微帶薄膜電路

❶ 請教微帶線做電感或電容的用法

那長度影響的是相復位。制四分之一波長就是π/4正弦波的峰值，最高點。四分之一波長做開路時候，也是理解為電容？但是相當於是阻抗無窮小？？，不是的，XC=1/2πFc，理論上講是這樣的，開路和短路和波長沒有關系,電抗和頻率有關下一問題同上。求高手

❷ 混合集成電路的電路種類

製造混合集成電路常用的成膜技術有兩種：網印燒結和真空制膜。用前一種技術製版造的膜稱為厚膜，其權厚度一般在15微米以上，用後一種技術製造的膜稱為薄膜，厚度從幾百到幾千埃。若混合集成電路的無源網路是厚膜網路，即稱為厚膜混合集成電路；若是薄膜網路，則稱為薄膜混合集成電路。為了滿足微波電路小型化、集成化的要求，又有微波混合集成電路。這種電路按元件參數的集中和分布情況，又分為集中參數和分布參數微波混合集成電路。集中參數電路在結構上與一般的厚薄膜混合集成電路相同，只是在元件尺寸精度上要求較高。而分布參數電路則不同，它的無源網路不是由外觀上可分辨的電子元件構成，而是全部由微帶線構成。對微帶線的尺寸精度要求較高，所以主要用薄膜技術製造分布參數微波混合集成電路。

❸ 在awr中怎樣在微帶線中添加薄膜電阻

微帶線和電阻焊盤重疊的部分還算微帶線的長度.這些影響你可以通過模擬來觀測。對於mlef和mlsc你可以查看help 裡面的說明很詳細。

❹ 微帶線與帶狀線的區別

1. 微帶線是PCB表層的走線，延時小，對於一般FR4的板材，1inch微帶線對應的走線延時約140ps；

2. 帶狀線是PCB內層的走線，延時較微帶線大，對於一般FR4的板材，1inch帶狀線對應的走線延時約170ps；

3. 另外，二者在特徵阻抗的計算上也不一樣。

❺ 微帶線傳輸什麼模式的電磁波，為什麼

復微帶線傳輸50HZ的電磁波制。
微帶線是由支在介質基片上的單一導體帶構成的微波傳輸線。適合製作微波集成電路的平面結構傳輸線。與金屬波導相比，其體積小、重量輕、使用頻帶寬、可靠性高和製造成本低等；但損耗稍大，功率容量小。60年代前期，由於微波低損耗介質材料和微波半導體器件的發展，形成了微波集成電路，使微帶線得到廣泛應用，相繼出現了各種類型的微帶線。一般用薄膜工藝製造。介質基片選用介電常數高、微波損耗低的材料。導體應具有導電率高、穩定性好、與基片的粘附性強等特點。
微帶線是由支在介質基片上的單一導體帶構成的微波傳輸線，基片的另一面製作有接地金屬平板，如圖所示是其中的兩種。它又是微波集成電路的基礎。
最常用的介質基片材料是99．5%純度氧化鋁陶瓷和聚烯烴或編織玻璃纖維材料。微帶線是20世紀60年初發展起來的第二代微波印製傳輸線，廣泛應用於微波集成電路和高速脈沖電路。其優點是小型、重量輕、頻帶寬、可靠性高、成本低以及易與固體器件連接，便於微波組件和系統的集成化。其缺點是損耗較大、調節困難，只限於中小功率應用。

❻ 微波集成電路可以怎樣分類

微波集成電路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波無源元件、有內源器件、傳輸線和互連線集容成在一個基片上，具有某種功能的電路。可分為混合微波集成電路和單片微波集成電路。混合微波集成電路是採用薄膜或厚膜技術，將無源微波電路製作在適合傳輸微波信號的基片上的功能塊。電路是根據系統的需要而設計製造的。常用的混合微波集成電路有微帶混頻器、微波低雜訊放大器、功率放大器、倍頻器、相控陣單元等各種寬頻微波電路。單片微波集成電路是採用平面技術，將元器件、傳輸線、互連線直接製做在半導體基片上的功能塊。砷化鎵是最常用的基片材料。微波集成電路起始於20世紀50年代。微波電路技術由同軸線、波導元件及其組成的系統轉向平面型電路的一個重要原因，是微波固態器件的發展。20世紀60～70年代採用氧化鋁基片和厚膜薄膜工藝；80年代開始有單片集成電路。

❼ 微帶線的介紹

微帶線是由支在介質基片上的單一導體帶構成的微波傳輸線。適合製作微內波集成電路的容平面結構傳輸線。與金屬波導相比，其體積小、重量輕、使用頻帶寬、可靠性高和製造成本低等；但損耗稍大，功率容量小。60年代前期，由於微波低損耗介質材料和微波半導體器件的發展，形成了微波集成電路，使微帶線得到廣泛應用，相繼出現了各種類型的微帶線。一般用薄膜工藝製造。介質基片選用介電常數高、微波損耗低的材料。導體應具有導電率高、穩定性好、與基片的粘附性強等特點。中文名：微帶線英文名：microstrip line

❽ 微波集成電路該怎麼介紹

微波集成電復路是工作制在微波波段和毫米波波段，由微波無源元件、有源器件、傳輸線和互連線集成在一個基片上，具有某種功能的電路。可分為混合微波集成電路和單片微波集成電路。混合微波集成電路是採用薄膜或厚膜技術，將無源微波電路製作在適合傳輸微波信號的基片上的功能塊。電路是根據系統的需要而設計製造的。常用的混合微波集成電路有微帶混頻器、微波低雜訊放大器、功率放大器、倍頻器、相控陣單元等各種寬頻微波電路。單片微波集成電路是採用平面技術，將元器件、傳輸線、互連線直接製做在半導體基片上的功能塊。砷化鎵是最常用的基片材料。微波集成電路起始於20世紀50年代。微波電路技術由同軸線、波導元件及其組成的系統轉向平面型電路的一個重要原因，是微波固態器件的發展。20世紀60～70年代採用氧化鋁基片和厚膜薄膜工藝；80年代開始有單片集成電路。