電路kbc

A. 誰能給我個筆記本主板電路圖上的英文字母解釋大全

1.RTC電路：南橋內部的實時時鍾電路，也可以叫CMOS電路，主要用來存儲時間和日期和ESCD(擴展系統配置數據)。
& ^" R! e$ y) |% M: Z2.返回電路（模塊）：是南橋內部的電源管理模塊的一部分，所有的SLP信號都是由此模塊電路完成。' w/ v; O" [" X/ @/ t, I
3.VccSus:ICH4裡面的返回模塊(重新開始模塊）的電源，有VccSus3_3 VccSus1_5和V5REF_Sus三個電源。
9 [3 D/ [- R6 {其中VccSus3_3是返回模塊I/O緩沖電路電源;3 a# B" }- z' ?3 x7 ?
VccSus1_5是返回模塊的主電壓『
( h) e: k; `7 S$ X8 iV5REF_Sus是返回模塊的5V參考電壓輸入。' e6 i) h5 `$ p G5 d- x# y ?6 Q
4.PWROK：這個信號是由外部送往ICH4M的代表ICH4的核心電壓正常的電源好信號，當PWROK取消時，ICH4將會引用PCIRST#。
2 a3 C# Q* Z( P# O# i% b 值得注意的是，在3個RTC時鍾之內，PWROK失效。這樣才能保證ICH4產生正常的PCIRST#。
7 j& {( U* _1 ~) l/ x$ h8 p5.VGATE/VRMPWRGD(VGATE/VRM Power Good）：這是由CPU核心電源管理器產生輸出給ICH4的代表CPU電源正常的電源好信號。# p4 q) r: i4 S3 a2 d9 z
6.CPUPWRGD(CPU Power Good）：這是由ICH4輸出給CPU的一個電源好信號，與CPU相連。南橋發出這個信號的意圖在於告訴CPU所有的電源已經正常，可以進入待命狀態。這個信號在ICH4內部是有PWROK和VGATE/VRMPWRGD相與後形成的。
7 `: i2 s( o" U2 c( K7.RSMRST#：南橋所需的返回模塊復位信號輸入。
" K( Y8 @3 z. y4 d7 I8.SUS_STAT#(suspend statas):掛起狀態指示。當這個信號被引用時，表示系統將要進入低功耗狀態。
8 H4 e! Z/ L# G: K9.V_CPU_IO#:CPU的I/O電源，南橋需要這個電源來輸出處理器的介面信號。
0 a O/ a% q0 N" S9 R4 R: A10.SUSCLK：南橋內RTC電路產生的掛起時鍾，用來給外部晶元作為刷新時鍾用。在IBM,SONY等機器中常有使用。在待機時，當這個時鍾送到主板的EC/KBC（通常為H8S）後，EC/KBC將進入低功耗模式，此時H8S自身的震盪進入跳波狀態。 v$ O: j1 K3 |" \" j
11.SYS_RESET#(system reset)：這個信號輸入到南橋並經南橋防反跳之後，將強行復位南橋的內部邏輯，從而使機器重啟
! N( R; ?/ R" y9 s! q1 e- n N: Z J+ L( u9 Z

