gto電路

1. 請問IGBT、GTO、GTR與MOSFET的驅動電路有什麼特點

IGBT成為絕緣柵型場效應管 GTO 門極可關斷晶閘管 GTR 巨型晶閘管 MOSFET
如果你採用的是王兆安的第五版專的 那麼屬書上的結論如下：
1.GTO的驅動電路：分為脈沖變壓器耦合式和直接耦合兩種，直接耦合應用范圍廣，但是功耗大，效率低。給出的例子就是其驅動特點：
原方N1到副方N2出項兩種導通：
正向：C3放電—R1—V1（觸發導通）—L—觸發GTO
C1放電—R2—V2—L—GTO
反向關斷：C4放電 —關斷GTO—門級—L—V3
剩下三種推到方法類似....
2 GTR: 圖中給的分為電氣隔離和晶體管放大電路兩部分組成，主要是通過光耦合器控制三極體的原理控制觸發電路
3 MOSFET和IGBT都是電壓驅動器件，要求驅動電路有較小的輸出電阻。

2. 電力電子技術試題GTO GTR MOSFET IGBT四種晶體管的優缺點請盡量稍微的詳細點

GTO(門級可關斷晶閘管)：全控型器件 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導版調制權效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低
GTR（電力晶體管）耐高壓，電流大開關特性好
mosfet（電力場效應晶體管）驅動電路簡單，需要驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性高於GTR但是電流容量小
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)它綜合了GTR和mosfet的優點，具有電導調制效應，其通流能力很強，但是開關速度較慢，所需驅動功率大，驅動電路復雜。
望採納~~

3. GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優點和缺點

IGBT 開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電內壓驅動，驅容動功率小 開關速度低於電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO

GTR 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題

GTO 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低

MOSFET 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置

4. igbt,gto,gtr的緩沖電路有何異同

IGBT 開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電壓內驅動容，驅動功率小 開關速度低於電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO

GTR 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題

GTO 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低

MOSFET 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置

5. GTO為什麼要設置緩沖電路緩沖電路的工作原理是什麼

緩沖電路的基本工作原理是利用電感電流不能突變的特性抑制器件的電流上升率，利用電容電壓不能突變的特性抑制器件的電壓上升率。

6. 畢設選了有關gto驅動電路，但是一直沒找到電路，求助求助求助求助

大功率三極體驅動電路還是三極體放大電路呀，不就是什麼共射、共集的。你先理論論述一下，總結出對gto電路的要求，把要求列出來才可以「對症設計畫圖」。

7. 可控硅、MOSFET、IGBT、GTO是電壓觸發還是電流觸發，它們在作用上有什麼區別與聯系

可控硅、GTO是電流觸發，其中可控硅觸發導通後要等到電流過0時才關斷；GTO稱之為可關斷可控硅，可以在有電流時關斷。

MOSFET和IGBT是電壓控制器件，類似於場效應管，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於GTO，由於MOSFET的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效應管與雙極型管結合的器件IGBT。

它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用，。

但相比之下，可控硅的應用范圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控硅是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。

IGBT與GTO、MOSFET器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。

(7)gto電路擴展閱讀

可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。

這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。

今日半導體元件的材料通常以硅為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如IBM使用硅與鍺的混合物所發展的硅鍺製程。

而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵，因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造MOSFET元件。

8. GTO、GTR、MOSFET、IGBT分別表示什麼電力電子元件,試給出各元件的主要特點

GTO(門級可關斷晶閘管)：全控型器件 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 。GTO
電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強
電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低。
GTR（電力晶體管）耐高壓，電流大開關特性好。GTR
耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低
開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題。
MOSFET
（電力場效應晶體管）驅動電路簡單，需要驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性高於GTR但是電流容量小。MOSFET
開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題
電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)它綜合了GTR和mosfet的優點，IGBT
開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率小
開關速度低於電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO。