雪崩電路

① 求一款三極體，要求雪崩電壓較低，最好不超過30V， 但是在150V的情況下正常工作，用於下面的電路圖中

你這個三極體當二極體用，用雪崩二極體（8V以上穩壓二極體）就可以了，三極體BC結擊穿電壓在30V一下的很不好早。一般參數都是表示擊穿電壓大於多少，但是即使最低規格的也不敢保證30V以下雪崩。

② 請教氣體放電二極體和雪崩二極體、TVS的區別

看你問的幾個問題就知道你想了解保護二極體的區別以及應用針對性。
首先氣體放電二極體主要針對瞬間比較大的電流，可以用於防止信號迴路中隨機出現的高壓沖擊。而雪崩二極體和TVS(Transient Voltage Suppresser瞬態電壓抑制器)主要用於ESD（Electrostaics Discharge，靜電放電）防護，電流相對較小，持續時間很短。

以下是這些器件的一下工藝說明：

陶瓷氣體放電管是在放電間隙內充入適當的惰性氣體介質。配以高活性的電子發射材料及放電引燃機構，通過貴金屬焊料高溫封接而成的一種特殊的金屬陶瓷結構的氣體放電器件。它可用於瞬間過電壓防浪涌，也可用作點火。其高阻抗、低極間電容和高耐沖擊電流是其它放電管所不具備的。當線路有瞬時過電壓竄入時，放電管被擊穿，阻抗迅速下降，幾乎是短路狀態。放電管將大電流通過線路接地或迴路泄放，也將電壓限制在低電位，從而保護了線路及設備。當過電壓浪涌消失後，又迅速的恢復到≥109的高阻狀態，保證線路的正常工作

雪崩二極體就是利用二極體反向擊穿的雪崩效應。

TVS(Transient Voltage Suppresser瞬態電壓抑制器)二極體等ESD保護器是近幾年發展起來的一種固態二極體,專門用於ESD保護.TVS二極體是和被保護電路並聯的,當瞬態電壓超過電路的正常工作電壓時,二極體發生雪崩,為瞬態電流提供通路,使內部電路免遭超額電壓的擊穿或超額電流的過熱燒毀.由於TVS二極體的結面積較大,使得它具有泄放瞬態大電流的優點,具有理想的保護作用. 改進後的TVS二極體還具有適應低壓電路(<5 V)的特點,且封裝集成度高,適用於在印製電路板面積緊張的情況下使用.很低的箝位電壓,經過多次ESD過程後不會劣化.這些特點決定了它有廣泛的適用范圍.

③ 這個電路圖到底該怎麼看，已經把三極體的知識忘得差不多了 最近各種惡補 初態各個雪崩三極體處於截止狀態

■■抄 Marx發生器,又稱沖擊電壓發生器,是一種廣泛使用的脈沖能源裝置,以高儲能密度、低電感的電容器組為其主體構架。
■基本工作原理是:首先將電容器組並聯,對其進行充電,然後改變發生器電路結構,實現電容器串聯放電,從而使電壓倍加,以獲得更高的脈沖電壓輸出。是德國人E·馬克思首先研製成功的，故稱電Marx路。
■具體到你的這個圖，你只要這樣理解：當所有三極體都截至時，電源對每個電容同時並聯充電，而當第一個三極體受到尖峰信號沖擊後，所有的三極體都會立即變為導通狀態，此時他們上面的電壓就成為串聯相加狀態，所以總的輸出電壓就增高幾倍了。你的電路中有5個電容，所以應該是升高到5倍。