8 s: `; e- Z6 Q/ d. q1 |ADJ 可調 Adjustable 比如大小和方向 控制的意思是通斷了 ; k4 i0 M# M$ q8 w4 D: c
VID 電壓識別 Voltage Identification
2 I; `2 m1 V9 o* Z. D6 Z& YSS 軟啟動 (soft Start兩個單詞的縮寫）
* D2 e/ {7 v5 }' a; f5 E2 cFB 反饋 (feedback單詞的縮寫）
2 m+ F& d: C$ I: D9 aCOMP 補償 (Compensatory單詞的縮寫） / A1 [) I9 a( f, D D
VSEN 電壓偵測 voltage senser
* Q3 @# y4 |% _' t7 F5 H1 x" ~ISP 電流偵測 p 正端 與 isn n負端 對應
/ n6 |% e3 b6 U8 ~) [0 _IRMP 沒查到 Ramp amplitude PWM ramp amplitude set by external resistor. Ramp
+ K) R! F! ~9 u- s' f6 O, [amplitude 脈寬調制用的 用這個電阻調節振幅斜率
h1 v/ l; `9 W" p5 Q8 }& uDVD 沒查到 uvlo 欠壓鎖定腳 低於某值就保護
4 T# {; @6 r, kIMAX 最大電流 (不知道對不對）對 Over current protection amplitude set. 過流保護幅度設置 % `9 e7 ~. V# e9 l# S% `) z
PWM 脈寬調制 Pulse-Width Molation
8 x, w" z. u' Z5 X* H: _ISN 沒查到
7 D F ~7 k2 V8 L# B8 J5 {( e7 yCAS#：列選信號
; P) Y: q& b3 {' M: GRAS#：行選信號! f0 `* [+ J% `+ m) L7 Q: _4 [; v
WE#：允許信號（高電平允許讀，低電平允許寫）
7 I2 k! D7 Q' Z1 Q) V- E5 r/ uCS#：片選信號6 ]) d; }$ z5 W9 _. D: j
SCL：串列時鍾，/ S( |! }5 S& s7 A
SDA：串列數據，由南橋提供3.3V電壓
* Q7 h8 }7 N% }FRAME#：幀周期信號3 f; ]# l. Y: f: Q& ^3 V1 a7 P
TRDY#：從設備准備好- z( u& k" K0 j6 ^& h/ [$ l/ @6 ^
IRDY#：主設備准備好 G. Q- e) K( ~7 g$ y4 X/ T
DEVSEL#：設備選擇信號
% |% j$ }/ t/ B) ?* D1 O6 j# ZC/BE#(0)、C/BE#(1)、C/BE(2)、C/BE(3)，是命令/位元組允許信號, ]" ~# e# o& E8 ^2 r/ w
OVP 是過壓保護，OCP是過流保護
?# E' v6 ]$ R$ z+ YINV-PWM 是高壓板驅動控制信號
; A$ K- C; i2 d2 CCLK：時鍾 INPUT CPU：初始化 RESET：復位 2 _5 d; _5 |+ A, x- o( X( x# m) O- n8 J
ADS：地址狀態 BEO#-7#：位元組使能 AP：地址偶校驗
0 c4 l6 Q b) f% i! a: A6 MAP：地址偶校驗 DP0-7：數據偶校驗 INIR：可屏蔽中斷請求
. M) N r% p3 m3 vDBSY：數據忙 SCYC：裂開周期輸出 HIT#：命中指示
8 F2 Z6 U k: C7 S' ]0 r1 [NMI：非屏蔽中斷請求 INV：無效輸入 IERR：內部檢驗錯 & V$ t$ J! s% ]- Q7 l
BREQ：內部匯流排佔用請求 BUSCHK：匯流排檢查輸入 A20M#：地址位20屏蔽
4 b' i, T+ n. q3 G7 j, IPWT：頁面高速緩存內存通寫 PCD：頁面高速緩存禁止 EWBE#：外部寫緩沖器輸入
4 v( O3 [3 K# v: Z' n, G4 J4 AAPCHK#：地址校驗檢測狀態 FLUSH#：高速緩存清洗 AHOLD：地址佔用請求 ; g- [1 W& o+ }, ~3 y
M/IO#：內存/IO指示 LOCK：匯流排封鎖 SMIACT#：系統管理中斷請求
' n. `, S, G" t3 T! S8 c' M* RSMT#：系統管理中斷 FERR#：浮點數值出錯 BOFF#：匯流排屏蔽 ( K/ K+ e% C% L4 q3 j* \' w
IGNNE#：忽略數值出錯 HLDA：匯流排佔用響應 HOLD：匯流排佔用請求
, @" u$ G" R5 D+ X/ ?4 I X) z- xNMI：非屏蔽中斷請求 # P5 b5 |) U1 ? p+ O( \
EADS#：有效外部地址 INIR：可屏蔽中斷請求 KEN#：高速緩存使能
8 x( V- x/ d/ H7 t) APCHK#：奇偶校驗錯使能 SDONE：監聽完成信號 SERR：系統錯誤報告
& D8 r, S% H- B( B/ S0 z [: YPAK64：奇偶雙位元組校驗 DEVSEL：設備選擇 STOP：停止數據傳送 , D( @, C! W! Y* e1 t- x* D

B. 電路圖中什麼叫時鍾和復位

當所有晶元組系統供電供電正常後其會發出信號來送到一個特殊的單元小電路(只是門電路集成塊)

1

然後通過各種邏輯運算之後會產生一個最終形成的PG信號並將其送到KBC在送到KBC後再向cpu供電電路發出一個開啟信號來開啟cpu供電電路這個信號就是VR_ON這個信號被cpu供電晶元收到之後成功發出脈沖方波來產生相應的CPU供電電壓當這供電正常之後會發出VRM_PWRGD來送到時鍾產生電路作為時鍾電路的工作條件之一另外當供電最終穩定輸出正常以後會向KBC發出cpu供電的好信號

2

當KBC收到以後向南橋發出ICH_PWRGD同時另一路向北橋發出NB_PWRGD而此時當SB收到了信號之後其會發出開啟時鍾電路工作的另外兩個關鍵的開啟信號CPU_STP#和PCI_STP#

3

當這兩個信號成功被時鍾電路成功收到以後當時鍾電路3.3V供電或者2.5v供電正常後其14.318Mhz晶振將起振然後接下來當clk_en的開啟和另外兩個cpu_stp信號和PCI_STP信號均正常以後時鍾電路會通過各時鍾產生引腳向各設備發出各自的時鍾信號而這里關鍵的時鍾在於25引腳產生的ICH_CLK+當這個時鍾成功送到SB後SB將開始對全部的硬體設備進行復位以及

