柵極偏置電路

A. 場效應管基本自給偏壓電路中柵極電阻RG作用

提供柵極零電位的靜態偏置，如無該電阻，柵極靜態電位無法確保為零。

B. 柵極偏置電壓低於最低值會怎麼樣

是指柵極與參考地之間的電壓。
如果不加說明，任何電壓均指對地電壓。如果要考察柵極與其他節點之間的電壓，例如研究柵極與源極間的電壓，那就應該說是「柵—源電壓」。

C. 與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什麼特點

MOSFET是電壓型控制器件，它的柵極電壓決定著它的電流，不同的mosfet特性也不同，增強型、耗盡型的控制電壓不同。
這樣一來，mos的偏置需要一個准確的柵極電壓，而偏置電流卻很低，偏置電阻可以取到很大，這樣MOS的輸入阻抗也會很高。
D、S極與三極體略同。
相比於IGBT和BJT耐沖擊性好,故障率低.由於電導率負溫度系數,MOSFET可擴展性很好.大功率應用時,如成本不敏感,如軍用、工業、高端消費產品,MOSFET是最優選擇.低壓大電流領域是MOSFET的強項.
IGBT是和功率MOSFET同步發展起來的一類開關器件,IGBT的優點在於做大功率時成本低,堪稱「窮人的法拉利」,耐壓比MOSFET容易做高.相比於BJT,更少被二次擊穿而失效.常用於高壓（600V)應用領域.以及低端大功率（2000W)設備,如電磁爐、逆變器等.
BJT是最老的開關器件,目前由於國內仍有一批尚未淘汰的BJT生產線沒有停產,仍然活躍於低端市場.低壓BJT開關頻率可以較高,但由於飽和CE壓降高達0.4V以上而遠遜於MOSFET,只被用在最低端領域.高壓BJT驅動麻煩,需使用低壓大電流的電流源驅動,一般使用變壓器驅動.在驅動不當或電壓應力過大時容易發生二次擊穿而失效.適合中功率(50~1000W),對成本極度敏感的市場.
BJT有兩種驅動方式,一種是基極開關,一種是射極開關.射極開關的效率和開關速度都優於基極開關,是BJT應用的潮流.
答：MOSFET是穩定性最好的器件,不容易損壞.MOSFET常見的失效模式有：
柵極擊穿.即柵極和源極之間的絕緣層破壞.此時的MOSFET（此處均指增強型MOSFET）無法開啟.
封裝破裂.這是由瞬間高熱引起的.在瞬間產熱過大,散熱不良的情形下,樹脂封裝材料部分分解氣化並膨脹,把封裝撐裂.
漏源極之間擊穿.這是MOSFET最嚴重的一種失效模式,通常不易發生.發生後會導致短路而非斷路.會導致強電源灌進弱電部分,如輸入電壓直接進入控制晶元而燒毀很多控制電路.通常是持續溫度太高引起的（管芯溫度大面積超過200度持續工作時才可能發生)IGBT穩定性比MOSFET稍差,但仍強過BJT.除了MOSFET的失效模式外,還有二次擊穿的失效模式.
當IGBT持續超過安全工作區工作時,會出現還未大面積發熱就出現CE極擊穿的現象,這種擊穿稱為二次擊穿.IGBT出現二次擊穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出現.
BJT常見的失效模式有：
二次擊穿：最常見的失效模式,表現為晶元並未大面積發熱,但CE之間持續低阻.此時BJT已經損壞.如果是用在電源上沒有保護,則會進一步發展為整管熔毀.CB間絕緣破壞：比較少見,通常發生在整管熔毀時,或CB間承受的電壓高於VCBO時擊穿.
熱擊穿：在高溫下管子熱失效.通常不易發生,因二次擊穿發生更加容易,先發生二次擊穿.
MOSFET開關極快,而且是多子導電器件,沒有拖尾電流,損耗主要是開通時的輸出電容放電損耗.計算公式為:
Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,
V是MOSFET開通前一瞬間承受的電壓.
IGBT開關速度較快,沒有存儲時間,但存在拖尾電流.拖尾電流,就是在VCE已經升高的情況下,CE之間仍然有一股小電流流通一段時間,拖尾電流導致的電流--電壓交叉損耗構成了IGBT的主要損耗.
BJT開關速度慢,而且是少子器件,存在存儲時間.存儲時間就是基極電流已經切斷甚至反向,而集極和射極仍然保持完全導通的時間.在存儲時間後進入下降時間.下降時間是電壓、電流交叉的時間,交叉損耗發生在下降時間.低壓BJT由於β值高,下降時間比較短,存儲時間也可以通過肖特基箝位電路大幅減小,因此主要損耗在於導通損耗,開關損耗不太大.高壓BJT的存儲時間不容易通過箝位控制,下降時間也較長,主要損耗包括電流--電壓交叉損耗.
但必須注意,採用射極開關的BJT沒有存儲時間,下降時間也很短,開關損耗可以達到MOSFET的水準.
答：從損耗分析上來看,
MOSFET的主要損耗是輸出電容放電損耗,因此需要實現零電壓開通,即開通前一瞬間DS電壓為0.
電路形式有LLC半橋以及准方波諧振的變換器,如移相全橋ZVS,准諧振反激.
IGBT的主要損耗來自拖尾電流,因此需要實現零電流關斷,消除拖尾電流,即關斷前一瞬間CE電流為0.
電路形式有ZCS半橋、ZCS全橋.
BJT的主要損耗和IGBT相仿,主要在關斷時有電流--電壓交叉損耗,因此也應實行零電流關斷.

