Ⅰ 各種電路圖中字母縮寫的含義
A
A模擬
A/DC模擬信號到數字信號的轉換
A/L音頻/邏輯板
AAFPCB音頻電路板
AB地址匯流排
ab 地址匯流排
accessorier 配件
ACCESSORRIER配件
ADC（A/O）模擬到數字的轉換
adc 模擬到數字的轉換
ADDRESSBUS地址匯流排
AFC自動頻率控制
afc 自動頻率控制
AFC自動頻率控制
AFMS來音頻信號
afms 來自音頻信號
AFMS來音頻信號
AFPCB音頻電路板
AF音頻信號
AGC自動增益控制
agc 自動增益控制
AGC自動增益控制
aged 模擬地
AGND模擬地
AGND模擬地
ALARM告警
alarm 告警
ALC自動電平控制
ALEV自動電平
AM調幅
AMP放大器
AMP放大器
AM調幅
ANT天線
ANT/SW天線開關
ant 天線
Anternna天線
antsw 天線開關
ANTSW天線切換開關
ANT天線
APC自動功率控制
APC/AOC自動功率控制
ARFCH絕對信道號
ASIC專用介面集成電路
AST-DET飽和度檢測
ATMS到移動台音頻信號
atms 到移動台音頻信號
ATMS到移動台音頻信號
AUC身份鑒定中心
AUDIO音頻
AUDIO音頻
AUTO自動
AUX輔助
AVCC音頻處理晶元
A模擬信號
b+ 內電路工作電壓
BALUN平衡於一不平衡轉換
BAND-SEL頻段選擇/切換
BAND頻段
Base band基帶(信號)
base 三極體基極
batt+ 電池電壓
BDR接收數據信號
Blick Diagram方框圖
BPF帶通濾波器
BUFFER緩沖放大器
BUS通信匯流排
buzz 蜂鳴器
C
CALL呼叫
CARD卡
Carrier載波調制
CCONTCSX開機維持(NOKIA)
CCONTINT關機請求信號
CDMA碼分多址
cdma 碼分多址
CEPT歐洲郵電管理委員會
CH信道
CHAGCER充電器
CHECK檢查
CIRCCITY整機
Circuit Diagram電路原理圖
CLK時鍾
CLK-OUT邏輯時鍾輸出
CLK-SELECT時鍾選擇信號(Motorola手機)
COBBA音頻IC(諾基亞系列常用)
COL列
COLLECTOR集電極
CONTROL控制
control 控制
CP脈沖、泵
CP-TX RXVCO控制輸出接收鎖相電平
CP-TX TXVCO控制輸出發射鎖相電平
CPU中央處理器
cpu 中央處理器
CS片選
CTL-GSM頻段控制信號
d b 數據匯流排
D/AC數字信號到模擬信號的轉換
d 數字
dac 數字到模擬的轉換
dcin 外接直流電願輸入
DCS-CS發射機控制信號:控制TXVCO與I/Q調制器
DDI數據介面電路
DECIPHRIG解秘
DEINTERLEARING去交織
DET檢測
dfms 來數據信號
dgnd 數字地
Diplex雙工濾波器
Direct Coner Siorl Lionear Receicer直接變換的線性接收機
dsp 數字信號處理器
DSP數字信號處理器
dtms 到數據信號
DUPLEX / DIPLEX雙工器
Duplex Sapatation雙工間隔
E
Earph耳機
EEPROM電擦除可編程只讀存儲器
EIR設備號寄存器
EL發光
EMITTER發射極
emitter 三極體發射極
EMOD Demo Laticon解調
EN使能
EN使能、允許、啟動
en 使能
ENAB使能
EPROM電編程只讀存貯器
ERASABLE可擦的
ETACS增強的全接入通信系統
etacs 增強的全接入通信系統
EXT外部
EXT外部
ext 外部的
FBUS處接通信介面信號線
fdma 頻分多址
feed back 反饋
fh 跳頻
FILFTER濾波器
fl 濾波器
fm 調頻
from 來自於
gain 增益
GAIN增益
Gen Out信號發生器
gnd 地
GSM-PINDIODE功率放大器輸出匹配電路切換控制信號
GSM-SEL頻段切換控制信號之一
G-TX-VCO900MHZ發射VCO切換控制
hook 外接免提狀態
I
I同相支路
I/O輸入/輸出
I/O輸入/輸出
i/o輸入輸出
i 同相支路
IC集成電路
ICTRL供電電流大小控制端
ictrl 供電電流大小控制端
IF中頻
if 中頻
IFLO中頻本振
IF中頻
IMEI國際移動設備識別碼
IN輸入
INSERTCARD插卡
INT中斷
int 中斷
Interface界面,電子電路基礎知識2,介面
ISDN綜合業務數字網
I同相支路
LayoutPCB元件分布圖
LCDCLK顯示器時鍾
led 發光二極體