4

DRV_RST復位而這里比較關鍵的地方在於當北橋收到了南橋的復位以後會向CPU發出復位信號來復位CPU而當cpu成功復位之後也就預示著機器的硬啟動已經完成。

C. 電路圖紙KBC什麼意思

OEM新機型電路圖的讀圖方法
以LENOVO F41為例
1． 首先找到參與觸發上電的EC/KBC（或電源管理控制器IC）；
EC/KBC的作用：負責系統電源管理，上電管理，充電管理，鍵盤控制等等
這款機器的EC/KBC是PC97551；
筆記本EC/KBC的識別：
a.按廠家，用得最為普遍地EC/KBC只有幾個廠家：美國國家半導體（WINBOND），ENE，SMSC，或PLD，ITXXXX，M38857等等；
b.按接AC待機時的工作狀態：在接有AC時，EC/KBC都是要部分工作的，所以必須要有時鍾；
c.按供電電源的類型：一般都有兩種以上的電源種類供電，它們分為上電前和上電後的電源與CMOS電池電源；
d.按所需輸入信號的種類：有一個共同點，它們都需要得到如AC存在，BATTERY存在等，並都與觸發開關信號相連；
e.按是否需要SLP信號，是否發出BATTLOW#信號，是否發出RSMRST#，是否發出各種S狀態信號也可以找到此類IC。
根據以上特點可以很肯定的說F41的EC/KBC為U16（IT8511）
2． 確定了EC/KBC後，就可以根據筆記本自身的上電特點及晶元組對電源的要求來進一步確定各個信號的時間關系。這種時間關系可以從產生復位信號的順序來做大概上的判斷：AUXOK→SUSOK→RSMRST#→AOK→BOK（HWRG）→SYSOK→IMVPOK
3． 確定EC/KBC最初應該得到的電源；（在這一步我們可以確定AC和電池的公共主供電）
這些電源有一個最大的特點就是它們不受任何信號的控制而出現的，即只要接入AC或電池盒就出現，而且都是由一些LDO晶元產生的專供EC/KBC使用的電壓。這個便是AC接入後出現的第一個低壓。除此以外還有CMOS電池電壓在某些EC/KBC也有需要。
在F41機器中，可以斷定為VCCRTC。所以這個電壓必須要有，且必須存在。
我們再看+3VALW，它是由MAX8734內部LDO出來的。現在需要確定的是MAX8743所需的電源是否受控。由MAX8734的特性可知只要PIN20得到VIN電壓，內部LDO則會工作。
可見，接入AC後，EC/KBC會得到兩個壓，即VCCRTC、+3VALW。當然同時還有+5VALW。
4． EC/KBC（IT8511）先完成自身工作。
1．自身工作也有自身工作所需要的條件。如首先要有時種。所以首當其沖的是先讓時鍾電路開始工作。
2．IT8511得到復位，這是一個帶有處理能力的晶元必須滿足的第二個條件。
很容易能找到，IT8511的復位腳是PIN19，即WRST#。它由一個專用晶元MAX809來完成，MAX809最少能將+3VALW延遲140mS後送出591RESET#到PIN19。
591RESET#？這不是IT8511嗎，可笑吧！其實大家應該清楚了，IT8511與國半的PC87591的內核是相同的。這樣一來，是不是越來越熟悉了。
5． 到了這步，我想不用說大家也應該清楚，EC/KBC該干什麼了，那就是要檢測AC存在的信號ACIN了。這樣才能確認是AC供電還是電池供電。
應該注意的是有些機器，在EC/KBC未接收到ACIN時，會發出ACOFF的關斷信號，確保只讓電池供電。在F41里，這個信號是PWRSHD。
6． 看看還有沒有別的
為了盡可能的完全弄明白它的工作過程，應該再仔細查看有沒有別的電源設備送來的識別信號，如電池盒、DOCKING裝置，光碟機介面等。
找到了，還有一個MBAT_PRES#信號，這是由電池盒送過來的。用來檢測電池是否存在的信號。
7． 以上這些完成以後，EC/KBC將開始發出對外部ROM定址並讀取其外部ROM的程序了。讀取完外部ROM的程序代碼後，EC/KBC就知道自己將來該怎麼做了。
哪些架構需要在AC待機時讀取BIOS代碼呢？
對採用通用的如以國半EC/KBC為代表的，幾乎都是這個做的。它們有一個很明顯的特徵，就是BIOS的AD線接與EC/KBC相連。這點也很容易理解，因為CPU要對讀取BIOS代碼，完全可以將BIOS接在橋片上就可以。居然把BIOS改接在EC/KBC上，那當然是EC/KBC要利用了，利用的目的無非就是把自己的代碼放在BIOS里。所以這類機器在AC待機時，BIOS是工作的。當然，很多人可能會問，AC存在時需要BIOS工作，那為什麼單用電池盒時又不要了呢。那是因為在有AC存在時，EC要檢測多個信號，而且這個信號是與ACPI相關的，再加上EC/KBC要發出相應的信號是要與硬體設計者的要求進行的，而這些要求就是BIOS代碼。
舉個例子，在有AC存在的狀態下，我們中途接入電池，是不是EC要判斷電池的參數，而這些參數就在BIOS里；
8． EC/KBC進入待機狀態，等待用戶發出開機請求。
9． 首先送出3VAUX_EN，產生5VAUX和3VAUX，下面的+5VSUS、+3VSUS等將由它切換過來。
10． 觸發後發出的第一個信號：SUSON，這個信號想也不用想，當然是用來控制產生南橋SUS電源和與SLP狀態有關的電源的。SUSON再生成SUSON#和SUSD。SUSON#在這里主要是用來放電用的，而SUSD是用來產生+5VSUS、+3VSUS的。
11． EC/KBC送出RSMRST#和PWRBTN#至南橋，當然少不了BATLOW#。
12． 南橋發出SLP#給EC/KBC
13． EC/KBC收到SLP#信號後，發出MAINON信號。MAINON再轉換成MAINON#和MAIND，MAINON#主要用來放電用。MAINON的作用是產生+2.5V、VDIMM、同時發出MAX8632_POK1通過一電阻並由U30（MAX8734）產得到SUSOK；+1.5V、+VCCP並送出+1.5V_PWROK和VCCP_PWROK；MAIND的作用是生成+3V、+5V。並通過U15（G792）發出漏極開路的HWRG信號，與D62一起最終得到高電平有效的HWRG信號。
SUSOK代表SUS電源正常，HWRG代表由MAINON控制的電源正常，即除了CPU電源以外的所有電壓都正常。這兩個信號同時送往EC/KBC。
14． EC/KBC在得到SUSOK和HWRG後，首先發出PWROK給南橋。
15． 發出VRON信號。並與+1.5V_PWROK和VCCP_PWROK一起得到VCORE_ON，從而產生VCORE_CPU。
16． 產生IMVP_PWG給南橋。