D. 什麼是自給偏壓電路啊

自給偏壓就是不必另外設置偏置電壓，電路能自己形成偏置的電路。這種情況內主要用在結型容場效應管中，不需要另外加柵極偏壓，只需要在柵極與地之間串接一個1MΩ的電阻就可以形成柵偏壓，當然漏極D下面應該接一個幾十至幾千歐姆的電阻就行啦。

E. 請問什麼叫偏置（模擬電路）

三極體工作於正常狀態，需要由基極提供控制電流；場效應管工作，由柵極提供控制電壓，要從基極或柵極提供電流或電壓時，必須有電路，通常使用電阻，這個給基極或柵極提供電流或電壓的電阻，就叫偏置電阻；偏置簡單理解就是：給三極體或場效應管提供正常工作條件的控制電路

F. N溝道增強型MOS管構成的分壓式偏置共源放大電路中柵極電流為0，那柵極...

因為場效晶體管的輸入電阻rGS是很高的，比RG1或RG2都高得多，三者並聯後可將rGS略去。顯然，由於RG1和RG2的接入使放大電路的輸入電阻降低了。因此，通常在分壓點和柵極之間接入一個阻值較高的電阻RG，這樣就大大提高了放大電路的輸入電阻。圖見這里http://www.dz3w.com/pic/010908/6.47.gif

G. 場效應管的柵極偏置電阻怎麼選合適

場效應管的柵極，一般都是絕緣柵，所以其柵極與漏極，源極是不導電的，
柵極電阻只是用於給柵級注入電荷或者抽干電荷，所以這個電阻大小應該以你所需要的信號上升、下降時間來選擇。

H. 柵極分壓式電路，適合哪些類型的場效管

分壓偏置適合任何類型
場效應管
。以及晶體管
自偏壓僅適合
結型場效應管

I. 場效應管三極體的偏置電阻，一般多少k，因為不會，計算偏置電阻，所以准備買個精一密電位器調，經驗太少

場效應管三極體的偏置電阻取值？？好比你憑空問買一輛車多少錢一樣，會有N種答案；

與場效應管、三極體連接的電阻大部分都屬於偏置電阻，如基極電阻、集電極電阻、發射極電阻，柵極電阻、源極電阻、漏極電阻等。那麼取值范圍就大了去了；

這個不是經驗少，而是電路知識少啊，工欲善其事必先利其器啊

J. 增強型絕緣柵場效應管能採用自偏壓偏置電路嗎其偏置電路應採用什麼類型

不能，對於絕緣柵場效應管需要另提供偏壓電源，