❶ 電力二極體和信息電路中二極體功能上有什麼的區別
電力二極體和信息抄電路二極體功能區別襲:
1、電力二極體(Power Diode)在20世紀50年代初期也被稱為半導體整流器;它的基本結構和工作原理與信息電子電路中的二極體是一樣的,都以半導體PN結為基礎,實現正向導通、反向截止的功能。
2、電力二極體的作用一般是整流;信息電路中的二極體作用是檢波。
3、電力二極體對恢復時間和功耗要求較為嚴格;信息電路中的二極體對高頻性能要求較高。
(1)供電管電路擴展閱讀:
電力二極體實際上是由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的,從外形上看,主要有螺栓型和平板型兩種封裝。其主要類型有普通二極體、快恢復二極體、肖特基二極體。
1、普通二極體:多用於開關頻率不高(1kHz以下)的整流電路中。
2、快速恢復二極體 工藝上多採用了摻金措施,結構上有的採用PN結構類型,也有的採用對此加以改進的PiN結構。
3、肖特基二極體以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體稱為肖特基勢壘二極體(Schottky Barrier Diode--SBD),簡稱為肖特基二極體。
❷ 雙迴路供電和雙電源供電的區別
1、電源數量不同
雙迴路供電一般是指某一負荷的電源有兩回,此電源接自上級配電版所不同的開權關,正常運行時由其中一回電源供電,另一回處於備供狀態;當一回電源停電時,由用戶側的自動切換裝置將電源進行切換,保障負荷的不間斷供電。
雙電源供電一般特指兩回電源來自不同的變電站(或配電所),這樣就不會出現兩回電源同時失壓的情況,這種模式一般運用在特別重要的用戶供電上,例如機場、火車站、醫院等(上述場所還具備自行發電能力)。
2、工作方式不同
雙迴路中的這個迴路指的是區域變電站出來的迴路。雙電源是電源來源不同,相互獨立,其中一個電源斷電以後第二個電源不會同時斷電,可以滿足一二級負荷的供電。而雙迴路一般指末端,一條線路故障後另一備用迴路投入運行,為設備供電。
3、性質不同
雙迴路供電是指二個變電所或一個變電所二個倉位出來的同等電壓的二條線路。
雙電源供電當然是引自兩個電源(性質不同),饋電線路當然是兩條;一用一備如果指的是電源,那它就是雙電源供電。
❸ 電腦主板cpu供電上下管怎樣區分替換
主板維修電路順序: 分為:開機電路,供電電路包括:(CPU供電電路,內存供電電路,晶元組供電電路)時鍾電路,復位電路,BIOS電路,介面電路,CMOS電路。這幾大電路,檢修流程按照:開機,供電,始終,復位,也就是說,維修一塊主板,上來先看他能不能開機,如果不能開機,先判斷是否是主板短路引起,所以說修主板第一步上來進行對地阻值測量,+12V +5V +3.3V +5VSB PS-ON這幾組,的對地阻值,如果這幾組沒有對地短路,則證明主板無短路故障,可以插電源開機,插上電源以後,通過短接POWER開關針,觸發主板,如果不觸發,則要短接ATX電源綠線和黑線,強制主板開機,能開機的話說明故障在開機電路,則要按照開機電路檢修流程檢修:
開機電路檢修流程:上來測量開關針供電一般為3.3V或5V,低電平觸發一般開關針正極是3.3V,高電平觸發開關針一般是5V電壓,開關針有供電,第二步測量電池.電壓低於2.5V換電池,電池正常量32.768KHZ的晶振兩腳有無0.5V左右壓差有的話說明晶振起振木有換晶振,3.3V開關針的供電一般是1117中間腳的3.3VSB通過電阻接開關,5V開關針供電一般是紫色5VSB通過電阻加到開關。這些都正常如果主板還是無法觸發的話,通過使用蜂鳴檔跑線,一般是觸發電路損壞的多,比如I/O損壞,南橋待機電壓偏低導致無法觸發,南橋待機一般可以量外圍貼片電阻。
如果能開機的話,就要檢查供電電路,有供電,就要有時鍾,有時鍾就要有復位。如果遇到無復位的主板,則要檢查供電,時鍾,都要正常以後如果還是無復位的話,則要檢查復位電路,如果供電時鍾有一項不正常都會無復位。
CPU供電電路檢修:上來先測量4Pin12V口有無對地短路正常為300-600歐姆,如果12V對地短路的話,插上12V鋪助電源主板是不會觸發的 ATX電源保護,一般12V對地短路,上管擊穿的多,12V輸入電容,12V輸入電感,電源管理晶元,串口晶元,這些都是12V的供電,如果12V沒有短路,開機以後,如果主板跑碼00或FF說明CPU不工作,先檢查CPU座有無虛焊,可以按壓CPU座,沒有虛焊的話,先測量上管D級電壓,有無12V輸入,有的話,測量上管G級,上管有控制級電壓的話,那麼上管S級應該有電壓輸出,則下管D級應該有輸入電壓,CPU主供電測量點,可以通過測量上管S級和下管D級來測量,一般測量我們都測量下管D級,為了防止測量上管S,引起將上管DS級短路,所以一般測量CPU主供電都是測量下管D級對地電壓,正常值為1.2V-1.8VCPU主供電,如果上下管,沒有控制級電壓的話,首先要檢查是不是 G級保險電阻燒斷,排除這個,如果上下管還是無控制級電壓的話,則要測量電源IC的VID信號是否為低電平,理論上來講,不插入CPU的話,上下管都是無控制電壓的,沒有插入CPU,VID信號沒有被接地,電源IC不會輸出控制電壓來控制上下管的控制級。
CPU供電電路中,上下管關系:12V介面通過輸入電感接上管D級,上管G級直接進入電源管理晶元,上管S級接下管D級,下管G級直接進入電源管理晶元,下管S級直接接地,每項上下管的關系都是如此。
晶元組供電電路:一般雜牌主板,晶元組供電電路都是用運放控制MOS管產生1.5V供電電壓來給南北橋供電,北橋供電見的多的,一般是 358或324控制MOS管產生1.5V 這應該比較多的了, 南橋供電,一般是1117中間腳輸出3.3V給南橋外圍的貼片電阻,或電感,一般南橋待機測量點。