D. 主板上這個兩是北橋電路嗎

北橋晶元提供對CPU的類型和主頻、內存的類型和最大容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC糾錯等支持。南橋晶元則內提供對KBC(鍵盤容控制器)、 RTC(實時時鍾控制器)、USB(通用串列匯流排)、Ultra DMA/33(66)EIDE數據傳輸方式和ACPI(高級能源管理)等的支持。其中北橋晶元起著主導性的作用，也稱為主橋(Host Bridge)。但是Nvidia這個廠商的一部分主板採用的是集成晶元設計，沒有南北橋之分。位置上，靠近CPU插槽的那塊大晶元，為北橋另一個就是南橋

E. 主板電路中，南橋與北橋的正常電路是什麼樣子

北橋晶元提供對CPU的類型和主頻、內存的類型和最大容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC糾錯等支內持。南橋容晶元則提供對KBC(鍵盤控制器)、 RTC(實時時鍾控制器)、USB(通用串列匯流排)、Ultra DMA/33(66)EIDE數據傳輸方式和ACPI(高級能源管理)等的支持。其中北橋晶元起著主導性的作用，也稱為主橋(Host Bridge)。但是Nvidia這個廠商的一部分主板採用的是集成晶元設計，沒有南北橋之分。位置上，靠近CPU插槽的那塊大晶元，為北橋另一個就是南橋

F. +V3.3A_KBC,+v3.3s 在主板電子電路中代表什麼意思 本人學習認識主板電路圖，找認識主板電路的資料

這是標記而已，你只要知道這兩點就行，
1，這是電源，電壓為3.3v
2，這回是3.3v中的其中一組答 還有其他3.3v
當然了 有的大哥做pcb的時候，單一電源，也標記也很復雜，其實沒必要，
我可以這么標記呀，3.3v1（第一組）,3.3v2（第二組）,3.3v3（第三組）……
看個人興趣。。

G. 什麼是晶元

晶元是半導體元件產品的統稱，又稱微電路、微晶元、集成電路。是指內含集成回電路的矽片，體積很小答，常常是計算機或其他電子設備的一部分。

半導體是一類材料的總稱，集成電路是用半導體材料製成的電路的大型集合，晶元是由不同種類型的集成電路或者單一類型集成電路形成的產品。

(7)電路kbc擴展閱讀：

半導體材料的起源及早期發展：

英國科學家法拉第在電磁學方面擁有許多貢獻，但較不為人所知的是他在1833年發現的一種半導體材料硫化銀，它的電阻隨著溫度上升而降低。

對於一般材料來說，隨著溫度的提升，晶格震動越厲害，使得電阻增加；但對半導體而言，溫度上升使自由載子的濃度增加，反而有助於導電。這是半導體現象的首次發現。

20世紀20年代，固體物理、量子力學、能帶論等理論的不斷完善，使半導體材料中的電子態和電子輸運過程的研究更加深入，對半導體材料中的結構性能、雜質和缺陷行為有了更深刻的認識，提高半導體晶體材料的完整性和純度的研究。

20世紀50年代，為了改善晶體管特性，提高其穩定性，半導體材料的制備技術得到了迅速發展。硅材料在微電子技術應用方面應用廣泛，但在硅基發光器件的研究方面進展緩慢。

H. 什麼是晶元，晶元有什麼作用

晶元為半導體元件產品的統稱（在集成電路上的載體），集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC；或稱微電路（microcircuit）、微晶元（microchip）、晶片/晶元（chip）在電子學中是一種將電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。

晶元作用：可以控制計算機到手機到數字微波爐的一切。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產品上，每個集成電路的成本最小化。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開關速度應用。

(8)電路kbc擴展閱讀：

晶元舉例：中國芯-龍芯系列

龍芯系列通用處理器是我國自主研製的通用處理器，對維護我國的信息安全具有重要的意義。此前，我國使用的通用處理器絕大多數是美國英特爾公司和AMD公司生產的。

由於處理器中包含有數千萬個至數億個電子元件，每個電子元件在處理器中具有什麼功能、起著什麼作用很難說清楚，也就是說處理器的技術透明度非常低，在技術上；

國外公司完全有可能在出口到我國的處理器中植入可用特定手段激活的破壞性或間諜性指令，一旦出現非常情況，這些指令就有可能被激活，進而會使我國陷入被動之中。龍芯系列通用處理器的研製成功將解決上述問題

I. 電路圖中的CP代表什麼意思

集合點。

集合點也稱CP點，是綜合布線系統中所規定的在水平電纜中的一個連接點，集合點的設置是可選的，通常用於大開間辦公室等一些在前期無法做明確點位規劃或考慮到水平信息點位置會隨辦公傢具變動而一直變動時所引入的一種靈活的布線方式。

採用集合點布線的方式也稱區域布線，通過劃分一定面積設置一個統一的集合點，方便工位深化或二次布線。

(9)電路kbc擴展閱讀

採用集合點時，集合點配線設備與電信間之間水平線纜的長度應大於15米（即從電信間引出的水平線纜在15米距離以後才可接入集合點），集合點配線設備容量（通常為集合點用的盒子，也稱CP箱）宜以滿足12個工作區信息點需求設置。

