電路工藝角

㈠ 超大規模集成電路的發展現狀

截至2012年晚期，數十億級別的晶體管處理器已經得到商用。隨著半導體製造工藝從32納米水平躍升到下一步22納米，這種集成電路會更加普遍，盡管會遇到諸如工藝角偏差之類的挑戰。值得注意的例子是英偉達的GeForce 700系列的首款顯示核心，代號『GK110』的圖形處理器，採用了全部71億個晶體管來處理數字邏輯。而Itanium的大多數晶體管是用來構成其3千兩百萬位元組的三級緩存。Intel Core i7處理器的晶元集成度達到了14億個晶體管。所採用的設計與早期不同的是它廣泛應用電子設計自動化工具，設計人員可以把大部分精力放在電路邏輯功能的硬體描述語言表達形式，而功能驗證、邏輯模擬、邏輯綜合、布局、布線、版圖等可以由計算機輔助完成。

㈡ mos工藝中工藝角（ttffss）都是代表什麼

由於工藝偏來差，即使在同一圓片源上的晶元，就是不同位置的器件屬性會有所不同，就拿MOS管來說（電阻、電容類似)，會有FF、SS、TT、FNSP、SNFP情形，表現出來的特性除了閾值電壓不一樣以外，還有其他一些參數會有所不同，詳情可參見Spicemodel工藝文件.Foundry提供這些工藝角是因為他們的工藝在製作過程中會有所偏差，所以我們在設計晶元時需要考慮工藝偏差，在設計階段使其在各種工藝角下都能正常工作，這樣才能使最後的晶元可靠。
拉扎維，模擬CMOS集成電路設計，中文版，490頁
單一器件所測的結果為正態分布，均值為tt，最小最大限制值為ss與ff。

㈢ 請教工藝角問題

由於工藝偏差，即使在同一圓片上的晶元，就是不同位置的器件屬性會有所不同，回就拿MOS管來說（電阻答、電容類似)，會有FF、SS、TT、FNSP、SNFP情形，表現出來的特性除了閾值電壓不一樣以外，還有其他一些參數會有所不同，詳情可參見Spicemodel工藝文件.Foundry提供這些工藝角是因為他們的工藝在製作過程中會有所偏差，所以我們在設計晶元時需要考慮工藝偏差，在設計階段使其在各種工藝角下都能正常工作，這樣才能使最後的晶元可靠。
拉扎維，模擬CMOS集成電路設計，中文版，490頁
單一器件所測的結果為正態分布，均值為tt，最小最大限制值為ss與ff。

㈣ 怎麼製作開關電源ic

電源ic是指開關電源的脈寬控制集成來,電源靠它自來調整輸出電壓電流的穩定.
開關電源是一種電壓轉換電路，主要的工作內容是升壓和降壓，廣泛應用於現代電子產品。因為開關三極體總是工作在
「開」
和「關」
的狀態，所以叫開關電源。開關電源實質就是一個振盪電路，這種轉換電能的方式，不僅應用在電源電路，在其它的電路應用也很普遍，如液晶顯示器的背光電路、日光燈等。開關電源與變壓器相比具有效率高、穩性好、體積小
開關電源簡化圖等優點，缺點是功率相對較小，而且會對電路產生高頻干擾，電路復雜不易維修等開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制（pwm）控制ic和mosfet構成。開關電源和線性電源相比，二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長，但二者增長速率各異。

㈤ 目前使用的計算機採用( )為主要電子元器件。

是D。

如果是A的話那麼計算機的體積至少要比現在大上萬倍，而且功能也不多，工作也不穩定。

如果是B那體積也要比現在大上百倍，而且操作比較難。

至於C晶體管，想要用晶體管製造一台如今的計算機那需要用幾千萬億個晶體管，不要說使用單是製造一台電腦就需要很長的時間，成本也會很高，體積也要比現在的大幾千倍。所以正確的答案應該是D。

(5)電路工藝角擴展閱讀：

硬體方面，邏輯元件採用大規模和超大規模集成電路（LSI和VLSI）。軟體方面出現了資料庫管理系統、網路管理系統和面向對象語言等。1971年世界上第一台微處理器在美國矽谷誕生，開創了微型計算機的新時代。應用領域從科學計算、事務管理、過程式控制制逐步走向家庭。

由於集成技術的發展，半導體晶元的集成度更高，每塊晶元可容納數萬乃至數百萬個晶體管，並且可以把運算器和控制器都集中在一個晶元上、從而出現了微處理器，並且可以用微處理器和大規模、超大規模集成電路組裝成微型計算機，就是我們常說的微電腦或PC機。