LOCK鎖定
loop fliter 環路濾波器
LO本振
LPF低通濾波器
lspctrl 揚聲器控制
M
MAINVCO主振盪器(Motorola)
MCC移動國家碼
MCLK主時鍾
mclk 主時鍾
MCLK主時鍾
MCLK主時鍾
MDM調制解調
MDM數據機(Motorola手機)
MENU菜單
MF陶瓷濾波器
MIC話筒
mic 送話器
MISO主機輸入從機輸出(Motorola)
MIX混合
Mixed Second第二混頻信號
MIXERSECOND第二混頻信號
MIX混頻器
MOD調制信號
mod 調制信號
MODEM數據機
MODFreq調制頻率
MODIN調制I信號負
modin 調制i信號負
MODIN調制I信號負
MODIP調制I信號正
MODIP調制I信號正
MODQN調制Q信號負
MODQN調制Q信號負
MODQP調制Q信號正
MODQP調制Q信號正
MOD調制
MOD調制信號
MOEM數據機DM
mopip 調制i信號正
MOSI主機輸出從機輸入(Motorola)
MS移動台
MSC移動交換中心
MSIN移動台識別碼
MSK最小移頻鍵控
MSRN漫遊
MUTE靜音
mute 靜音
N
NAM號碼分配模塊
NC空、不接
NONETWORK無網路
ofst 偏置
on 開
onsrq 免提開關控制
PA 功率放大器
PADRV功率放大器驅動
PCB板圖
PCM脈沖編碼調制
PD/PH相位比較器
pll 鎖相環
PLL鎖相環
PLL鎖相環路
powcontrol 功率控制
POWCONTROL功率控制
Power Supply電源系統
powlev 功率級別
POWLEV功放級別
PURX復位信號(NOKIA)
pwrsrc 供電選擇
Q
Q uadrature molalion正交調制
Q 正交支路
Q正交支路
q 正交支路
R
RACH隨機接入信道
RADIO射頻本振
RAM隨機存儲器
ram 隨機儲存器（暫 存）
RD讀
Receiver收信機
REF參考、基準
ref 參考
RESET復位
reset 復位
RFPCB射頻板
RF射頻
rf 射頻
RFADAT射頻頻率合成器數據
rfadat 射頻頻率合成數據
RFADAT射頻頻率合成器數據
RFAENB射頻頻率合成器啟動
rfaenb 射頻頻率合成啟動
RFAENB射頻頻率合成器啟動
RFConnector射頻介面
RFI射頻介面
RFIN/OFF高頻輸入/輸出
ROM只讀存儲器
ROW行
RSSI場強
RSSI接收信號強度指示
rssi 接收強度指示
RSSI接收信號強度指示
RX接收
rx 接收
RX-ACQ接收機數據傳輸請求信號
RXEN接收使能
RXIFN接收中頻信號負
rxifn 接收中頻信號負
RXIFN接收中頻信號負
RXIFP接收中頻信號正
rxifp 接收中頻信號正
RXIFP接收中頻信號正
RXIN接收I信號負
RXIN接收輸出
RXIP接收I信號正
RXI接收基帶信號(同相)
RXON接收開
rxon 接收開
RXON接收機啟動/開關控制
RXOUT接收輸出
RXQN接收Q信號負
RXQP接收Q信號正
RXQ接收基帶信號(正交)
RXVCO收信壓控振盪器
RX接收
sat-det 飽和度檢測
saw 聲表面波濾波器
SAW聲表面波濾波器
SF超級濾波器
SHFVCO專用射頻VCO(NOKIA)
SLEEPCLK睡眠時鍾
SMOC數字信號處理器
spi 串列外圍介面
spk 揚聲器
SUPLEX雙工器作用相當於天線開關
sw 開關
swdc 末調整電壓
SW開關
synclk 頻率合成器時鍾
SYNCLK頻率合成器時鍾
syndat 頻率合成器數據
SYNDAT頻率合成器數據
SYNEN頻率合成器啟動/使能
synstr 頻率合成器啟動
SYNSTR頻率合成器啟動
SYNTCON頻率合成器開/關
synton 頻率合成器開/關
T
TACS全接入移動通信系統
TCH話音通道
TDMA時分多址
tdma 時分多址
TEMP溫度監測
temp 溫度監測
TEST測試
TP測試點
tp 測試點 tx 發送
Transmitter發信機
TRX收發信機
TXEN發送使能
tx en 發送使能
TX 發送
TX發信
TXC發信控制
TX-DEY-OUT發射時序控制輸出
TXENT發射供電
TXEN發射使能
TXEN發送使能
TX-IF發信中頻
TXIN發送I信號負
TXIP發送I信號正
TXI發射基帶信號
TXON發送開
txon 發送開
TXON發送開
TXOUT發射輸出
TXPWR發射功率
TXQN發送Q信號負
TXQP發送Q信號正
TXQ發射基帶信號
TXRF發射射頻