同一永久鏈路中只允許最多一個集合點，從集合點引出的CP線纜應端接在工作區信息插座上 （否則就成長跳線了），根據ISO/IEC 11801和GB 50311定義，CP電纜長度+工作區跳線長度不應大於22米 ，按工作區跳線長度不超過5米來考量，CP線纜長度不宜超過17米。CP箱應安裝靠近在牆體或柱子等建築物固定的位置。

集合點線纜可採用多股軟線，即跳線，也可以採用實心硬線。引入集合點線纜時，應注意集合點線纜的等級不應低於水平線纜等級，如六類水平線纜應匹配六類以上集合點線纜/或跳線，否則永久鏈路等級會因引入低等級集合點線纜而降級。

應用范圍：

1、由於綜合布線系統主要是針對建築物內部及建築物群之間的計算機、通信設備和自動化設備的布線而設計的，所以布線系統的應用范圍是滿足於各類不同的計算機、通信設備、建築物自動化設備傳輸弱電信號的要求。

2、綜合布線系統網路上傳輸的弱電信號有：

3、模擬與數字話音信號；

4、高速與低速的數據信號；

5、傳真機等需要傳輸的圖像資料信號；

6、會議電視等視頻信號；

J. 計算機主板電路圖中各種字母代號的意思是什麼要詳細

主板基本元器件的介紹
摘要
本著大家共同提高看電路圖的基本知識，現將電路中常見的原器件的原理並結合實際的電路圖加以解釋，達到理論結合實際的目的。該文沒有涉及到復雜的計算公式，詳細的理論，只是一些基本知識的總結和概述。

關鍵詞：電阻，電容，電感，二極體，三極體，MOS管

第一章：電阻
概述：電阻總體可以分做兩類：線性電阻和非線性電阻。該片文章中所提到的電阻均是貼片電阻。

1:線性電阻部分：

1.1:定義：
電阻兩端的電壓與通過它的電流成正比，其伏安特性曲線為直線這類電阻,稱為線性電阻

1.2:線性電阻(單個電阻)的種類：
1. 5%精度的命名：RS-05K102JT 2.1％精度的命名：RS-05K1002FT
R----代表電阻
S----代表功率
05---代表英寸，05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。
K---表示溫度系數為100PPM
102－5％精度阻值表示法：前兩位表示有效數字，第三位表示有多少個零，基本單位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效數字，第四位表示有多少個零，基本單位是Ω，1002＝100000Ω＝10KΩ。
J---表示精度為5％、F－表示精度為1％。
T---表示編帶包裝
常見的貼片電阻有（以下是按貼片電阻的大小劃分）0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512

1.3:線性電阻（排阻）種類：
一般有2兩種
A型排阻的引腳總是奇數的,它的左端有一個公共端（用白色的圓點表示）
B型排阻的引腳總是偶數的。它沒有公共端
實際在電路中用到的基本上是B型排阻。
RN(resistor network)的測量方法：如下圖所示，只要測量pin1 and pin2的阻值即可

怎麼看排阻的大小：前2位是有效數字，後面一位是10的幾次冪
比如：102=1000ohm,822=8200ohm

1.4：線性電阻的作用：
線性電阻的總體作用可以概述為：限流與降壓
具體在電路中的應用有：
1. 在集成電路應用中有許多輸入腳沒有用到,需要預置一個電平值,使其穩定工作,值1就用一個電阻接高電平,叫做上拉電阻;值0就用一個電阻接地,叫下拉電阻.上拉電阻：上拉就是將不確定的信號通過一個電阻嵌位在高電平！電阻同時起限流作用！
下拉電阻：上拉就是將不確定的信號通過一個電阻嵌位在低電平！電阻同時起限流作用！

2.在clock信號中增加電阻的作用：這個電阻的作用是減少信號的震盪，提高雜訊裕量，但不用這個電阻一般也能工作.

3.普通的分壓作用

4.普通的限流作用

5.0ohm電阻的作用：
5.1：跳線使用，美觀整潔
5.2:數字和模擬混合電路，要求2個地分開，有利於大面積鋪銅。
5.3:做保險絲用，廠家為了節約成本（PCB走線承受電流容量教大，不容易熔斷.0ohm承受電流教小）
5.4:為調試預留的位置。

1.5:實際應用舉例：
常見的上拉電阻，和下拉電阻在電路中的應用

圖中pin26低電平有效，為保證該點在不工作時保證高電平，故加一個上來電阻R68，讓該點在不工作狀態是保持高電平。同時，當Q91MOS管導通時，R68還取到限流的作用。

下拉電阻：

因為ICGPIO3/GPIO2保持在一個低電位，下拉電阻的目的是為了讓整個電阻實現一個迴路，從而可以定位GPIO3/GPIO2的電位保持在一個准位。

常見在clock信號中加電阻的應用，：

普通的分壓作用：

PinAJ22，PinAJ19的電壓由電阻分壓得來

普通限流作用：

當PWRSW#拉拉低時，R71取到限制電流的作用。

常見排阻的作用（基本和單個電阻的作用相同）：
如上拉電阻：

2.非線性電阻部分:
2.1：定義：電阻兩端的電壓與通過它的電流不成正比，其伏安特性曲線不為直線這類電阻,稱為非線性電阻。
常用的非線性電阻有：熱敏電阻，光敏電阻，氣敏電阻，壓敏電阻。在主板中常用到的是熱敏電阻，下面著重介紹熱敏電阻在主板中的應用。

