可控硅驅動電路

『壹』 超大電流雙向可控硅驅動電路

具體可看下雙向可控硅觸發電路，有4象限觸發方式，且只有一個控制腳，該電路直接用交流降壓作為觸發信號

『貳』 場效應管和可控硅驅動電路一樣嗎

他們的驅動電路是有本質上的區別，首先場效應管通常分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其中絕緣柵型場效應管也叫MOS管（有一種場效應管、三極體混合的器件叫IGBT俗稱門控管，該器件的驅動電路與場效應管的驅動電路幾乎一樣），這種驅動屬於電壓驅動，在大多應用在功率輸出、電力變換等場合，要求最好採用PWM（脈寬調制）信號來控制，其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭（也稱圖騰柱輸出），並且要有一定的瞬態驅動能力（因為場效應管的柵極等效一個電容，當驅動信號的瞬態功率不夠時，其原本的波形將被改變，通常等效為一個積分器），要求導通時，其柵極電壓要相對於源極高10-20V左右，典型值15V，而關斷時為了保證場效應管關斷可靠，該電壓此時應該為-15V，在實際應用中為了減小場效應管的功耗過大或防止其損壞一般要加如過流保護和相關吸收電路，並且盡量做到場效應管的工作頻率與負載的諧振頻率相同，典型應用就是電磁爐，流過爐盤（加熱線圈）的電流與流過吸收電容的電流各自雖然都很大，但相位不同，互相抵消，經疊加後的總電流較小，即流過場效應管（實際用IGBT）的電流較小。下圖為場效應管的典型驅動電路：

『叄』 可控硅控制電路

有專門的觸發器的，單相。三相都有

『肆』 關於MOC3021驅動雙向可控硅典型應用電路的問題

MC3021之2腳為低電平時雙向可控硅導通，當它為高電平時，交流電的下一個過零點後截止。
RC的值圖上已有標准值。
兩電阻的功率沒有明確經驗值，1/4W貌似也可以正常工作。

『伍』 可控硅驅動電路

光耦的應該會有兩個電源的是吧？！一個高電壓，一個低電壓，可以隔離開來，這樣安全性能比較高；
脈沖變壓器的話，一個電源搞定，方便省事。
各有好處，看用在什麼情況了。。。

『陸』 如何驅動雙向可控硅使其控制電源通斷

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由於雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網路中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號載入到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常採用過零觸發電路。過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由於採用過零觸發，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路。

1 過零檢測電路

電路設計如圖1 所示，為了提高效率，使觸發脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大於4V ，脈沖寬度應大於20us.圖中BT 為變壓器，TPL521 - 2 為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極體截止，三極體T1基極的偏置電阻電位使之導通，產生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51 的外部中斷0 的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然後發出雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B 兩點電壓輸出波形如圖2 所示。

原理簡介：

1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

2，由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，條件如下：

A、從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。

B、維持導通1、陽極電位高於陰極電位，2、陽極電流大於維持電流，兩者缺一不可。

C、從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位，2、陽極電流小於維持電流，任一條件即可。

『柒』 可控硅控制電路問題

附圖是MOC3061應用實例，用來對照。

R49是可控硅控制極的限流電阻。R48用來防止可控硅誤觸發。R47和C41組成RC吸收迴路，不讓瞬間過壓造成可控硅誤導通或損壞。

『捌』 三極體驅動雙向可控硅電路

可控硅和SIP2互換位置，可控硅T1腳接直流電的負極。還有那MCU的2腳即ⅤCC腳串聯一個電容，那直流電源也不通啊，MCU沒有電源哪。把MCU的2腳要接在穩壓管負極上，即VCC那點上。

『玖』 可控硅驅動脈沖驅動不了

1.可控硅的電壓不夠
2可控硅的帶載能力不夠，驅動不了。
3.可控硅損壞

『拾』 我現在有一個可控硅控制電路，驅動是用的只有幾伏電壓，為什麼可控硅輸出只有100多伏。

驅動電壓不能滿足可控硅要求的話是無法導通的