TXVCO發信壓控振盪器
txvco 發送壓控振盪器頻率控制
UHFVCO超高頻/射頻VCO
UHF超高頻段
UI用戶介面BSIC專用集成電路
UREGISTERED未注冊
vbatt 電池電壓
vcc 電願
VCO 壓控振盪器
vco 壓控振盪
VCTCXO溫補壓控振盪器
vcxocont 基準振盪器頻率控制
VHFVCO甚高頻/中頻VCO
vpp 峰峰值
vppflash flash 編程式控制制
vrpad 調整後電壓
vswitch 開關電壓
W
WATCHDOG看門狗
WATCHDOG看門狗信號
WCDMA寬頻碼分多址
WD-CP看門狗脈沖
WDG看門狗(維持信號電壓)
WDOG看門狗
WR寫
Ⅱ 如何實現直流電壓的疊加！
1。1VCXO，據我所知它代表晶振。不知何故你要改變它的振盪頻率。如果電路 總電源小於你所需要的版電壓那你只能另加電源權了。
2。全世界用電之所以採用交流輸變線路就因為它具有便捷的電壓變換優勢。直 流電的升壓，你只能採用高頻逆變電源的形式來達到了，但其豐富的高頻諧 波可能會嚴重干擾用電電路的穩定工作。
3。還是採用一個小型變壓器經整流、穩壓、濾波來給1VCXO供電實際些。
外建高電壓電路，與輸出電壓建立拉高電路，調整上拉電阻，調整電壓。
Ⅲ 發射機的故障維修有哪些
A／D：模數轉換。
AC：交流。
ADDRESS：地址線。
AF：音頻。
AFC：自動頻率控制，控制基準頻率時鍾電路。在手機電路中，只要看到AFC字樣，則馬上可以斷定該信號線所控制的是13MHz電路。該信號不正常則可能導致手機不能進入服務狀態，嚴重的導致手機不開機。有些手機的AFC標注為VCXOCONT。
AGC：自動增益控制。該信號通常出現在接收機電路的低雜訊放大器，被用來控制接收機前端放大器在不同強度信號時給後級電路提供一個比較穩定的信號。
ALERT：告警。屬於接收音頻電路，被用來提示用戶有電話進入或操作錯誤。
ALRT：鈴聲電路。
AMP：放大器。常用於手機的電路框圖中。
AMPS：先進的行動電話系統。
ANT：天線。用來將高頻電磁波轉化為高頻電流或將高頻信號電流轉化為高頻電磁波。在電路原理圖中，找到ANT，就可以很方便地找到天線及天線電路。
ANTSW：開線開關控制信號。
AOC：自動功率控制。通常出現在手機發射機的功率放大器部分(以摩托羅拉手機比較常用)。
AOC-DRIVE：自動功率控制參考電平。
ASIC：專用應用集成電路。在手機電路中，它通常包含多個功能電路，提供許多介面，主要完成手機的各種控制。
AUC：鑒權中心。
AUDIO：音頻。
AUX：輔助。
AVCC：音頻供電。
BACKLIGHT；背光。
BALUN：平衡／不平衡轉換。
BAND：頻段。
BAND-SELECT：頻段選擇。只出現在雙頻手機或三頻手機電路中。該信號控制手機的頻段切換。
BASEBAND：基帶信號。
B+：電源。
BATT：電池電壓。
BAND：頻段。
BCH：廣播信道。
BDR：接收數據信號。
BDX：發射數據信號。
BKLT-EN：背景燈控制。
BIAS：偏壓。常出現在諾基亞手機電路中，被用來控制功率放大器或其他相應的電路。
BOOT：屏蔽罩。
BRIGHT：發光。
BS：基站。
BSC：基站控制器。
BSEL：頻段切換。
BTS：基站收發器。
BSI：電池尺寸。在諾基亞的許多手機中，若該信號不正常，會導致手機不開機。
BUFFER：緩沖放大器。常出現在VCO電路的輸出端。
BUS：通信匯流排。
BUZZ：蜂鳴器。出現在鈴聲電路。
BW：帶寬。
CARD：卡。
CDMA：碼分多址。多址接人技術的一種，CDMA通信系統容量比GSM更大，其微蜂窩更小，CDMA手機所需的電源消耗更小，所以CDMA手機待機時間更長。
CELL：小區。
CELLULAR：蜂窩。
CH：信道。
CHECK：檢查。
CHARG+：充電正電源。
CHARG-：充電電源負端。
CLK：時鍾。CLK出現在不同的地方起的作用不同。．若在邏輯電路，則它與手機的開機有很大的關系；都在SIM卡電路，則可能導致SIM卡故障。
CLONE．復制。
CMOS：金金屬氧化物半導體。
CODEC：編解碼器。主要出現在音頻編解碼電路。
COL：列地址線。出現在手機的按鍵電路。
COM：串口。
CONNECTOR：連接器。
CONTACTSEVICER：聯系服務商。
CORD：代碼。
COUPLING：耦合。
COVER：覆蓋。
CP：表示鑒相器的輸出端。
CP-RX：RXVCO控制信號輸出。
CP-TX：發射VCO控制輸出端。
CPU：中央處理器。在手機的邏輯電路，完成手機的多種控制。
CRYSTAL：晶振。
CS：片選。
n／A：數模轉換。
DATA：數據DAT。