2.2熱敏電阻的種類和命名規則：
熱敏電阻是敏感元件的一類,其電阻值會隨著熱敏電阻本體溫度的變化呈現出階躍性的變化，具有半導體特性。
熱敏電阻分作正溫度熱敏系數電阻和負溫度熱敏系數電阻
正溫度熱敏系數電阻：簡稱PTC，電阻阻值隨溫度升高而升高
負溫度熱敏系數電阻：簡稱NTC，電阻阻值隨溫度升高而降低
實用舉例：
MZ73A-1（消磁用正溫度系數熱敏電阻器） MF53-1（測溫用負溫度系數熱敏電阻器）
M——敏感電阻器 M——敏感電阻器
Z——正溫度系數熱敏電阻器 F——負溫度系數熱敏電阻器
7——消磁用 5——測溫用
3A-1——序號 3-1——序號
3.3:熱敏電阻的應用：
熱敏電阻的作用有很多，在主板中主要是用到熱敏電阻的過載保護特性。主板通常用「RT」表示

該電路圖中有12個熱敏電阻，分布在主板的各處，偵測主板的各處溫度，如果溫度過高，熱敏電阻電阻變大，電流變小，晶元通過偵測電流來控制晶元是否正常工作。
熱敏電阻有時候也用在shutdown信號或者thermal信號上

第2章：電容
概述：
電容(Electric capacity)，由兩個金屬極，中間夾有絕緣材料（介質）構成。
由於絕緣材料的不同，所構成的電容器的種類也有所不同：
按結構可分為：
固定電容，可變電容，微調電容。
按介質材料可分為：
氣體介質電容，液體介質電容，無機固體介質電容，有機固體介質電容電解電容。
按極性分為：
有極性電容和無極性電容。

電容的種類多種多樣，本文著重介紹電解電容（極性電容），陶瓷電容（無極性電容）
2.1:陶瓷電容部分
2.1.1:陶瓷電容的命名規則和種類：
各家電容命名規則不盡相同：
現舉一例（vendor:Walsin）：

由於電路圖中不會描述得詳細：
該電容的容值為2200PF，電壓為50V
由於電容體積要比電阻大，所以一般都使用直接標稱法。如果數字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果是10n，那麼就是10nF，同樣100p就是100pF。

陶瓷電容一般按大小分類常用的電容種類有：0402，0603，0805，1210，1206，1812，等

2.2.2：陶瓷電容的常見作用：
陶瓷電容的結構是由薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。其特性是體積小，耐壓高，頻率高（有一種
是高頻電容），缺點是容易碎，容量小。
陶瓷電容的特性決定了其場見應用：該電容主要適合濾高頻信號，不適合作為存儲能量的電容來使用。
陶瓷電容主要是濾波，記時，調諧，的作用。主要是應用於高頻電路，要求不高的低頻電路
濾波：去掉高頻信號，一般使用在電源部分比較多，音效部分，vedio部分
調諧：對與頻率相關的電路進行系統調諧記時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數

2.2.3：實際應用舉例：
濾波：

在電路圖中經常看到若干個小電容並聯在一起，當然起作用是濾波，具體表現為多個電容並聯可以防止趨附效應,並且可以提高濾波電路的可靠性,增加電容的使用壽命。
在實際電路中電容濾波作用隨處可見，就不多舉例說明

2.2:電解電容部分：
電解電容常見的有鋁電解電容和鉭電解電容
2.2.1電解電容的作用：
鋁電解電容的主要特性是：容量大，但是漏電大，穩定性差，有正負極性，高頻特性不好，適宜用於電源濾波或者低頻電路中。主要作用有儲能，濾波，耦合等

鋁電解電容的主要特性是：體積小、容量大、性能穩定、壽命長、絕緣電阻大、溫度特性好，高頻特性好。 造價高。重要作用是儲能，濾波，耦合，一般使用於高端機器或者重要地方

電解電容一般在電路中用「TC」表示
2.2.2：實際應用舉例：
在主板電路中常見的是儲能，濾波兩大特性
在電路+12V下有一個電解電容（TC28）和一個C466(陶瓷電容)並聯，該電路正好說明了陶瓷電容在儲能方面的不足，而電解電容又出現高頻特性不好的情況。二者正好互補。在電路中有很多地方會有一個大電容和一個小電容並聯的情況。

該電路中TC22是一個典型的儲能原器件，其工作原理是：該IC是一個比較器，當pin10高於等於pin11時，pin8為高電平，Q15導通，給TC21充電，當pin10低於pin9時，pin8為低電平，Q15直截，TC21放電。VCC2.5A完全是TC22放電產生的。

第三章：電感
概述：
電感是導線內通過交流電流時，在導線的內部及其周圍產生交變磁通，導線的磁通量與生產此磁通的電流之比
電感的作用主要是：濾波、振盪、延遲、儲能，陷波。形象可以概括為「通直流，隔交流」。
3.1：常用的電感
由於電感種類繁多，現將主板中常見的電感描述一下，有利於在分析主板能迅速找到相關器件：
1:貼片疊層電感：
電感量：10NH～1MH
尺寸： 0402 0603 0805 1008 1206 1210
1812 1008=2.5mm*2.0mm 1210=3.2mm*2.5mm
2.功率電感
電感量：1NH～20MH
尺寸：SMD43,SMD54,SMD73、SMD75、SMD104、SMD105；
RH73/RH74/RH104R/RH105R/RH124；CD43/54/73/75/104/105；

3.片狀磁珠：
種類：CBG（普通型） 阻抗：5Ω～3KΩ/CBH（大電流） 阻抗：30Ω～120Ω/CBY（尖峰型） 阻抗：5Ω～2KΩ
規格：0402/0603/0805/1206/1210/1806（貼片磁珠）
規格：SMB302520/SMB403025/SMB853025（貼片大電流磁珠）
4.空氣芯電感：