內存供電電路:一般主板為了降低成本,內存供電電路採用431精密穩壓器,控制MOS管產生2.5V,或使用運放358控制MOS管產生2.5V 有的主板使用專用IC控制一組上下管,也就是說有的主板內存供電採用上下管方式。但它的控制是由專用IC控制。 內存參考電壓測量點一般在內存插槽周圍的貼片電阻上都可以測量到。
時鍾電路:時鍾電路要在開機電路,供電電路工作正常的情況下才會產生,時鍾電路檢修,首先測量時鍾IC供電電壓,一般為2.5V或3.3V 時鍾IC周圍的貼片保險電阻或貼片電感,兩端的電壓,供電正常,則要測量時鍾IC的14.318MHZ的時鍾晶振,兩腳有無起振壓差,如果這些都正常,那麼南橋需要給時鍾IC一個PG信號, PG(power good)在主板開機以後延遲輸出,100-500S當主板幾組供電都輸出以後,則PG信號輸出高電平,說明主板已經正常供電,這個是作用。PG信號正常以後,時鍾IC外圍的貼片電阻,都會有1.幾伏的輸出電壓。 內存的時鍾一般是由北橋給,或時鍾IC直接提供,CPU時鍾一般也是時鍾IC直接給。
復位電路:復位電路,要在供電,時鍾都正常才會產生復位電路,復位電路檢修,主要是,先測量復位開關針有無3.3V電壓,無的話,通過開關跑線,跑到相應元件更換,其次就是如果CPU無復位或復位電壓低,則要檢查的對象是北橋,因為主板上所有復位都是南橋提供的,南橋要像把復位給CPU要經過北橋,所以說如果PCI復位正常,CPU復位不正常,則說明故障在北橋。
電路檢修一般也就這么多,沒有具體寫。
❹ 簡述高低壓供電切換電路的原理,並寫出二極體的作用
二極體 二極體的特性與應用 幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極體,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導體器件之一,其應用也非常廣泛。 二極體的工作原理 晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其界面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。 二極體的類型 二極體種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺二極體(Ge管)和硅二極體(Si管)。根據其不同用途,可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體等。按照管芯結構,又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。點接觸型二極體是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面,通以脈沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起,形成一個「PN結」。由於是點接觸,只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安),適用於高頻小電流電路,如收音機的檢波等。面接觸型二極體的「PN結」面積較大,允許通過較大的電流(幾安到幾十安),主要用於把交流電變換成直流電的「整流」電路中。平面型二極體是一種特製的硅二極體,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩定可靠,多用於開關、脈沖及高頻電路中。 二極體的導電特性 二極體最重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極體的正極流入,負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極體的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為「門檻電壓」,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以後,二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極體的「正向壓降」。 2. 反向特性。 在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連接方式,稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方向導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。 二極體的主要參數 用來表示二極體的性能好壞和適用范圍的技術指標,稱為二極體的參數。不同類型的二極體有不同的特性參數。對初學者而言,必須了解以下幾個主要參數: 1、額定正向工作電流 是指二極體長期連續工作時允許通過的最大正向電流值。因為電流通過管子時會使管芯發熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為140左右,鍺管為90左右)時,就會使管芯過熱而損壞。所以,二極體使用中不要超過二極體額定正向工作電流值。例如,常用的IN4001-4007型鍺二極體的額定正向工作電流為1A。 2、最高反向工作電壓 加在二極體兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單向導電能力。為了保證使用安全,規定了最高反向工作電壓值。