先導集成電路

Ⅰ 集成電路先導工藝與儀器裝備技術，集成電路與系統設計技術，高性能器件與電路集成技術

高性能器件與電路集成技術，射頻、微波器件與電路集成技術，新型納米器件與集成技術，三維集成與系統封裝技術，這幾個方向是跟世界差距比較大的，也是國家很緊迫要解決的，將來的發展空間會比較大。

Ⅱ 中國22納米技術概念股有哪些中國22納米技術相關股票名單

摘要：中國22納米技術概念股 中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心（以下專簡稱先導工藝研發屬中心）通過4年的艱苦攻關，在22納米關鍵工藝技術先導研究與平台建設上，實現了重要突破。中國科學院微電子研究所與長電科技（600584）、通富微電（002156）、華... 中國22納米技術概念股 中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心（以下簡稱先導工藝研發中心）通過4年的艱苦攻關，在22納米關鍵工藝技術先導研究與平台建設上，實現了重要突破。中國科學院微電子研究所與長電科技（600584）、通富微電（002156）、華天科技（002185）、深南電路有限公司等共同投資設立華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司，綜藝股份、北京君正是CPU企業。 中國22納米技術概念股一覽： 長電科技（600584） 通富微電（002156） 華天科技（002185）讓更多人知道事件的真相，把本文分享給好友：更多

Ⅲ 中國微電子所在finfet工藝上的突破有何意義

中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？
本文作者：鐵流 2017-01-05 10:40
導語：利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏（MSD），將N/PMOS器件性能提高大約30倍。
按：SOI技術作為一種全介質隔離技術，可以用來替代硅襯底。為何FinFET會成為主流，即便是掌握了22nm FD-SOI工藝的格*還是購買了三*的14nm FinFET技術授權呢？本文將會解析：新型FinFET邏輯器件工藝突破到底有什麼影響？
最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏（MSD），能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動性能達到了國際先進水平。

基於本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會（IEDM）接收，並在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和製造技術（PMT）上，由張青竹做了學術報告。
那麼，這個新型FinFET邏輯器件工藝是幹啥用的呢?通俗的說就是下一用來製造CPU等邏輯器件的工藝，舉例來說，現在14/16nm晶元大多採用FinFET工藝，而這個新型FinFET則是國內對下一代工藝的有益探索。
| FinFET和SOI
在介紹微電子所開發出的新工藝之前，先介紹下FinFET和FD-SOI工藝。

FinFET 中的 Fin是指鰭式，FET是指場效應晶體管，合起來就是鰭式場效應晶體管。在FinFET問世前，一直在使用MOSFET，但由於當柵長小於20nm的情況下，源極和漏極過於接近且氧化物也愈薄，這很有可能會漏電現象。
因此，美國加*伯*分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor 等三位教授發明了FinFET，把原本 2D 構造的 MOSFET 改為 3D 的 FinFET，由於構造很像魚鰭，也就得名「鰭式」。
2015年，胡正明教授憑借在FinFET上的貢獻榮獲美國年度國家技術和創新獎。根據胡正明教授本人的介紹，FinFET實現了兩個突破：一是把晶體做薄並解決了漏電問題，二是向上發展，晶片內構從水平變成垂直，也就是把2D的MOSFET 變為 3D 的 FinFET。
而這種做法有怎樣的效果呢？
台*就曾表示：16nm FinFET工藝能夠顯著改進晶元性能、功耗，並降低漏電率，柵極密度是台*28nm HPM工藝的兩倍，同等功耗下速度可以加快超過40％，同頻率下功耗則可以降低超過60％。
值得一提的是，被三*挖走的前台*員工梁孟*的博士論文指導教授就是胡正明，想必這也是三*能夠在14nm FinFET上實現大躍進的原因之一吧。
相對於在晶體管上做文章的FinFET，SOI工藝則著眼於晶片底襯。
SOI （Silicon-On-Insulator絕緣體上硅）是指絕緣層上的硅，是一種用於集成電路集成電路的供應商製造的新型原材料。SOI技術作為一種全介質隔離技術，可以用來替代硅襯底。FD-SOI就是在襯底上做文章，在晶體管相同的情況下，採用FD-SOI技術可以實現在相同功耗下性能提高30%左右，或者在相同性能下，功耗降低30%左右。
根據格*公布的數據：
22nm FD-SOI工藝功耗比28nmHKMG降低了70%；
晶元面積比28nmBulk縮小了20%；
光刻層比FinFET工藝減少接近50%；
晶元成本比16/14nm低了20%。
如果格*發布的數據屬實，那麼，22nm FD-SOI擁有堪比14/16nm FinFET的性能和功耗，但晶元的成本卻與28nm相當。而且格*還表示：若是將製程提升到14nm，相對於28nm SOI的會有35%的性能提升，功耗也會降到原來的一半。

Ⅳ BOSA TOSA ROSA有哪些公司在做啊

武漢驛天諾科技有限公司就是主做TOSA/ROSA的。

驛天諾是與中科院西安光機所光電子集成電路先導技術研究院合資創辦，產品涵蓋了光電晶元、光組件、子系統和自動化生產與測試設備。

Ⅳ 陝西光電子集成電路先導技術研究院有限責任公司怎麼樣

簡介：陝西光電子集成電路先導技術研究院是國內首家以光電子集成電路為發展方向，回集該領域國答家戰略智庫規劃、國際前沿產業化技術研究、高端創新創業人才引進、創業投資與孵化為一體的創新機構。由中科院西安光機所發起創立，旨在建成國內光電子集成電路戰略智庫，廣泛統籌科技資源，充分調動和利用陝西省光電子集成電路領域優勢技術和產業基礎，引進一批國際級領軍人才、孵化一批參與國際競爭的科技企業。
法定代表人：張思申
成立時間：2015-10-29
注冊資本：19010萬人民幣
工商注冊號：610131100231034
企業類型：其他有限責任公司
公司地址：陝西省西安市高新區上林苑一路15號