Ⅳ 晶振在數子電路中的基本作用
晶振一般採用如圖1a的電容三端式(考畢茲)
交流等效振盪電路；實際的晶振交流等效電內路如圖1b，其中容Cv是用來調節振盪頻率，一般用變容二極體加上不同的反偏電壓來實現，這也是壓控作用的機理；把晶體的等效電路代替晶體後如圖1c。其中Co，C1，L1，RR是晶體的等效電路。
分析整個振盪槽路可知，利用Cv來改變頻率是有限的：決定振盪頻率的整個槽路電容C=Cbe,Cce,Cv三個電容串聯後和Co並聯再和C1串聯。可以看出：C1越小，Co越大，Cv變化時對整個槽路電容的作用就越小。因而能「壓控」的頻率范圍也越小。實際上，由於C1很小(1E-15量級)，Co不能忽略(1E-12量級，幾PF)。所以，Cv變大時，降低槽路頻率的作用越來越小，Cv變小時，升高槽路頻率的作用卻越來越大。這一方面引起壓控特性的非線性，壓控范圍越大，非線性就越厲害；另一方面，分給振盪的反饋電壓(Cbe上的電壓)卻越來越小，最後導致停振。
採用泛音次數越高的晶振，其等效電容C1就越小；因此頻率的變化范圍也就越小。
Ⅳ 在電路模塊中同一個頻率的晶振貼片和插件是一樣用的嗎
晶振的工作原理一、什麼是晶振看
晶振是石英振盪器的簡稱，英文名為Crystal，它是時鍾電路中最重要的部件，它的主要作用是向顯卡、網卡、主板等配件的各部分提供基準頻率，它就像個標尺，工作頻率不穩定會造成相關設備工作頻率不穩定，自然容易出現問題。
晶振還有個作用是在電路產生震盪電流，發出時鍾信號。晶振是晶體振盪器的簡稱。它用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體在共振的狀態下工作，以提供穩定，精確的單頻振盪。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對精度可達百萬分之五十。高級的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在一定范圍內調整頻率，稱為壓控振盪器（VCO）。晶振在數字電路的基本作用是提供一個時序控制的標准時刻。數字電路的工作是根據電路設計，在某個時刻專門完成特定的任務，如果沒有一個時序控制的標准時刻，整個數字電路就會成為逗聾子地，不知道什麼時刻該做什麼事情了。晶振的作用是為系統提供基本的時鍾信號。通常一個系統共用一個晶振，便於各部分保持同步。有些通訊系統的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調整頻率的方法保持同步。晶振通常與鎖相環電路配合使用，以提供系統所需的時鍾頻率。如果不同子系統需要不同頻率的時鍾信號，可以用與同一個晶振相連的不同鎖相環來提供。電路中，為了得到交流信號，可以用RC、LC諧振電路取得，但這些電路的振盪頻率並不穩定。在要求得到高穩定頻率的電路中，必須使用石英晶體振盪電路。石英晶體具有高品質因數，振盪電路採用了恆溫、穩壓等方式以後，振盪頻率穩定度可以達到10^（-9）至10^（-11）。廣泛應用在通訊、時鍾、手錶、計算機……需要高穩定信號的場合。石英晶振不分正負極， 外殼是地線，其兩條不分正負二、晶振的使用晶振，在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻並聯再串聯一個電容的二端網路，電工學上這個網路有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低 的頻率是串聯諧振，較高的頻率是並聯諧振。由於晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當的接近，在這個極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個電感，所以只要晶 振的兩端並聯上合適的電容它就會組成並聯諧振電路。這個並聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振盪電路，由於晶振等效為電感的頻率范圍很窄， 所以即使其他元件的參數變化很大，這個振盪器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的並聯電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。一般的晶振振盪電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯的容量值就應該等於負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振盪電路就是比較好的選擇。