例如,IN4001二極體反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。 3、反向電流 反向電流是指二極體在規定的溫度和最高反向電壓作用下,流過二極體的反向電流。反向電流越小,管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系,大約溫度每升高10,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極體,在25時反向電流若為250uA,溫度升高到35,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75時,它的反向電流已達8mA,不僅失去了單方向導電特性,還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型硅二極體,25時反向電流僅為5uA,溫度升高到75時,反向電流也不過160uA。故硅二極體比鍺二極體在高溫下具有較好的穩定性
❺ 怎樣區分cpu供電電路中的上管和下管
上管的S極接的是下管的D極,另外下管的D極接線圈電感,電感另一極通CPU供1.75V,現在會區分了吧
❻ 三極體,單管基本放大電路,為什麼採用雙電源供電
請參閱此文。 最簡單、經典的三極體放大器這個電路是一個最簡單的放大器,算是一個古董電路!下面將對這個電路進行直流: 電路組成:三極體是電路的放大元件,具有放大電流的作用,是放大電路的「心臟」;電源CC的接法應使集電極處於反向偏置,保證晶體管工作在放大狀態,同時CC為放大電路提供能源,一般為幾伏到幾十伏。很多電路中一般是用電壓來傳遞,如果在三極體集電極與電源之間串一個電阻,這樣能把三極體的電流轉換為電壓取出來。集電極負載電阻R2的主要作用是將集電極電流的變化轉換為電壓的變化,以實現電壓的放大。R2的阻值一般為幾千歐。負載電阻越大,得到的電壓變化也會越大。電源CC和基極電阻R1的作用是使發射結處於正向偏置,並提供大小適當的基極電流IB,以便放大電路獲得合適的工作點。R1的阻值一般為幾十千歐到幾百千歐。耦合電容C1的作用在於隔斷直流、通過交流。因此,它既能為交流構成通路,同時又能隔斷放大電路、源及負載之間的直流通路,使源及負載的工作狀態免收直流電源的影響。通常要求C1 上的交流電壓可以降到可以忽略不計,即對交流可視為短路。C1的電容值一般為幾微法到幾十微法,常用極性電容,連接時應注意極性。如果把IC的變化作為輸出而取出,就可以得到比較大的。直流工作概念:直流工作的時候,電容上沒有流過電流,所以在直流中都會將所有的電容看成開路。這個是原理圖,在做直流的時候,交流源和電容C1都看成開路。設計一個電路的時候,要先確定IC也就是集電極電流。CC=CE+R2*IC電源電壓=三極體CE極電壓+負載電阻×集電極電流先定CE=6 集電極電阻為10K ,除去兩個變數,就好辦多了。12=6+* ICIC=(12-6)/IC=0.6mA有了IC就可以確定IB了。IB=IC/放大倍數(放大倍數現定為)IB=0.6/;IB=6uA.IB確定後,可以確定 R1也就是為三極體基極提供電流的電阻。R1=12-BE/IB (BE=0.7)R1=11.3/6uAR1=1.88M 1.88M 電阻不能到,只能用2M 。當然結果也會有些變化,只是變化得不太大。我們先來看看IB電流,約為5.uA和設計的6uA有一點差別,當然這個主要和基極電阻大小有關。現在來看看IC電流,集電極電流為.uA。大家可以看得出來這個放大約為倍,也符合設計的要求。最後我們來看看CE電壓:CE電壓為6.,和設計的有差別,這個差別主要是R1也就是基極的電阻決定的。直流完畢,下一個接著交流。 基極只要注入了電流,集電極IC也會隨基極電流大小而改變。
硬之城有這個型號的 可以去看看有這方面的資料么
❼ 簡述高低壓供電切換電路的原理,並寫出二極體的作用求大神幫助
二極體 二極體的特性與應用 幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極體,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導體器件之一,其應用也非常廣泛。 二極體的工作原理 晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其界面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。 二極體的類型 二極體種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺二極體(Ge管)和硅二極體(Si管)。根據其不同用途,可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體等。按照管芯結構,又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。點接觸型二極體是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面,通以脈沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起,形成一個「PN結」。由於是點接觸,只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安),適用於高頻小電流電路,如收音機的檢波等。面接觸型二極體的「PN結」面積較大,允許通過較大的電流(幾安到幾十安),主要用於把交流電變換成直流電的「整流」電路中。