BEQ電路

① arm 中b 與bne的區別

一、意思不同

b：數據跳轉指令，標志寄存器中Z標志位等於零時,跳轉到BEQ後標簽處。

bne:數據跳轉指令，標志寄存器中Z標志位不等於零時,跳轉到BNE後標簽處。

二、作用不同

BNE指令，是個條件跳轉，即：是「不相等（或不為0）跳轉指令」。如果不為0就跳轉到後面指定的地址，繼續執行。

B 是最簡單的分支。一旦遇到一個 B 指令，ARM 處理器將立即跳轉到給定的地址，從那裡繼續執行。

三、執行跳轉的條件不同

例一：cmp同bne搭配

cmp r1,r2 //這個cmp搭配下邊的bne指令構成了如果r1≠r2則執行bne指令，跳轉到_loop函數處執行。否則，就跳過下邊

bne _loop//的bne指令向下執行。

例二：cmp同beq搭配

cmp r0,r1//如果r0=r1，就執行beq，跳轉到clean_bss函數處執行，否則跳過beq向下執行。

beq clean_bss

② 三極體放大電路中,設u b、u e分別表示基極和發射極的信號電位,則u b=U BEQ+u

三極體基極電壓等於基-發極電壓加上發射極電壓，即u b=U BEQ+ue。

③ 射極偏置電路里的V(BEQ)為什麼等於0.7V

硅管的VBE在三極體導通狀態下vBE的特性曲線，在IB變化時VBE變化不太基本為0.7V就象是穩壓二極體。

④ LED恆流源電路圖

R1是限流電阻，R2為反饋電阻，計算方法如下：
設工作時負載的電流為I,而三極體專的放大倍數為B,則流過基屬極的電流為I/B,限流電阻R1應該小於[V(S)-V(DZ1)]/(I/B),取一個最近值即可，而R2=[V(DZ1)-V(BEQ)]/I,其中V(BEQ)和I的值可以在三極體使用說命中查到！

⑤ 模電題目，2.7和2.11求電流Ibq為什麼求出來是0哪裡錯了

2.7題
1、用分壓法求得：Ubeq=3*15/59=.76v。故偏置電路能保證放大電路能工作在正常狀態。2、這時，內Ib1=Is=0.76/3=0.253mA。
3、由於Ibeq的存在，故實際容 Ubeq=0.6v左右。實際的Ibeq=0.253mA-0.6/3=0.053mA。
4、Ic=80*0.053=4.27mA（一會要驗算）。
5、Rc的壓降：5*4.27=21.3v，比電源電壓高，顯然不合適。唯一解釋就是由於Rc的作用，使得三極體不能工作於放大狀態（應該為非線性區）。
由於電路圖不清晰，無法得到正確答案，但方法你可以參考。
2.11，注意電容存在時，交流電是沒有阻抗的（短路了反饋電阻）

⑥ led恆流源電路

R1是限流電阻，R2為反饋電阻，計算方法如下：
設工作時負載的電流為I,而三極體的放大倍數為B,則流過基極的電流為I/B,限流電阻R1應該小於[V(S)-V(DZ1)]/(I/B),取一個最近值即可，而R2=[V(DZ1)-V(BEQ)]/I,其中V(BEQ)和I的值可以在三極體使用說命中查到！

⑦ 兩道關於三極體微變電路的電路題

第一題,
Uce=Vcc-Rc*Ic
9=12-3000*Ic
Ic=3mA
ib=Ic/50
=3/50
=0.06mA
Ie=Ic+Ib

rbe=300＋（1＋beta）*（26/Ie）(26是一個常數)
=300+51*26/3.06
=742
Rb=(Vcc-Vbe)/0.06 (Vbe=0.7 是常數)
=14.3/0.06
=238K
Ri=Rb//Rbe
=238K//0.742K
約等於238K
Ro=RC//RL
=3K//3K
=1.5K
A=【beta（Rc//Rl）】/rbe
=(50*1.5k)/0.742
=100(約等於,方便計算)

放大及靜態工作點不穩定,容易隨溫度及晶體的差異,容易產生偏差.

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第二題
Uceq=Vcc-Rc*Ic
=15-3*2mA
=15-6
=9V
(Rb+Rp)*Ib=Vcc-Vbe
Ib=Ic/50
=2/50
=0.04mA
Rb+Rp=14.3/0.04mA
=357K (因缺少rb的值故無法分離RP的值)

放大倍數,輸入,輸出阻抗.請參閱第一題
方法一樣

⑧ 求如圖所示的電路靜態工作點，設三極體U(BEQ)=0.7V

三極體要飽和必須發射結和集電結都正偏，ie=[[0-(-6)]-0.7]/Re,Ve=iexRe+(-6),Vb>Ve,ic約等於ie,Vc=6-Rcxie,Vb>Vc;

⑨ 大學物理模擬電路中，那個晶體管的U beq是默認0.7V嗎為什麼

硅管QQ.7v鍺管管0.3v，這是由於be的伏安特性決定的導通壓降在這個數佐附近，可近似看作0.7V和和0.3v。

⑩ 模電基本放大電路求靜態工作點 直流電路圖怎麼畫 如圖 主要是第一問不太會 大恩不言謝

畫直流通路方法：令輸入為零（即電壓源短路、電流源開路），電容器（如果有）開路。
對於本題，有ui=0，即輸入端（Rb左邊）接地。此時，由基爾霍夫電壓定律KVL，R(b)的端電壓（由I(BQ)產生）與BJT發射結壓降U(BEQ)之和等於VEE，I(BQ)可由此求出。
I(CQ)與I(BQ)由β聯系。
由基爾霍夫電壓定律KVL，R(c)的端電壓（由I(CQ)產生）與BJT集-射壓降U(CEQ)之和等於VCC+VEE。