晶振是為電路提供頻率基準的元器件，通常分成有源晶振和無源晶振兩個大類，無源晶振需要晶元內部有振盪器，並且晶振的信號電壓根據起振電路而定，允許不同的電壓，但無源晶振通常信號質量和精度較差，需要精確匹配外圍電路（電感、電容、電阻等），如需更換晶振時要同時更換外圍的電路。有源晶振不需要晶元的內部振盪器，可以提供高精度的頻率基準，信號質量也較無源晶振要好。每種晶元的手冊上都會提供外部晶振輸入的標准電路，會表明晶元的最高可使用頻率等參數，在設計電路時要掌握。與計算機用CPU不同，單片機現在所能接收的晶振頻率相對較低，但對於一般控制電路來說足夠了。晶體振盪器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振（諧振）的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振盪器）。無源晶振需要藉助於時鍾電路才能產生振盪信號，自身無法振盪起來，所以逗無源晶振地這個說法並不準確；有源晶振是一個完整的諧振振盪器。諧振振盪器包括石英（或其晶體材料）晶體諧振器，陶瓷諧振器，LC諧振器等。晶振與諧振振盪器有其共同的交集有源晶體諧振振盪器。石英晶片所以能做振盪電路（諧振）是基於它的壓電效應，從物理學中知道，若在晶片的兩個極板間加一電場，會使晶體產生機械變形；反之，若在極板間施加機械力，又會在相應的方向上產生電場，這種現象稱為壓電效應。如在極板間所加的是交變電壓，就會產生機械變形振動，同時機械變形振動又會產生交變電場。一般來說，這種機械振動的振幅是比較小的，其振動頻率則是很穩定的。但當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定於晶片的尺寸）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現象稱為壓電諧振，因此石英晶體又稱為石英晶體諧振器。 其特點是頻率穩定度很高。石英晶體振盪器與石英晶體諧振器都是提供穩定電路頻率的一種電子器件。石英晶體振盪器是利用石英晶體的壓電效應來起振，而石英晶體諧振器是利用石英晶體和內置IC來共同作用來工作的。振盪器直接應用於電路中，諧振器工作時一般需要提供3.3V電壓來維持工作。振盪器比諧振器多了一個重要技術參數為：諧振電阻（RR），諧振器沒有電阻要求。RR的大小直接影響電路的性能，也是各商家競爭的一個重要參數。三、概述微控制器的時鍾源可以分為兩類：基於機械諧振器件的時鍾源，如晶振、陶瓷諧振槽路；基於相移電路的時鍾源，如：RC （電阻、電容）振盪器。硅振盪器通常是完全集成的RC振盪器，為了提高穩定性，包含有時鍾源、匹配電阻和電容、溫度補償等。機械式諧振器與RC振盪器的主要區別基於晶振與陶瓷諧振槽路（機械式）的振盪器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。相對而言，RC振盪器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。圖1所示的電路能產生可靠的時鍾信號，但其性能受環境條件和電路元件選擇以及振盪器電路布局的影響。需認真對待振盪器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇並不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。影響振盪器工作的環境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，並且在有些情況下，還會造成振盪器停振。振盪器模塊上述大部分問題都可以通過使用振盪器模塊避免。這些模塊自帶振盪器、提供低阻方波輸出，並且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成硅振盪器。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振盪器的精度要比分立RC振盪器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。功耗選擇振盪器時還需要考慮功耗。分立振盪器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當於1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA至60mA。硅振盪器的電源電流取決於其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振盪器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。 時鍾電路晶振與時鍾IC晶元主板時鍾晶元電路提供給CPU，主板晶元組和各級匯流排（CPU匯流排，AGP匯流排，PCI匯流排，PCIE匯流排等）和主板各個介面部分基本工作頻率，有了它，計算機才能在CPU控制下，按步就班，協調地完成各項功能工作： 1.晶振的工作原理： 主板時鍾晶元即分頻器的原始工作振盪頻率，由石英晶體多諧振盪器的諧振頻率來產生，晶振其實是一個頻率產生器，他主要把傳進去的電壓轉化為頻率信號。提供給分頻率一個基準的14.318MHZ的振盪頻率，它是一個多諧振盪器的正回饋環電路，也就是說它把輸入作為輸出，把輸出作為輸入的回饋頻率，象這樣一個永無休止的循環自激過程。
⒉在主板上常見的時鍾晶振：有14.318M（主時鍾）與32.768HZ（南橋 旁邊的時鍾）
⒊時鍾IC晶元簡介：他主要起著放大頻率和縮小頻率的作用，他和晶振組合後才能在主板上起作用。我們把他稱做為時鍾發生器（晶振+時鍾IC晶元）
⒋時鍾發生器的工作原理：時鍾我們可以把他定義為各個部件的匯流排頻率速度，他起著分配給各個部件的頻率使他們能夠正常工作。當晶振通電後發出的頻率送入時鍾IC晶元，它的各腳會傳出相對應的頻率通個時鍾IC晶元旁邊的電阻（時鍾IC晶元旁邊左右兩邊一排的小電阻基本為220=22歐，330=33歐）。而內存，與AGP這些高速的時鍾是由北橋內部提供給它的，（注有些主板AGP時鍾不是由北橋提供的）將頻率信號分配到主板各個部件，如（PCI 33M，CPU 100M133M200M I/O 48M和14M，南橋33M &14M北橋100M7&133M&200M
時鍾IC晶元
上面講到了時鍾的產生，那他是如何工作的接下來我給大家講解一下時鍾IC晶元。時鍾IC晶元的工作條件：
①。供電→他的供電基本上都經過個子較大的貼片電感進入時鍾IC晶元（貼片電感時鍾IC晶元附近就可以找到 因為他比其它帖片要胖一點）。時鍾IC晶元早期的供電有2組到3組：2組供電為2.5V與3.3V 3組供電為2.5V與2.8V時鍾IC晶元後期的供電有1組到2組：1組為+3.3V 2組為3.3V與2.5V
②PG信號是在啟動時輸出電壓都穩定後再給電腦一個啟動信號，讓電腦正式啟動，而在意外斷電時也能及時地送出關機信號讓電腦馬上停止工作，對電腦的穩定和外設起了很大的保護作用。PG信號基本是通過時鍾IC晶元旁邊的阻值較大的電阻（10K、4.7K電阻）進入時鍾IC晶元內部的（PG要高於1.5V）當供電與PG都正常後時鍾IC晶元內部才能正常工作，和晶體一起產生振盪，在晶體的兩腳均可以看到波形。晶體的兩腳之間的阻值在450---700歐之間。在它的兩腳各有1V左右的電壓，由分頻器提供。他才能把14.318晶振送來的時鍾頻率放大或縮小後輸給主板的各個部件。
時鍾電路構架
上面大家知道了它的各個主成部分後，再來看看它的整個構架圖
PLL是Phase-Locked Loop的縮寫，中文含意為鎖相環。PLL基本上是一個閉環的反饋控制系統，它可以使PLL的輸出可以與一個參考信號保持固定的相位關系。PLL一般由鑒相器、電荷放大器（Charge Pump）、低通濾波器、壓控振盪器、以及某種形式的輸出轉換器組成。為了使得PLL的輸出頻率是參考時鍾的倍數關系，在PLL的反饋路徑或（和）參考信號路徑上還可以放置分頻器。PLL的功能示意圖如下圖所示：
壓控振盪器產生周期性的輸出信號，如果其輸出頻率低於參考信號的頻率，鑒相器通過電荷放大器改變控制電壓使壓控振盪器就的輸出頻率提高。如果壓控振盪器的輸出頻率高於參考信號的頻率，鑒相器通過電荷放大器改變控制電壓使壓控振盪器就的輸出頻率降低。低通濾波器的作用是平滑電荷放大器的輸出，這樣在鑒相器進行微小調整的時候，系統趨向一個穩態。負載電容及反饋電阻 可能有些初學者會對晶振的頻率感到奇怪，12M、24M之類的晶振較好理解，選用如11.0592MHZ的晶振給人一種奇怪的感覺，這個問題解釋起來比較麻煩，如果初學者在練習串口編程的時候就會對此有所理解，這種晶振主要是可以方便和精確的設計串口或其它非同步通訊時的波特率。問： 我發現在使用晶振時會和它並一個電阻，一般1M以上，我把它去掉，板子仍可正常工作，請問這個電阻有什麼用看可以不用嗎看 我有看到過不用的！不理解~答： 這個電阻是反饋電阻，是為了保證反相器輸入端的工作點電壓在VDD/2，這樣在振盪信號反饋在輸入端時，能保證反相器工作在適當的工作區。雖然你去掉該電 阻時，振盪電路仍工作了。