cry電路

㈠ 數字電路設計一個二進制全減器 過程詳細一點

輸入解碼器的三個輸入端，真值表如下：

A B C F
0 0 0 0
0 0 1 1X
0 1 0 1X

0 1 1 0X
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1X

解釋下真值表：輸出F是0的話加個非門，然後把八個輸出來一個大或門，或出來的就是D
帶X的幾個，輸入端用與門與起來，注意在輸入端，意思你懂不，就是0加非門然後1直接與，三個輸入與起來，一共有4組，把這四組或起來，就是Co。

(1)cry電路擴展閱讀：

可見二進制的10表示二，100表示四，1000表示八，10000表示十六，……。

二進制同樣是「位值制」。同一個數碼1，在不同數位上表示的數值是不同的。如11111，從右往左數，第一位的1就是一，第二位的1表示二，第三位的1表示四，第四位的1表示八，第五位的1表示十六。

所謂二進制，也就是計算機運算時用的一種演算法。二進制只由一和零組成。

比方說吧，你上一年級時一定聽說過「進位筒」（「數位筒」）吧！十進制是個位上滿十根小棒就捆成一捆，放進十位筒，十位筒滿十捆就捆成一大捆，放進百位筒……

二進制也是一樣的道理，個位筒上滿2根就向十位進一，十位上滿兩根就向百位進一，百位上滿兩根…… 二進制是世界上第一台計算機上用的演算法。

最古老的計算機里有一個個燈泡，當運算的時候，比如要表達「一」，第一個燈泡會亮起來。要表達「二」，則第一個燈泡熄滅，第二個燈泡就會亮起來。

㈡ 半導體有幾種，是否都是隨溫度的升高電阻減小

半導來體是隨著環境改變的 不一定是源溫度 比如光，比如氣壓，比如電流變化強度都會影響他的電阻電感等物理參數。
比如氧化鋅熱合物是一種半導體材料，在這種材料里，氧化鋅顆粒被鈷鎳其他盡速雜質包圍，造成電阻，而隨著溫度的增加以及電壓變大等條件的改變，包圍曾的電子活動發生變化，從而出現電阻變小的現象發生。

㈢ 電路圖中這是什麼元器件，名稱！

是一個晶振，1、2為輸入，3、4為輸出，型號：CRY－D3225
晶振在電路中的位號用Y表示，在這里是Y2。

㈣ 求解（關於半導體的）(小學生也可以弄的）

半導體
什麼是半導體呢？

顧名思義：導電性能介於導體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconctor）．
物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與金屬和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前，

1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。不久，

1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績——四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

半導體於室溫時電導率約在10ˉ10～10000/Ω·cm之間，純凈的半導體溫度升高時電導率按指數上升。半導體材料有很多種，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的有機物半導體等。

本徵半導體(intrinsic semiconctor) 沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。在絕對零度溫度下，半導體的價帶(valence band)是滿帶(見能帶理論)，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶(forbidden band/band gap)進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶(conction band)，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴(hole)，導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子 - 空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子(free carrier)，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，使電子-空穴對消失，稱為復合(recombination)。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子 - 空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。

雜質半導體(extrinsic semiconctor) 半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為n型半導體和p型半導體。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。能提供電子載流子的雜質稱為施主(donor)雜質，相應能級稱為施主能級,位於禁帶上方靠近導帶底附近。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價鍵，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫淺能級-施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多，很易激發到導帶成為電子載流子，因此對於摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是被激發到導帶中的電子，屬電子導電型，稱為n型半導體。由於半導體中總是存在本徵激發的電子空穴對，所以在n型半導體中電子是多數載流子，空穴是少數載流子。相應地，能提供空穴載流子的雜質稱為受主(acceptor)雜質，相應能級稱為受主能級，位於禁帶下方靠近價帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是受主能級。由於受主能級靠近價帶頂，價帶中的電子很容易激發到受主能級上填補這個空位，使受主雜質原子成為負電中心。同時價帶中由於電離出一個電子而留下一個空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本徵半導體情形下產生電子空穴對要小得多。因此這時空穴是多數載流子，雜質半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為p型半導體。在p型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。
編輯詞條
開放分類：
技術、電子、半導體物理