Ⅵ 武漢驛天諾科技有限公司怎麼樣

簡介：武漢驛天諾科技有限公司是東隆科技集團和中科院西安光機所光電子集成電專路先導技屬術研究院合資創辦，公司專注於集成光電子技術和硅光技術，是光通信領域的高科技公司。驛天諾公司依託東隆科技集團全球研發資源，以及中科院創新技術體系資源，作為核心光器件供應商，為客戶提供光電晶元、光組件、子系統到自動化生產與測試綜合解決方案。
法定代表人：肖娜
成立時間：2009-04-01
注冊資本：1000萬人民幣
工商注冊號：420100000136286
企業類型：其他有限責任公司
公司地址：武漢市東湖新技術開發區光谷三路777號

Ⅶ 中國科學院微電子研究所的介紹

中國科學院微電子研究所，前身為成立於1958年的原中國科學版院109廠。1986年，109廠與中國科學院半導體研究權所、計算技術研究所有關研製大規模集成電路部分合並為中國科學院微電子中心。2003年9月，正式更名為中國科學院微電子研究所。1中國科學院微電子研究所是一所專門從事微電子領域研究與開發的國立研究機構，是中國科學院微電子技術的總體和中國科學院EDA中心的依託單位，主要研究方向為：①集成電路先導工藝與儀器裝備技術；②集成電路與系統設計技術；③高性能器件與電路集成技術；④射頻、微波器件與電路集成技術；⑤三維集成與系統封裝技術；⑥新型納米器件與集成技術；⑦物聯網與感測器技術。12截至2014年底，中國科學院微電子研究所設有12個從事應用技術研究的研究室和2個從事前沿基礎研究的重點實驗室；共有在職職工1061人，其中科技人員819人、科技支撐人員203人，研究員及正高級工程技術人員72人、副研究員151人、高級工程技術人員64人；共有在學研究生293人（其中碩士研究生164人，博士研究生125人，留學生4人），有研究生導師117人（其中博士生導師44人，碩士生導師73人）。

Ⅷ 有什麼技術是中國完全自主研發的

1、集成電路先導技術

在集成電路裝備專項實施前，國內集成電路製造最先進的量產工藝為130納米；專項實施後，我國的主流工藝水平提升了5代，其中55、40、28納米三代成套工藝已研發成功並實現量產，更先進的22、14納米先導技術也在研發上取得突破，形成了自主知識產權。

2、自動沖壓線技術

我國依託「高檔數控機床與基礎製造裝備」專項，大型汽車覆蓋件自動沖壓線等10多類設備已達到國際領先水平，完全可實現進口替代。

3、油氣開發技術

在油氣專項的技術支撐下，我國建成了全球除北美之外的第一個商業性開發頁岩氣田——重慶涪陵頁岩氣田。

4、新葯研發技術

2017年5月18日，在新葯創制重大專項的支持下，國際頂尖學術期刊《自然》在線發表了我國科學家關於胰高血糖素受體和胰高血糖樣肽—1受體的兩項最新研究成果，為治療Ⅱ型糖尿病和肥胖症的新葯研發指明了方向。

5、轉基因技術

在轉基因重大專項的支持下，我國的轉基因育種整體研發進入國際先進水平。

2008年以來，我國育成轉基因抗蟲棉新品種168個，累計推廣4.2億畝，減少農葯用量60%，增收節支470多億元，已成為擁有自主知識產權的轉基因棉花研發強國；抗蟲轉基因水稻研究國際領先，自主創新能力顯著提升，獲得專利1269項，專利總數僅次於美國、居世界第二位。

Ⅸ 集成電路先導工藝研發中心怎麼樣

研究室簡介：集成電路先導工藝研發中心圍繞集成電路先導工藝技術研究，致力於CMOS前沿工藝技術、MEMS器件與集成技術研究、新原理的微細加工技術和設備研發，擁有一條完整的CMOS/MEMS工藝線和雄厚的工藝研發力量，是我國集成電路前沿研究領域的中堅力量，在CMOS器件成套工藝，MEMS製造技術和器件應用等方面做出了多項代表國家集成電路工藝研究水平的成果。
研發中心現有一支結構合理，老、中、青三代相結合、朝氣蓬勃的科研團隊。實驗室有固定在編人員80餘人，包括研究員15人，副研究員及高級工程師10人，流動人員及在學碩士、博士研究生40餘人，現任實驗室主任為陳大鵬研究員。
研發中心擁有一個凈化面積達300平米的4英寸Mini CMOS工藝研發實驗室和一個凈化面積2200平米的8英寸CMOS先導工藝研發平台，具備國內一流的CMOS/MEMS器件加工及工藝整合環境，是一個功能完善的從事納米尺度新型CMOS/MEMS器件與工藝研究的開放研發基地。
研發中心現有兩個主要研究方向，即CMOS先導工藝技術研究，MEMS器件與集成技術研究。
該中心的目標是發展成為一個既能開展亞50納米以下節點的CMOS工藝模塊研究，也能滿足MEMS工藝研究的多目標科研平台，並在此基礎上，成為一個基於專業化技術協作，並能提供成熟的IC工藝模塊和對外服務功能的MEMS製作工藝及IC集成技術平台，促使CMOS/MEMS技術走向市場化和實用化。