但是如果從示波器看振盪波形就會不一致了，而且可能會造成振盪電路因工作點不合適而停振。所以千萬不要省略此電阻。 這個電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區， 以獲得增益， 在飽和區是沒有增益的， 而沒有增益是無法振盪的。 如果用晶元中的反相器來作振盪， 必須外接這個電阻， 對於CMOS而言可以是1M以上， 對於TTL則比較復雜， 視不同類型（S,LS…）而定。 如果是晶元指定的晶振引腳， 如在某些微處理器中， 常常可以不加， 因為晶元內部已經製作了， 要仔細閱讀DATA SHEET的有關說明。和晶振並聯的電阻作為負載，一般1M歐。也有和晶振串聯的電阻為諧振電阻。。問：晶振的參數里有配用的諧振電容值。比如說32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF. 這個值和實際電路中晶振上接的兩個電容值是什麼關系看像DS1302用的就是32.768K的晶振，它內部的電容是6pF的答： 你所說的是晶振的負載電容值。指的是晶振交流電路中，參與振盪的，與晶振串聯或並聯的電容值。晶振電路的頻率主要由晶振決定，但既然負載電容參與振盪，必 然會對頻率起微調作用的。負載電容越小，振盪電路頻率就會越高4.096MHz的負載電容為20pF，說明晶振本身的諧振頻率<4.096MHz， 但如果讓20pF的電容參與振盪，頻率就會升高為4.096MHz。或許有人會問為什麼這么麻煩，不如將晶振直接做成4.096MHz而不用負載電容看不 是沒有這樣的晶振，但實際電路設計中有多種振盪形式，為了振盪反饋信號的相移等原因，也有為了頻率偏差便於調整等原因，大都電路中均有電容參與振盪。為了 准確掌握晶振電路中該用多大的電容，只要把握晶體負載電容應等於振盪迴路中的電容+雜散電容就可以了。你所說的IC中6pF的電容就可看作雜散電容石英晶體振盪器是利用石英晶體（二氧化硅的結晶體）的壓電效應製成的一種諧振器件，它的基本結構大致是從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應面上塗敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳 上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。
石英晶體的壓電效應：若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產生機械變形。反之，若在晶片的兩側施加機械壓力，則在晶片相應的方向上將產生電場，這種物理現象稱為壓電效應。注意，這種效應是可逆的。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會產生機械振動，同時晶片的機械振動又會產生交變電場。在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現象稱為壓電諧振，它與LC迴路的諧振現象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關。
晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻並聯再串聯一個電容的二端網路，電工學上這個網路有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯諧振，較高的頻率為並聯諧振。由於晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當的接近，在這個極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端並聯上合適的電容它就會組成並聯諧振電路。這個並聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振盪電路，由於晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數變化很大，這個振盪器的頻率也不會有很大的變化。
晶振有一個重要的參數，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的並聯電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。