參考資料：
1.Introction to Solid State Physics - by Charles Kittle

半導體應用：
硅是集成電路產業的基礎，半導體材料中98％是硅，半導體硅工業產品包括多晶硅、單晶硅（直拉和區熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅單晶廣泛應用於集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用於大功率半導體器件，比如整流二極體，硅可控整流器，大功率晶體管等。單晶硅和多晶硅應用最廣。

中彰國際（SINOSI）是一家致力於尖端科技、開拓創新的公司。中彰國際（SINOSI）能夠規模生產和大批量供應單晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉拋光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和區熔NTD磨片並且可以按照國內、外客戶的要求提供非標產品。

單晶硅

單晶硅主要有直拉和區熔

區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ4〃。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。

各項參數可按客戶要求生產。

多晶硅

區熔用多晶硅：可生產直徑Φ40mm－Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各項參數可按客戶要求生產。

切磨片

切磨片可生產直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數符合並優於國家現行標准，並可按客戶要求生產。

拋光片

拋光片可生產直徑范圍為：Φ2〃- Φ6〃，厚度公差、總厚度公差、翹曲度、平整度、電阻率等參數符合並優於國家現行標准，並可按客戶要求生產。

高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求99.999％。單晶硅太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構和生產工藝已定型，產品已廣泛用於空間和地面。為了降低生產成本，現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經過復拉製成太陽電池專用的單晶硅棒。

單晶硅是轉化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領域，太空梭、宇宙飛船、人造衛星的製造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。

在科學技術飛速發展的今天，利用單晶硅所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。現在，國外的太陽能光伏電站已經到了理論成熟階段，正在向實際應用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。

直拉硅單晶廣泛應用於集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用於大功率半導體器件，比如整流二極體，硅可控整流器，大功率晶體管等。
區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ4〃。
直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。
硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用於微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為矽片引起的第一次革命。區熔單晶硅是利用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個方面。
1、製作電力電子器件
電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為「矽片引起的第二次革命」，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅製作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(PIC)等，廣泛應用於高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。製作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。
2、製作高效率太陽能光伏電池
太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也於2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速增長的態勢，年平均增長速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的增長速度。
晶體硅是目前應用最成熟，最廣泛的太陽能電池材料，佔光伏產業的85%以上。美國SunPower公司最近開發出利用區熔硅製作太陽能電池技術，其產業化規模光電轉換效率達到20%，為目前產業化最高水平，其綜合性價比超過直拉單晶硅太陽能電池（光電轉換效率為15%）和多晶硅太陽能電池（光電轉換效率為12%）。這項新技術將會極大地擴展區熔硅單晶的市場空間。據估計，到2010年，其總的市場規模到將達到電力電子需求規模，這是本項目新的市場機會。
3、製作射頻器件和微電子機械繫統（MEMS）
區熔單晶還可以用來製作部分分立器件。另外採用高阻區熔硅製造微波單片集成電路（MMIC）以及微電子機械繫統（MEMS）等高端微電子器件，被廣泛應用於微波通訊、雷達、導航、測控、醫學等領域，顯示出巨大的應用前景。這也是區熔單晶的又一個新興的市場機會。
4、製作各種探測器、感測器，遠紅外窗口
探測器、感測器是工業自動化的關鍵元器件，被廣泛應用於光探測、光纖通訊、工業自動化控制系統中以及醫療、軍事、電訊、工業自動化等領域。高純的區熔硅單晶是製作各種探測器、感測器的關鍵原材料，其市場增長趨勢也很明顯。

圖片參考：
http://www.sinosi.com/chinese/Procts%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conctor%20Silicon.htm
http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214