微型計算機體積小，價格便宜，使用方便，但它的功能和運算速度已經達到甚至超過了過去的大型計算機。另一方面，利用大規模、超大規模集成電路製造的各種邏輯晶元，已經製成了體積並不很大，但運算速度可達一億甚至幾十億次的巨型計算機。我國繼1983年研製成功每秒運算一億次的銀河Ⅰ這型巨型機以後，又於1993年研製成功每秒運算十億次的銀河Ⅱ型通用並行巨型計算機。這一時期還產生了新一代的程序設計語言以及資料庫管理系統和網路軟體等。

隨著物理元、器件的變化，不僅計算機主機經歷了更新換代，它的外部設備也在不斷地變革。比如外存儲器，由最初的陰極射線顯示管發展到磁芯、磁鼓，以後又發展為通用的磁碟，現又出現了體積更小、容量更大、速度更快的只讀光碟（CD—ROM）。

㈥ 一款IC，每款打10PCS，共10PCS是什麼意思啊急

數量單位
可以說10個,10片

㈦ hspice可是模擬fpga嗎

這是一個示例的hspice輸入文件，具體的語法見hspice使用手冊。這里簡單描述一下各語句的含義。hspice輸入文件按大塊分為三塊，一是電路描述語句，二是電路分析語句，三是輸出描述語句。如果再細分，還有標題語句，注釋語句，結束語句。這樣共六塊。
.option屬於電路分析語句，後面跟著的都是分析參數，參數的詳細意思見參考手冊。.lib .temp .inc屬於電路描述語句。.lib指定電路參數的模型名，即libnam.lib，也是一個文本文件，晶圓廠會提供每種工藝的模型文件，後面的TT指定工藝角為TT。.temp指定溫度25攝氏度。.inc即.include，指將名為netlist的文件包含進這個輸入文件，效果和將netlist文件中的全部文本復制到此文件中是一樣的。.ic指給定電路一個初始值，不然電路不會動了。.tran為分析語句，指瞬態分析，後面的意思是分析電路100u即一百微秒以前的關況，0.1u指每零點一微秒步進一次。.plot為輸出語句，後面tran指輸出.tran的分析，即瞬態分析。.end結束語句。
hspice輸入文件寫好以後，假設這個文件保存為my.sp文件，則在終端中輸入hspice my.sp，然後hspice開始運行，不斷輸出一些文本。運行結束以後，目錄就會多出一些文件，其中my.tr0指瞬態分析的波形文件。用查看波形的軟體，比如awaves打開波形文件（在終端中敲 awaves），可查看波形。或者用更好的波形查看工具Sandwork的Spice Explorer查看，打開方法是在終端中敲sx，軟體開啟後 Import進波形文件即可。

㈧ 模擬電路里的工藝角的具體涵義是什麼

ss:NMOS/PMOS Vth較高，ff:NMOS/PMOS Vth較低；
閾值電壓Vth的高低直接影響器件的性能，
同樣的條件下，Vth低相應的回跨導gm,電流I都會較高：答
gm=k*(W/L)(VGS-Vth),
Isat=1/2*k*(W/L)(VGS-Vth)^2
GBW=gm/Cc
……

㈨ mos工藝中工藝角（tt ff ss）都是代表什麼

Finish-to-Start (TT)，把這個任務的開始日期和前提條件任務的結束日期對齊，一般用於串列的任務安排，前一個任務必須完成後才能啟動下一個新任務。

Start-to-Start (SS)，把這個任務的開始日期和前提條件任務的開始日期對齊，一般用於並行任務的安排，也可以一個任務啟動後，第二個任務延後或提前數日啟動。

Finish-to-Finish (FF)，把這個任務的結束日期和前提條件任務的結束日期對齊，可以用於協調任務的統一時間完成，這樣可以定義好任務的開始時間

NMOS的結構如下：在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，製作兩個高摻雜濃度的N+區，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。

然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。

(9)電路工藝角擴展閱讀：

當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層。

且與兩個N+區相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。

vGS越大，作用於半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示。

N溝道MOS管在vGS<VT時，不能形成導電溝道，管子處於截止狀態。只有當vGS≥VT時，才有溝道形成。

這種必須在vGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管。溝道形成以後，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產生。

㈩ 如何選擇開關電源的IC

先設計好原理圖，完成前模擬，設計好版圖，完成後模擬，包括工藝角模擬專(這些過程可以用屬cadence
IC或者ADS等軟體完成)，就可以送去流片了，可以選擇SMIC或者台積電等廠家。
小量流片的費用大概是20至50萬元，具體價格視晶元規模和工藝類型而定。一般開關電源ic規模不大，工藝要求也不高，估計十萬多元就夠了，很便宜。大約需要一個月至幾個月的時間，可以獲得幾十個樣片。另外，教育部每年都有免費流片的計劃，如果符合條件，可以去申請。
取得樣片後，要進行測試，包括各項指標，以及指標的一致性。根據測試的結果確定是否要修改後繼續流片，如果測試結果滿足要求，就可以批量投產了，批量我沒做過，所以不知道價格如何。