平面型二極體是一種特製的硅二極體,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩定可靠,多用於開關、脈沖及高頻電路中。 二極體的導電特性 二極體最重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極體的正極流入,負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極體的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為「門檻電壓」,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以後,二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極體的「正向壓降」。 2. 反向特性。 在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連接方式,稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方向導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。 二極體的主要參數 用來表示二極體的性能好壞和適用范圍的技術指標,稱為二極體的參數。不同類型的二極體有不同的特性參數。對初學者而言,必須了解以下幾個主要參數: 1、額定正向工作電流 是指二極體長期連續工作時允許通過的最大正向電流值。因為電流通過管子時會使管芯發熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為140左右,鍺管為90左右)時,就會使管芯過熱而損壞。所以,二極體使用中不要超過二極體額定正向工作電流值。例如,常用的IN4001-4007型鍺二極體的額定正向工作電流為1A。 2、最高反向工作電壓 加在二極體兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單向導電能力。為了保證使用安全,規定了最高反向工作電壓值。例如,IN4001二極體反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。 3、反向電流 反向電流是指二極體在規定的溫度和最高反向電壓作用下,流過二極體的反向電流。反向電流越小,管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系,大約溫度每升高10,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極體,在25時反向電流若為250uA,溫度升高到35,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75時,它的反向電流已達8mA,不僅失去了單方向導電特性,還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型硅二極體,25時反向電流僅為5uA,溫度升高到75時,反向電流也不過160uA。故硅二極體比鍺二極體在高溫下具有較好的穩定性
❽ CPU供電電路中的MOS管可以隨便更換嗎
看了一下論壇上關於MOS管的帖子,說的和「超越」大概一樣,就是新MOS管的電壓、電流、功率值要大於等於原MOS管的電壓、電流、功率值。也就是說,換MOS管的時候,要了解各個MOS管的參數,這可是個不小的工作量,而且有些MOS管的PDF圖紙在網上找不到,比如「K3918」,至於可不可以混用,只要滿足上面的要求,是可以混用的。帖子里還說,09N03和06N03可以用於所有CPU供電電路中,基本通吃。我在網上搜了一下09N03和06N03的PDF看了一下:09N03:V DS=25V、I D=50A、P tot=63W(25 °C)06N03:V DS=25V、I D=50A、P tot=83W(25 °C)同時我還順便下載了04N03的PDF:04N03:V DS=25V、I D=80A、P tot=107W(25°C)我發現N03前面的數字越小,這種管子的功率越高,不知道是不是這樣。聽朋友說,在更換MOS管的時候,不同的主板,如果都是775的CPU,那麼MOS管是可以互換的,上管之間也可以混用,下管之間也可以混用,以這樣的原則來代換MOS管應該沒問題吧。在帖子里還看到MOS管的DS極是可以顛倒的,因為MOS管在製作的過程中DS是對稱設計的。那我就想不明白,既然是對稱的,為什麼用萬用表量S到D有500的數值,D到S卻無窮大。有沒有高手可以指點一下呢?
❾ 電路中的mosfet管供電問題
電路圖上的是三極體(或功率三極體)跟mos管符號不一樣,電路跟一般H橋功能相約,應回該是升壓或逆變答器類電路。
電路圖上的Ug應該是Ug2,Ug1和Ug4可以共接一個驅動信號A,Ug2和Ug3一樣信號B,A和B應該是相位或電平相反(如A=1 B=0或A=0 B=1),A B可以是較高頻變的PWM脈沖信號。
當A=1 B=0 VT1 VT4導通而VT2 VT3截止,電流從Uin+經VT1流入變壓器初級繞線組(由上到下)後經VT4迴路到Uin-,又當A=0 B=1 VT3 VT2導通,電流從Uin+經VT3流入變壓器初級繞線組(由下到上)後經VT2迴路到Uin-。
所以電路需要電源Uin和2個同步相反的驅動信號。
❿ 電腦cpu供電 每相有3個mos管 它們之間電路是怎麼連接的
其實是兩個管子一對,可以理解為上管和下管,兩個管子交替導通,實現連續輸出,下管可以看做同步整流作用,在小電流場合一般可以使用肖特基二極體
參考電路如圖