㈤ 單片機最小系統為例子，用層次原理圖設計出來

1.開門見山直接回答知識點
2.對相關知識點進行延伸
3.規范排版，內容充實更容易通過認證哦
4.補充參考資料（沒有可以忽略哦~）

㈥ 555是不是時序邏輯集成電路

可以說555根本不是邏輯電路，更談不上時序邏輯電路。555基本可以看做是模擬電路，基本功能就是一個振盪器，定時器電路，也可以用作觸發器。

㈦ 幫我翻譯這些（和電子有關的名稱）

1. 靜態電容(電容器)英文名稱血沉低電壓電解電容器µ六、因子、 酚醛聚酯電容器χ核定的UL核准伏特陶瓷電容器介質x7r非營利z5u2. 被動(電感、 變壓器)核心的核心尺寸電感環形鐵氧體鐵粉核心的核心物質絲銅線轉數計高頻感應榮譽µ八銨阻抗共模電感卧式立式鐵管長度毫米鐵氧體磁珠厘米內徑(250~300)筒管外徑(密度)變壓器初級中學(結束)(結束)輔助(結束)三重絕緣電線膠帶膠水電感七公斤體重差距ei41片玻璃熱熔斷器熔斷器推理3.semiconctorsPTC材料(離散)低功率半導體晶體管NPN型晶體管發射極晶體管即插即用收藏家基地to92案(轉)(轉)過電壓增益飽和三極體(hfe)功率晶體管散熱器to220案螺絲螺帽墊圈絕緣復合硅功率MOSFET絕緣柵源流失案(計劃生育)半導體二極體整流二極體向前信號電壓 網路Zener二極體肖特基二極體電壓電流逆轉t.v.s做-34輪案新橋型整流率領率領率領5毫米圓綠色長方形率領率領亮度視角(°)4.semiconctors光電二極體光電晶體管隔離電壓操作溫度儲存溫度集成電路放大器數字集成電路模擬集成電路運籌學比較調壓微控制器五雜蓄電池鉛酸蓄電池鎳氫電池鋰離子電池容量出院收費站收取短路電池極性反轉電源插頭-台式充電器線性開關輸入電壓輸出電壓輸出電流長官核准印製板酚醛cem1豌豆銅方方組成,通過焊料空穴元件組成6工具(焊)烙鐵釺焊水泵站7. 筆( 工具(零件及電線)鉗鉗刀刀汽8.tools螺絲(位置等駕駛葉尖冰山)螺絲(單位)檔案副錘鋼鋸9. 手持萬用表台式萬用表測量尺卡尺導致絕緣萬用表測試鱷魚夾10文具cissor膠水粘合劑膠水室溫硫化硅膠膠水膠帶聚酯膠帶吻合大宗計算器

㈧ 各位用天正電氣做電路圖的兄弟們請進！

可能你把它關了，右擊空白處勾選你
要的就是了，要不自己輸下面的命令
天正電氣
1．平面圖
平面設備：
任意布置RYBZ
矩形布置JXBZ
兩點均布LDJB
弧線布置HXBZ
沿線均布YXJB
沿線單布YXDB
沿牆布置YQBZ
沿牆均布YQJB
穿牆布置CQBZ
門側布置MCBZ
設備編輯：
設備替換SBTH
設備縮放SBSF
設備旋轉SBXZ
設備翻轉SBFZ
設備移動SBYD
設備擦除SBSC
改屬性字GSXZ
造設備ZSB
塊屬性KSX
導線：
平面布線PMBX
系統導線XTDX
任意導線RYDX
配電引出PDYC
插入引線CRYX
引線翻轉YXFZ
箭頭轉向JTZX
編輯導線：
編輯導線BJDX
線形比例XXBL
導線置上DXZS
導線置下DXZX
斷導線DDX
導線連接DXLJ
斷直導線DZDX
導線擦除DXCC
擦短斜線CDXX
導線圓角DXYJ
導線打散DXDS
標注與平面統計：
設備定義SBDY
拷貝信息KBXX
標注燈具BZDJ
標注設備BZSB
標注開關BZKG
標注插座CBCS
標導線數BDXS
改導線數GDXS
導線標注DXBZ
多線標注DDXB
沿線文字YXWZ
沿線箭頭YXJT
迴路編號HLBH
平面統計PMTJ
合並統計HBTJ
接地防雷：
自動避雷ZDBL
避雷線BLX
接地線JDX
擦避雷線CBLX
刪支持卡SZCK
插接地極CJDJ
避雷區域BLQY
插支持卡CZCK
變配電室：
插絕緣子CJYZ
角鋼支架JGZJ
卵石填充LSTC
線槽繪制XCHZ
剖面地溝PMDG
插變壓器CBYQ
插電氣櫃CDQG
線槽倒角XCDJ
2系統圖
元件：
元件插入YJCR
元件復制YJFZ
元件移動YJYD
元件替換YJTH
元件擦除YJCC
造元件ZYJ
元件標注YJBZ
沿線翻轉FZYJ
側向翻轉CXFZ
元件標號YJBH
元件寬度YJKD
強電系統：
照明系統ZMXT
動力系統DLXT
系統生成XTSC
低壓單線DYDX
插開關櫃CKGG
造開關櫃ZKGG
套用表格TYBG
計算電流JSDL
弱電系統：
有線電視YXDS
電視元件DSYJ
分配引出FPYC
消防數字XFWZ
造消防塊ZXFK
消防干線XFGX
消防設備XFSB
消防統計XFTJ
原理圖：
原理圖庫YLTK
電機迴路DJHL
端子表HDZB
端板接線DBJX
轉換開關ZHKG
閉合表BHB
固定端子CJDJ
可卸端子KCDZ
繪連接點HLJD
擦連接點CLJD
端子擦除DZCC
端子標注DZBZ
沿線標注YXBZ
3電氣計算
照度計算程序ZDJS
負荷計算FHJS
電壓損失計算DYSS
短路電流計算DLDL
無功補償計算WGBC
年雷擊數NLJS
低壓短路DYDL
4建築圖
軸網：
直線軸網ZXZW
弧線軸網HXZW
插弧軸網CHZW
牆生軸網QSZW
兩點標注LDZB
逐點標注ZDZB
重排軸號CPZH
單軸變號DZBH
添補軸號TBZH
刪除軸號SCZH
添加軸線TJZX
添加徑軸TJJZ
軸線裁剪ZXCJ
牆體：
繪制牆體HZQT
等分加牆DFJQ
單線變牆DXBQ
軸線生牆ZXSQ
倒牆角DQJ
修牆角XQJ
邊線對齊BXDQ
改牆厚GQH
改外牆厚GWQH
牆端封口QDFK
加保濕層JBWC
消保濕層XBWC
玻璃幕牆BLMQ
柱子：
標准柱BZZ
角柱JZ
Pline轉柱
門窗：
門窗MC
帶形窗DXC
轉角窗ZJC
異形洞YXD
內外翻轉TMIRWINLO
左右翻轉TMIRWINLR
加裝飾套JZST
窗欞展開CLZK
窗欞映射CLYS
樓梯：
直線梯段ZXTD
圓弧梯段YHTD
任意梯段RYTD
扶手FS
雙跑樓梯SPLT
多跑樓梯DPLT
電梯DT
其他：
陽台YT
台階TJ
坡道PD
5文字與表格
文字相關命令：
文字樣式WZYS
單行文字DHWZ
電氣文字DQWZ
多行文字TMTEXT
轉角自糾ZJZJ
文字轉化WZZH
文字合並WZHB
查找替換CZTH
簡轉繁JZF
繁轉簡FJZ
修改文字XGWZ、DD
遞增文字DZWZ
表格的繪制與編輯：
新建表格XJBG
全屏編輯QPBJ
單元編輯DYBJ
單元合並DYHB
錶行編輯BLBJ
表列編輯BHBJ
表格填寫BGTX
單元遞增DYDZ
單元復制DYFZ
6尺寸與符號標注
尺寸標注命令
兩點標注LDBZ
逐點標注ZDBZ
半徑標注BJBZ
角度標注JDBZ
更改文字GGWZ
文字復位WZFW
文字復值WZFZ
剪裁延伸JCYS
取消尺寸QXCC
連接尺寸LJCC
增補尺寸ZBCC
切換角標QHJB
尺寸轉化CCZH
尺寸自調CCZT
符號標注命令：
單注標高DZBG
連注標高TMELEV
指向索引ZXSY
剖切索引PQSY
索引圖名SYTM
剖面剖切PMPQ
斷面剖切DMPQ
加折斷線JZDX
箭頭引注JTYZ
引出標注YCBZ
作法標注ZFBZ
畫對稱軸HDCZ
畫指北針HZBZ
圖名標注TMBZ
7通用工具
對象操作：
對象查詢DXCX
對象選擇DXXZ
移動與復制：
自由復制ZYFZ
自由移動ZYYD
移位YW
自由粘貼ZYNT
幻燈管理：HDGL
虛線工具：
任意虛線RYXX
線形比例XXSZ
虛線框XXK
虛線擦除XXCC
8布圖
定義視口DYSK
改變比例GBBL