④ 雪崩二極體((APD)可以應用到那些領域具體一點的應用有那些,尋找高人解答,大蝦,幫幫小弟

你好！
雪崩二極體就是齊納二極體吧？zenner
diode吧？運用的電路穩壓
如有疑問，請追問。

⑤ 雪崩渡越時間二極體振盪器是什麼

雪崩二極體，亦稱為「碰撞雪崩渡越時間二極體」。是一種在外加電壓作用下可以產生超高頻振盪的半導體二極體。1958年由美國W.T.里德提出，所以又稱里德二極體。這類二極體有各種結構：里德結構(即P NIN )、肖特基結構(M-N-N )高-低-高結構(H-L-H)、雙漂移結構（DDR或P PNN ）等。所用材料主要有硅和砷化鎵。除了PN結雪崩渡越二極體外，由於其工作機理的差別，還有俘獲等離子體雪崩觸發渡越時間二極體，金屬-半導體-金屬勢壘渡越二極體，隧道雪崩渡越二極體等。 雪崩二極體的工作原理是：利用p－n結的雪崩擊穿在半導體中注入載流子，這些載流子渡越過晶片流向外電路。由於這一渡越需要一定的時間，因而使電流相對於電壓出現一個時間延遲，適當控制渡越時間，在電流和電壓的關繫上會出現負阻效應，因而能夠產生振盪。 雪崩二極體具有功率大、效率高等優點。雪崩渡越二極體及其功率源可達到極高的工作頻率，從幾百兆赫至300吉赫都可以獲得一定的微波功率。特別在毫米波波段，它是現代功率最大的固體器件，可連續波工作或脈沖工作，廣泛地使用於雷達、通信、遙控、遙測、儀器儀表中。。其缺點是雜訊比電子轉移器件稍高。用雪崩渡越二極體製成的雪崩振盪器和鎖定放大器用於微波通信、雷達、戰術導彈。 微波振盪器是在通信、雷達、電子對抗及測試儀器等各種微波系統中被廣泛應用的重要部件之一。近年來，隨著微波半導體器件的迅速發展，微波固態振盪器也得到迅速發展。 目前已有晶體管振盪器（包括雙極晶體管振盪器和場效應管振盪器）、轉移電子振盪器（體效應振盪器）、雪崩二極體振盪器和隧道二極體振盪器等多種形式。其中隧道二極體振盪器因輸出功率小、穩定性差幾乎被淘汰。體效應振盪器和雪崩二極體振盪器發展極為迅速。如雪崩二極體振盪器振盪頻率可高達幾百吉赫以上；輸出功率最大可達幾十瓦以上；脈沖峰值功率，如限累二極體振盪器可高達幾千瓦；微波三極體振盪器的效率最高，可達50%。各種微波固態振盪器各有不同的特點，可根據要求來選用。在毫米波頻段，廣泛採用雪崩管振盪器和耿氏管振盪器，與耿氏管相比雪崩管可獲得更大的功率和更高的效率。 雪崩二極體的雪崩倍增效應和渡越時間效應使得它具有負阻特性，其小信號阻抗ZD為： 式中RD、XD為雪崩管電阻和電抗； Cd、θ為漂移區電容和渡越角； La、Ca是雪崩區電感和電容； ωa是雪崩頻率。 為了產生振盪，二極體的小信號電阻必須為負，而且其絕對值應大於負載電阻。當工作頻率ω給定時，這一條件可以通過調節偏流密度從而改變雪崩頻率來滿足。隨著振盪幅度I的增加，由於空間電荷對電場的影響，二極體阻抗發生變化，它是振幅和頻率的函數，但由於它通常是頻率的慢變化函數，所以在振盪器工作頻率范圍內，可不考慮頻率的影響。當器件阻抗與電路阻抗滿足以下條件，振盪器處於穩定振盪狀態。 式中Z(ω)為電路阻抗； ZD(I)為雪崩管阻抗； 如果由於外界改變使振盪器的電抗發生變化，為了滿足相位平衡，在諧振條件下，由外界因素引起的電抗的變化應該由頻率變化所產生的電抗變化來補償，假定外界的變化為Δα，則 式中R、X為電路電阻和電抗； 由此可見，迴路電抗隨外界因素變化率越大，頻率穩定度越差；迴路的有載品質因數越高，則頻率穩定度越高。 一般來說，雪崩管振盪器的缺點是頻率穩定度較差。

⑥ 如圖利用三極體雪崩做的閃光燈，去掉兩個電阻可以嗎為什麼電阻作用是什麼

1K電阻與電容組成RC充放電（振盪）電路，沒有了1K電阻組成不了振盪，三極體總是導通，發光二極體常亮。

⑦ TVS管的參數反相雪崩電壓是什麼意思呢

雪崩電壓就是它的擊穿電壓。只要電壓達到雪崩電壓值，TVS管就會以極快的速度提供一個瞬間大電流通道，把電壓鉗位在它的雪崩電壓值，對整個電路起到保護作用。

⑧ 怎樣用半導體二極體及其電路來解釋雪崩擊穿、齊納擊穿、熱擊穿形成的原因，並說明熱擊穿與電擊穿的異同

雪崩擊穿：當加在PN結兩端反向電壓足夠大時，PN結內的自由電子數量激增導致反專向電流迅速增屬大，導致擊穿。
齊納擊穿：當PN結兩端加入高濃度的雜志，在不太高的反向電壓作用下同樣會使反向電流迅速增大產生擊穿。
熱擊穿：加在PN結兩端的電壓和流過PN結電流的乘積大於PN結允許的耗散功率，PN結會因為熱量散發不出去而被燒毀。
熱擊穿與電擊穿的不同：電擊穿可逆，而熱擊穿不可逆。

⑨ 雪崩光電二極體的主要特性

主要特性 ①雪崩增益系數M（也叫倍增因子），對突變結

式中V為反向偏壓，VB為體雪崩擊穿電專壓；n與材料、

器件屬結構及入射波長等有關，為常數，其值為1～3。②增益帶寬積，增益較大且頻率很高時，
M(ω)·ω
式中ω為角頻率；N為常數，它隨離化系數比緩慢變化；W為耗盡區厚度；Vs為飽和速度；αn及αp分別為電子及空穴的離化系數，增益帶寬積是個常數。要想得到高乘積，應選擇大Vs，小W及小αn/αp（即電子、空穴離化系數差別要大，並使具有較高離化系數的載流子注入到雪崩區）。③過剩雜訊因子F，在倍增過程中，雜訊電流比信號電流增長快，用F表示雪崩過程引起的雜訊附加F≈Mx。式中x稱過剩雜訊指數。要選擇合適的M值，才能獲得最佳信噪比，使系統達到最高靈敏度。④溫度特性，載流子離化系數隨溫度升高而下降，導致倍增因子減小、擊穿電壓升高。用擊穿電壓的溫度系數盧描述APD的溫度特性。
β=
式中VB及VB0分別是溫度為T及T0時的擊穿電壓。
使用時要對工作點進行溫控，要製造均勻的P-N結，以防局部結面被擊穿。

⑩ 什麼是雪崩光電二極體APD

雪崩光電二極體偏壓保護裝置及電路申請號/專利號：200820117325本實用新型公開專了一種雪崩光電二極體屬偏壓保護裝置及電路，其中，上述裝置包括供電單元和雪崩光電二極體，還包括反饋部，其中，反饋部的輸入端連接至供電單元的輸出端；反饋部的第一輸出端連接至供電單元的輸入端；反饋部的第二輸出端連接至APD的輸入端。本實用新型通過對雪崩光電二極體提供偏壓過載保護，防止雪崩光電二極體管芯燒毀，提高了雪崩光電二極體接收機的安全性，降低了維修成本。