集成電路尺寸

『壹』 集成電路中的90nm/12英寸是什麼意思

90nm是指集成電路中的復最制小特徵尺寸，反映了加工工藝的精度水平。
12英寸是指製造集成電路所採用的大圓片的直徑。
特徵尺寸越小，則集成度就越高，性能也就越優良。
大圓片的直徑越大，則加工能力就越強，生產率也就越高。

『貳』 集成電路中的線寬和特徵尺寸有什麼不同

一個特定工藝的特徵尺寸就是該工藝里允許的最小線寬，也就是最小溝道長度專(L)。
比如65nm工藝的屬特徵尺寸就是65nm，就是說設計的MOS管的L最小是65nm，而整個版圖設計里不會出現比65nm更小的線寬。

『叄』 目前世界上最新的集成電路特徵尺寸是多少

俺已經退休，了解的不很准確，估計最先進的特徵尺寸大約是十幾納米，大規模生產的特徵尺寸大約二十幾納米。

『肆』 超大規模集成電路有多大

集成電路的集成度從小規模到大規模、再到超大規模的迅速發展，關鍵就在於集成電路的布圖設計水平的迅速提高，集成電路的布圖設計由此而日益復雜而精密。中國的集成電路產業起步於20世紀60年代中期，現在已經初具規模，形成了產品設計、晶元製造、電路封裝共同發展的態勢。 集成電路的廣泛應用，極大地推動了社會經濟的發展，促進了信息時代的加速到來，並正在深刻改變著人類的生產生活。現在，集成電路的技術水平和產業規模已經成為衡量一個國家科技發展水平、綜合國力強弱和產業結構高級化程度的公認標准之一，集成電路產業也成為關繫到國家安全和國民經濟發展的戰略性產業之一。各發達國家和諸多新興國家及地區紛紛投入巨額資金，不惜血本地加入這一競爭激烈的領域。 研製開發一種新的集成電路，需要在布圖設計方面耗費大量的人力、物力和財力。然而，集成電路布圖設計的可復制性決定了先進的布圖設計容易被他人復制，侵權人可以輕而易舉地以較小的代價進行仿製。內這就嚴重損害了布圖設計研製開發者的利益，從而也影響了集成電路新產品的研製開發。從20世紀70年代起，集成電路盜版問題迅速增長。據集成電路行業的巨頭英特爾公司的統計，集成電路的盜版可以節省90%以上的開發成本和一年半左右的開發時間。盜版廠商以低廉的成本復制集成電路的布圖設計，極大的挫傷了前期投入昂貴的研發費用的正規開發商的積極性。盜版問題已經成為集成電路產業發展的一個嚴重障礙。為了維護集成電路研製開發者的智力勞動成果，保障集成電路研製生產的正常開展，世界各國以及相關的國際組織紛紛尋求從知識產權角度加強對集成電路的布圖設計的保護。 一、保護模式：漸進與統一 世界各國對於集成電路布圖設計的保護通常採用三種模式：專利法保護、版權法保護以及專門立法保護。但在實踐中，通過專利制度或者版權制度保護集成電路布圖設計都存在一定的不足，通過專門立法加以保護成為目前世界各國包括國際條約的普遍選擇。 （一）專利法保護 部分國家將集成電路的布圖設計作為一種可專利的技術方案，通過向集成電路的技術設計方案授以專利權的方法來進行保護。 僅從理論上分析，集成電路的布圖設計實質上是一種圖形設計方案，如果根據該設計生產出的集成電路產品符合專利法所規定的條件，的確可以獲得專利權授權。對於被授予專利權的集成電路產品未經專利權人許可，他人不得製造、銷售、使用和進口，否則必須承擔侵權的法律責任。然而，大部分集成電路布圖設計都屬於對於已知電路的重新設計，在設計的時候必須遵守工程設計的基本原理、方法和規范，還必須採用相當數量通用性的常規設計；上述這些知識已進入公有領域，所以，集成電路的布圖設計往往缺乏專利授權必須的新穎性。此外，集成電路在專利法要求的創造性方面也顯得力不從心。集成電路不論其規模有多大，其布圖設計的中心思想都是實現電路集成的功能。為實現這一目的，布圖設計將電路圖中的多個元器件合理地分布在多個疊層中，並使其互連，形成三維配置。因而，同類集成電路產品的布圖設計方案不會有太大的變化，研製開發不過是在提高集成度、節約材料、降低能耗方面下功夫，很少具備實質性的差異，因而也很難達到專利法對創造性的要求。何況，布圖設計也只是產品的一種中間形態，沒有獨立的產品功能。換言之，布圖設計不同於專利法中能夠直接運用的技術方案。此外，集成電路技術更新換代相當快，技術的生命周期非常短，而專利申請與審批的時間卻比較長，這也不利於集成電路技術及時獲得專利法的保護。 鑒於通過專利制度保護集成電路的布圖設計存在難以逾越的障礙，除需對《專利法》進一步完善外，對集成電路布圖設計的保護還需其他法律部門共同調整。 （二）版權法保護 也有部分國家將集成電路的布圖設計作為一種圖形作品，將其納入版權法中作品的范圍，通過版權法給予保護。典型的例子是美國1984年制定的《半導體晶元保護法案》，該法案明確採用類似版權的保護方式對集成電路進行保護，並續接到美國版權法，並將其保護客體稱為「掩膜作品」，而不是簡單地稱為「掩膜」。根據該法案將「掩膜作品」定義為，一套已固著或已編碼的相關圖象，它們(A)具有或表示半導體晶元產品各層預定出現或不出現金屬、絕緣或半導體材料形成的三維空間圖形；並且(B)此套圖象之間的關系是每個圖象在半導體晶元中都有一種形式的平面圖形 。可見，在美國集成電路作為一種單獨的作品種類已經被納入了廣義版權法的保護范圍。 在傳統版權法的理念中，版權法的保護對象是文學、藝術和科技作品，其中也包含工程設計、產品設計圖紙等圖形作品。集成電路布圖設計圖紙具備了獨創性的要求，即受到版權法的保護，這自然是題中應有之意。但是，單純以版權法保護集成電路，在保護力度上顯得很吃力，很難提供充分有效的保護。 從布圖設計的作用來看，它與享有版權的作品明顯不同。作品的作用主要是供人欣賞，而布圖設計及含布圖設計的集成電路是一種電子產品，布圖設計的作用不是供人欣賞，而是為了執行電子電路的功能。也就是說，一般作品不具有功能性，而布圖設計則具有鮮明的功能性。如果不具備電子電路的功能，就不成其為布圖設計。因此，從功能性出發，不難發現布圖設計與版權法中的圖形作品存在本質上的不同。 即使將版權法上的作品擴大解釋為包括布圖設計在內，也不能有效的保護布圖設計。作品保護的方式主要通過制止他人未經權利人許可的復制，而此種方式對布圖設計並沒有實際的意義。通常，針對集成電路布圖設計的侵權並不是將他人的布圖設計簡單的復制下來，而是將他人的布圖設計不法的應用到自己的集成電路中去，這個過程已遠非版權法上的「復制」能夠概括的。所以，國外關於集成電路的立法以及相應的國際條約中都沒有使用「」一詞，而是使用了「reproce」。雖然，中國的立法和相關的學術論文中，我們仍然使用「復制」這一詞語，但這種「復制」已經不再是版權法意義上的復制了。 況且，版權法只保護作品思想的表達形式，不保護作品思想本身，因此很難通過版權法保護集成電路布圖設計中的技術創新和進步。此外，版權的保護期限過長，一般為作者創作完成後的有生之年外加死後50年。而集成電路技術更新換代的時間非常快，給予太長的保護期限容易造成技術的壟斷，影響集成電路技術的借鑒與推廣，限制了先進的技術在全社會范圍內的共享。因此，單純的採用版權法來保護集成電路顯然也不是一個明智的選擇。

『伍』 請問集成電路現在最小的特徵尺寸是多少

估計最先進的特徵尺寸大約是十幾納米，大規模生產的特徵尺寸大約二十幾納米。

『陸』 半導體器件的特徵尺寸是指什麼

在集成電路領域，特徵尺寸是指半導體器件中的最小尺寸。在CMOS工藝中，特徵尺寸典型代表為「柵」的寬度，也即MOS器件的溝道長度。一般來說，特徵尺寸越小，晶元的集成度越高，性能越好，功耗越低。

特徵尺寸（溝道長度）的縮小雖然有明顯的好處，但是也會帶來一系列負面效應，統稱為「短溝道效應」。例如，場效應管強調的是柵極電壓的控製作用，但是在溝道短到一定程度時，源與漏之間會存在漏電流，即使撤掉了柵極電壓，也可能關不斷MOS管。

(6)集成電路尺寸擴展閱讀

半導體器件（semiconctor device）通常利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。

三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極體）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩類。

根據用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低雜訊晶體管。除了作為放大、振盪、開關用的 一般晶體管外。

還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應感測器等。這些器件既能把一些環境因素的信息轉換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。

此外，還有一些特殊器件，如單結晶體管可用於產生鋸齒波，可控硅可用於各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低雜訊的半導體接收器件接收微弱信號。

隨著微波通信技術的迅速發展，微波半導件低雜訊器件發展很快，工作頻率不斷提高，而雜訊系數不斷下降。微波半導體 器件由於性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰等系統中已得到廣泛的應用。

『柒』 集成電路的特徵尺寸

線寬

『捌』 什麼是集成電路的特徵尺寸

集成電路的特徵尺寸一般是指最小的加工尺寸；對於MOSFET，通常是指溝道長度。

『玖』 目前集成電路最小的關鍵尺寸

據說是10nm 由於量子效應的出現 可能會朝著量子集成電路方向發展

『拾』 集成電路尺寸越小,集成度越高對不對

不對。應該是集成電路晶片的單位面積的元件（器件）數越大，集成度越高。