池

以有機聚合物代替無機材料是剛剛開始的一個太陽能電池製造的研究方向。由於有機材料柔性好，製作容易，材料來源廣泛，成本底等優勢，從而對大規模利用太陽能，提供廉價電能具有重要意義。但以有機材料制備太陽能電池的研究僅僅剛開始，不論是使用壽命，還是電池效率都不能和無機材料特別是硅電池相比。能否發展成為具有實用意義的產品，還有待於進一步研究探索。

（4） 納米晶太陽能電池

納米TiO2晶體化學能太陽能電池是新近發展的，優點在於它廉價的成本和簡單的工藝及穩定的性能。其光電效率穩定在10％以上，製作成本僅為硅太陽電池的1/5～1/10．壽命能達到2O年以上。

⑷ 集成電路也稱晶元是嵌入了多個門的矽片。一個矽片上嵌入多少個門的集成電路稱大規模集成電路

集成電路呈現在晶元上可以只有一個門single gate 等於硅晶上建立一個0和1 的開關叫門, 早期又稱電晶專體transistor。
目前的屬 VLSI very large silicon integrated 約為500M起跳

⑸ 為什麼電路板要用硅做我知道硅是半導體，謝謝

電路板本身是由有機材料（比如紙基或者玻璃纖維）以及導電材料（銅，鋁）等製成的，用不到硅。硅主要用於電子元器件上面，因為其獨特的半導體性質，很多電阻以及其它器件都用到硅，而且必不可少。

⑹ 硅集成電路是什麼時候發明,誰發明的

1956年，美國材料科學專家富勒和賴斯發明了半導體生產的擴散工藝，這樣就為發明集成電路提供了工藝技術基礎。
1958年9月，美國德州儀器公司的青年工程師傑克·基爾比（Jack Kilby），成功地將包括鍺晶體管在內的五個元器件集成在一起，基於鍺材料製作了一個叫做相移振盪器的簡易集成電路，並於1959年2月申請了小型化的電子電路（Miniaturized Electronic Circuit）專利（專利號為No.31838743，批准時間為1964年6月26日），這就是世界上第一塊鍺集成電路。
1959年7月，美國仙童半導體公司的諾伊斯，研究出一種利用二氧化硅屏蔽的擴散技術和PN結隔離技術，基於硅平面工藝發明了世界上第一塊硅集成電路，並申請了基於硅平面工藝的集成電路發明專利（專利號為No.2981877，批准時間為1961年4月26日。雖然諾伊斯申請專利在基爾比之後，但批准在前）。
基爾比和諾伊斯幾乎在同一時間分別發明了集成電路，兩人均被認為是集成電路的發明者，而諾伊斯發明的硅集成電路更適於商業化生產，使集成電路從此進入商業規模化生產階段。
集成電路的發明開拓了電子器件微型化的新紀元，引領人們走進信息社會。它的誕生使微處理器的出現成為了可能，也使計算機走進人們生產、生活的各個領域，成為人們工作、學習、娛樂不可或缺的工具，而在計算機誕生之初，它卻是個只能存在於實驗室的龐然大物。

⑺ 用硅做集成電路有什麼缺點

你好：
——★1、使用硅材料製作的半導體元件，包括硅二極體、硅三極體、集成電路等，穩定性很高，受溫度影響較小。
——★2、硅材料製作的半導體元件，談不上缺點。但它的特性（不足之處）是導通勢壘高（電壓降較高）。

⑻ 求12V逆變器後級四硅或雙硅電路圖

可否