3.2:電感的作用
上文提到了電感主要有4個主要的功能，在主板線路中濾波，震盪，延遲三個功能，本節主要介紹三個方面的功能。
3.2.1:電感的濾波作用：
電感工作的原理：
當電感中通過交變電流時，電感兩端便產生出一反電勢阻礙電流的變化：當電流增大時，反電勢會阻礙電流的增大，並將一部分能量以磁場能量儲存起來；當電流減小時，反電勢會阻礙電流的減小，電感釋放出儲存的能量。這就大大減小了輸出電流的變化，使其變得平滑，達到了濾波目的。

用圖說明實現的原理：
該圖表示：由於電感的特殊屬性，當電流減小時，阻止減少，上升時，阻止上升，從而達到濾掉尖峰電流，達到平穩的目的。

實戰案例：

該圖中電感主要是兩個作用：儲能和濾波
濾波實現原理：L14 pin2端是一個不規則的鋸齒波（理想方波），利用電感工作的原理，很容易理解該處的濾波功能
儲能實現原理：當上下橋切換的時候，有一個很短的切換時間，此時為了維持VCC5M，電感放電。其實該處也是利用了電感的工作原理。

3.2.2：震盪電路：
通常使用的震盪電路是LC震盪電路：其效果是輸出波形效果更好，更為平滑
3.2.3:延時
電感延時也是用到電感的工作原理來實現的，當電流上升時，電感有一個反向電流的作用，從而實現了延時的作用

點評：綜合上面幾個電路圖的分析可以發現電感的原理幾乎解釋所有的電感在電路中的作用。了解基本原器件的作用很重要。

第四章：二極體
概述：
二極體按照製造材料分為硅二極體和鍺二極體。
管子的結構來分有：點接觸型二極體和面接觸型二極體
二極體的邏輯邏輯符號為：通常用字母D表示：
電路中常用到的二極體有普通二極體，穩壓管，發光二極體，也是本章主要介紹的內容。
4.1普通二極體
4.1.1：二極體的特性：
正向特性：
當正向電壓低於某一數值時，正向電流很小，只有當正向電壓高於某一值時，二極體才有明顯的正向電流，這個電壓被稱為導通電壓。我們又稱它為門限電壓或死區電壓，一般用UON表示，在室溫下，硅管的UON約為0.6----0.8V，鍺管的UON約為0.1--0.3v，我們一般認為當正向電壓大於UON時，二極體才導通。否則截止。
反向特性：
二極體的反向電壓一定時，反向電流很小，而且變化不大（反向飽和電流），但反向電壓大於某一數值時，反向電流急劇變大，產生擊穿。
溫度特性：
二極體對溫度很敏感，在 室溫附近，溫度每升高1度，正向壓將減小2--2.5mV，溫度每升高10度，反向電流約增加一倍。

4.1.2：二極體的作用：
利用二極體的單向導電性，主要有以下作用：整流，開關，限幅，低電壓穩壓電路，二極體門電路。在主板的電路中常用到整流，開關，二極體門電路。下面著重介紹這三個作用：

二極體門電路的實現：
該電路指在說明，VORE_ON成立的條件是VCPU_CORE_ON and SHUTDOWN2#，要保持高電平，該作用是典型的二極體單向導電性的作用，R551將D55 pin3（VCORE_ON）的電位保持在高電平，一旦VCPU_CORE_ON and SHUTDOWN2#任何一個變低電平後，VCORE_ON立即變成低電平

二極體ESD電路的實現：

該處二極體的具體作用防止ESD：具體解釋為：當D1 Pin3為高電壓， 該二極體導通，使pin3電壓被拉為CRT_VCC,當D1 PIN3為負高壓時， 該二極體導通，將pin3電壓拉到0V，從而做到ESD保護作用
同時，電路圖中D16還取到一個power的延時作用。

二極體的開關功能實現：
該電路實現的是偵測風扇的轉速，眾所周知，風扇轉速的計算是靠super IO 或者KBC來記數的，採用的是2進制記數方式（0/1），當CPU_FAN pin3為地電平時，二極體導通，此時計數器記數為0，當CPU_FAN pin3為高電平時，，此時二極體關斷，記數器為1。

整流電路的功能實現：
若v2處於正半周，二極體D1、D3導通，當負半周時，D2，D4導通，顯然也是利用了二極體的單向導電性

點評：二極體在電路中的功能始終是利用其正向導通的特性不斷變換，只要抓住這個特性，其在電路中的解釋就迎刃而解，同時也要懂得該電路在實際中的應用。
4.2：特殊二極體
概述：特殊二極體主要有穩壓管（齊納二極體），變容二極體，光電子器件（發光二極體，光電二極體，激光二極體），在主板電路中經常使用的是穩壓管和發光二極體，也是本節介紹的重點內容。
4.2.1：穩壓二極體
4.2.1.1：穩壓二極體：是利用特殊工藝製造的面結型硅半導體二極體，在電路中常用「ZD」加數字表示。
4.2.1.2：穩壓二極體的原理：
穩壓二極體的特點就是擊穿後，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩壓管接入電路以後，若由於電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。
該圖片可以通俗的解釋為：當電流I突然增加時，△Vz變化很小。
穩壓二極體的作用是相當於鉗制住負載兩端的電壓保持不變。
4.2.2：發光二極體
發光二極體原理很簡單，當二極體中有一定的電流流過時，發光二極體燈亮