㈨ 430單片機控制帶字元的LCD12864顯示四行靜態的文字，求串口的電路圖和程序

/************************************************************
我直接貼程序吧，
這是main.c文件
*************************************************************/
#include <msp430x14x.h>
#include "cryfucns.h"
const uchar h0[] = {"誠實以啟人之信我"};
const uchar h1[] = {"樂善以使人之親我"};
const uchar h2[] = {"虛心以聽人之教我"};
const uchar h3[] = {"恭順以取人之敬我"};
const uchar h4[] = {"自檢以杜人之議我"};
const uchar h5[] = {"自反以杜人之罪我"};
const uchar h6[] = {"容忍以免人之欺我"};
const uchar h7[] = {"勤儉以補人之助我"};
const uchar h8[] = {"量力以濟人之求我"};
const uchar h9[] = {"盡心以報人之任我"};
const uchar *ptr[10];
uchar d1=0,d2=1,d3=2,d4=3;
uchar tcnt=0;
/************************主函數*************************/
void main(void)
{
WDTCTL = WDT_ADLY_1000; // 定時時間1S
IE1 |= WDTIE;

//初始化指針數組
ptr[0] = h0;
ptr[1] = h1;
ptr[2] = h2;
ptr[3] = h3;
ptr[4] = h4;
ptr[5] = h5;
ptr[6] = h6;
ptr[7] = h7;
ptr[8] = h8;
ptr[9] = h9;

Ini_Lcd(); // 初始化液晶

_EINT();
LPM1;
}
/*******************************************
函數名稱：watchdog_timer
功 能：看門狗中斷服務函數
參 數：無
返回值 ：無
********************************************/
#pragma vector=WDT_VECTOR
__interrupt void watchdog_timer(void)
{
uchar tmp;

tcnt++;

if(tcnt == 0x02)
{
Disp_HZ(0x80,ptr[d1],8);
Disp_HZ(0x90,ptr[d2],8);
Disp_HZ(0x88,ptr[d3],8);
Disp_HZ(0x98,ptr[d4],8);

tmp = d4;
d4++;
if(d4 == 10)
{
d4 = 0;
}
d1 = d2;
d2 = d3;
d3 = tmp;
tcnt = 0;
}
}
/*****************************************
這是cryfucns.c文件
*******************************************/
#include <msp430x14x.h>
typedef unsigned int uint;
typedef unsigned char uchar;
#define BIT(x)(1 << (x))
void Send(uchar type,uchar transdata);
/**********液晶控制IO的宏定義*************/
#define cyCS 0 //P3.0，片選信號
#define cySID 1 //P3.1，串列數據
#define cyCLK 2 //P3.2，同步時鍾
#define cyPORT P3OUT
#define cyDDR P3DIR
/*******************************************
函數名稱：delay_Nus
功 能：延時N個us的時間
參 數：n--延時長度
返回值 ：無
********************************************/
void delay_Nus(uint n)
{
uchar i;
for(i = n;i > 0;i--)
_NOP();
}
/*******************************************
函數名稱：delay_1ms
功 能：延時約1ms的時間
參 數：無
返回值 ：無
********************************************/
void delay_1ms(void)
{
uchar i;
for(i = 150;i > 0;i--) _NOP();
}
/*******************************************
函數名稱：delay_Nms
功 能：延時N個ms的時間
參 數：無
返回值 ：無
********************************************/
void delay_Nms(uint n)
{
uint i = 0;