二極體的正極接5V，當CAP_LED#, NUM_LED#, MEDIA_LED#為地電平時，LED亮，其中的三個電阻為限制電流作用，因為二極體導通後阻抗很小，如不安裝電阻，LED燈溫度很高

第五章：三極體
概述：
三極體按結構通常可以分為兩種三極體，即PNP，NPN兩種形式
5.1：三極體的結構及類型

(1)是NPN結構 （2）是PNP結構
三極體的常用Q表示，電路圖中3個腳的原器件不一定是三極體，特別是由2個二極體組成的器件。

5.2：三極體的常用特性：
三極體在電路中的主要作用是：開關，放大，縮小信號作用。在電腦主板電路中經常使用的是三極體的特性是開關特性，也是本節重點介紹的特性
5.2.1：三極體導通原理：
下面是NPN三極體可以分為：（1）：共基極，（2）：共發射極，（3）：共集電極

NPN三極體導通的原理很簡單，單純對看電路來說：我們只需要知道UBE>0.7V,該三極體導通，即在實際電路中當b點電壓高於e點0.7V時，三極體導通，電流方向為Ice
PNP類三極體可以分為：（1）：共基極，（2）：共發射極，（3）：共集電極
PNP三極體導通的原理很簡單，單純對看電路來說：我們只需要知道UBE<0.7V,該三極體導通，即在實際電路中當b點電壓低於e點0.7V時，三極體導通。電流方向為Iec

5.2.2:三極體的放大特性：
我們知道，把兩個二極體背靠背的連在一起，是沒有放大作用的，要想使它具有放大作用，必須做到一下幾點：
1. 發射區中摻雜
2. 基區必須很薄
3. 集電極的面積很大
4. 工作時，發射結正向偏置，集電結反向偏置

5.3：案例實戰

上圖是一個典型的多個三極體組成的集成電路，當BATMON_En輸入為↑時，Q37作為（NPN）導通，即D6 pin3↓，即D36 pin1 and pin2都為↓，由於Q38，Q7均是PNP 三極體，當D6 PIN1 AND PIN2 都為↓，兩個三極體導通，從而得到M_BATVOLT and S_BATVOLT為高電平

點評：從上面的電路圖中我們可以得到啟發，電路圖中向外箭頭的並不一定是輸出信號，一定要根據實際情況，D6是一個由2個二極體組成的3腳零件，利用了二極體的單向導電性，pin1 and pin2始終和3點電位保持一致。

第六章：場效應管
概述：
場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管），在主板電路中我們常見的場效應管為MOS管，本章著重介紹MOS管的應用。
場效應管相比較前面提到的三極體相比具有以下特點：
（1）場效應管是電壓控制器件，它通過UGS來控制ID；
（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小於三極體組成放大電路的電壓放大系數；
（5）場效應管的抗輻射能力強。
6.1:MOS管部分
概述：
主板電路中常見的MOS管可以概述為兩類MOS管，P—MOS 和N—MOS。

6.1.1:P—MOS:
PMOS根據又可以分作3pin的MOS和8pin的MOS，但是工作原理是一致的
MOS管的原理很簡單，主要是在電路中的應用顯得很重要，常見的作用主要是開關作用。

我們從圖中可以看到：
對於增強型來說，只有當Ugs<Ut時，Id才有電流。
對於耗盡型來說，只有當Ugs<Up時，Id才有電流。
對我們分析電路來說，Ugs<U(導通電壓)，MOS導通。沒有必要記許多復雜的概念和知識。

6.1.2:N-MOS:
N-MOS根據又可以分作3pin的MOS和8pin的MOS，但是工作原理是一致的

我們從圖中可以看到：
對於增強型來說，只有當Ugs>Ut時，Id才有電流。
對於耗盡型來說，只有當Ugs>Up時，Id才有電流。
對我們分析電路來說，Ugs>U(導通電壓)，MOS導通。沒有必要記許多復雜的概念和知識。

6.1.3:MOS實戰案例：

該電路是P-MOS，N-MOS，三極體的綜合電路
從該電路中我們可以看出是一個產生VDIMM電壓的電路
分析之前請預先知：DUALSW是S0 power,-susc_S5是代表低電平有效
當開機後：
DUALSW↑，此時Q36由於S點電壓低於G點電壓，Q36是N-MOS，該MOS導通，產生了VIDIMM，由於-SUSC_S5是低電平有效，可以肯定的是-SUSC_S5在開機時高電平，Q33 B點和E點都是↑，Q33截止。而此時Q32的G點電壓也為↑，Q32是P-MOS，該MOS是截止的。===從而可以知道在這個電路中開機後只有一個MOS來產生VDIMM

那麼Q32是否顯得多餘？請看下面分析：
眾所周知：S3時將數據暫存在memory里，當系統在S3時，DUALSW↓，-SUSC_S5V↑，
Q33截止，而此時Q32 G點↓，Q32為P-MOS，該MOS導通，產生VIDIMM。

由此可見，此處利用雙MOS來產生VIDIMM是完全有必要的，也是很合理的

點評：MOS的原理很好實現，關鍵的是相關信號在什麼狀態下是high是low,相關信號的意義

6.2:JFET部分：
結型場效應管可以分作結構型N溝道和結型P溝道

2.結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)
在D、S間加上電壓UDS，則源極和漏極之間形成電流ID，我們通過改變柵極和源極的反向電壓UGS，就可以改變兩個PN結阻擋層的（耗盡層）的寬度，這樣就改變了溝道電阻，因此就改變了漏極電流ID。