for(i = n;i > 0;i--)
delay_1ms();
}
/*******************************************
函數名稱：Ini_Lcd
功 能：初始化液晶模塊
參 數：無
返回值 ：無
********************************************/
void Ini_Lcd(void)
{
cyDDR |= BIT(cyCLK) + BIT(cySID) + BIT(cyCS); //相應的位埠設置為輸出
delay_Nms(100); //延時等待液晶完成復位
Send(0,0x30); /*功能設置:一次送8位數據,基本指令集*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x02); /*DDRAM地址歸位*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x0c); /*顯示設定:開顯示,不顯示游標,不做當前顯示位反白閃動*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x01); /*清屏，將DDRAM的位址計數器調整為「00H」*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x06); /*功能設置，點設定:顯示字元/游標從左到右移位,DDRAM地址加1*/
delay_Nus(72);
}
/*******************************************
函數名稱：Send
功 能：MCU向液晶模塊發送1一個位元組的數據
參 數：type--數據類型，0--控制命令，1--顯示數據
transdata--發送的數據
返回值 ：無
********************************************/
void Send(uchar type,uchar transdata)
{
uchar firstbyte = 0xf8;
uchar temp;
uchar i,j = 3;
if(type) firstbyte |= 0x02;
cyPORT |= BIT(cyCS);
cyPORT &= ~BIT(cyCLK);
while(j > 0)
{
if(j == 3) temp = firstbyte;
else if(j == 2) temp = transdata&0xf0;
else temp = (transdata << 4) & 0xf0;
for(i = 8;i > 0;i--)
{
if(temp & 0x80)cyPORT |= BIT(cySID);
elsecyPORT &= ~BIT(cySID);
cyPORT |= BIT(cyCLK);
temp <<= 1;
cyPORT &= ~BIT(cyCLK);
}
//三個位元組之間一定要有足夠的延時，否則易出現時序問題
if(j == 3) delay_Nus(600);
else delay_Nus(200);
j--;
}
cyPORT &= ~BIT(cySID);
cyPORT &= ~BIT(cyCS);
}
/*******************************************
函數名稱：Clear_GDRAM
功 能：清除液晶GDRAM內部的隨機數據
參 數：無
返回值 ：無
********************************************/
void Clear_GDRAM(void)
{
uchar i,j,k;

Send(0,0x34); //打開擴展指令集
i = 0x80;
for(j = 0;j < 32;j++)
{
Send(0,i++);
Send(0,0x80);
for(k = 0;k < 16;k++)
{
Send(1,0x00);
}
}
i = 0x80;
for(j = 0;j < 32;j++)
{
Send(0,i++);
Send(0,0x88);
for(k = 0;k < 16;k++)
{
Send(1,0x00);
}
}
Send(0,0x30); //回到基本指令集
}
/*******************************************
函數名稱：Disp_HZ
功 能：顯示漢字程序
參 數：addr--顯示位置的首地址
pt--指向顯示數據的指針
num--顯示數據的個數
返回值 ：無
********************************************/
void Disp_HZ(uchar addr,const uchar * pt,uchar num)
{
uchar i;
Send(0,addr);
for(i = 0;i < (num*2);i++)
Send(1,*(pt++));
}
/*****************************************
這是cryfucns.h文件
*******************************************/
void Send(unsigned char type,unsigned char transdata);
void Ini_Lcd(void);
void Clear_GDRAM(void);
void Disp_HZ(unsigned char addr,const unsigned char * pt,unsigned char num);
void Draw_PM(const unsigned char *ptr);
void Draw_TX(unsigned char Yaddr,unsigned char Xaddr,const unsigned char * dp) ;
void Disp_SZ(unsigned char addr,unsigned char shuzi);

㈩ FPS 這個是啥、

FPS 是頻的狀況....FPS 值越高越好...一般是在100+上