一般的晶振振盪電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯的容量值就應該等於負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。
一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振盪電路就是比較好的選擇。
晶體振盪器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振（諧振）的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振盪器）。無源晶振需要藉助於時鍾電路才能產生振盪信號，自身無法振盪起來，所以逗無源晶振地這個說法並不準確；有源晶振是一個完整的諧振振盪器。
石英晶體振盪器與石英晶體諧振器都是提供穩定電路頻率的一種電子器件。石英晶體振盪器是利用石英晶體的壓電效應來起振，而石英晶體諧振器是利用石英晶體和內置IC共同作用來工作的。振盪器直接應用於電路中，諧振器工作時一般需要提供3.3V電壓來維持工作。振盪器比諧振器多了一個重要技術參數：諧振電阻（RR），諧振器沒有電阻要求。RR的大小直接影響電路的性能，因此這是各商家競爭的一個重要參數。
四、無源晶體與有源晶振的區別、應用范圍及用法： 1、無源晶體——無源晶體需要用DSP片內的振盪器，在datasheet上有建議的連接方法。無源晶體沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據起振電路來決定的，同樣的晶體可以適用於多種電壓，可用於多種不同時鍾信號電壓要求的DSP，而且價格通常也較低，因此對於一般的應用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合於產品線豐富批量大的生產者。無源晶體相對於晶振而言其缺陷是信號質量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用於信號匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應的調整。建議採用精度較高的石英晶體，盡可能不要採用精度低的陶瓷警惕。
2、有源晶振——有源晶振不需要DSP的內部振盪器，信號質量好，比較穩定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網路，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路。有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。相對於無源晶體，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，而且價格高。對於時序要求敏感的應用，個人認為還是有源的晶振好，因為可以選用比較精密的晶振，甚至是高檔的溫度補償晶振。有些DSP內部沒有起振電路，只能使用有源的晶振，如TI 的6000系列等。有源晶振相比於無源晶體通常體積較大，但現在許多有源晶振是表貼的，體積和晶體相當，有的甚至比許多晶體還要小。
幾點注意事項：
1、需要倍頻的DSP需要配置好PLL周邊配置電路，主要是隔離和濾波；
2、20MHz以下的晶體晶振基本上都是基頻的器件，穩定度好，20MHz以上的大多是諧波的（如3次諧波、5次諧波等等），穩定度差，因此強烈建議使用低頻的器件，畢竟倍頻用的PLL電路需要的周邊配置主要是電容、電阻、電感，其穩定度和價格方面遠遠好於晶體晶振器件；
3、時鍾信號走線長度盡可能短，線寬盡可能大，與其它印製線間距盡可能大，緊靠器件布局布線，必要時可以走內層，以及用地線包圍；
4、通過背板從外部引入時鍾信號時有特殊的設計要求，需要詳細參考相關的資料。
此外還要做一些說明：
總體來說晶振的穩定度等方面好於晶體，尤其是精密測量等領域，絕大多數用的都是高檔的晶振，這樣就可以把各種補償技術集成在一起，減少了設計的復雜性。試想，如果採用晶體，然後自己設計波形整形、抗干擾、溫度補償，那樣的話設計的復雜性將是什麼樣的呢看我們這里設計射頻電路等對時鍾要求高的場合，就是採用高精度溫補晶振的，工業級的要好幾百元一個。
特殊領域的應用如果找不到合適的晶振，也就是說設計的復雜性超出了市場上成品晶振水平，就必須自己設計了，這種情況下就要選用晶體了，不過這些晶體肯定不是市場上的普通晶體，而是特殊的高端晶體，如紅寶石晶體等等。
更高要求的領域情況更特殊，我們這里在高精度測試時採用的時鍾甚至是原子鍾、銣鍾等設備提供的，通過專用的射頻接插件連接，是個大型設備，相當笨重。
晶振：即所謂石英晶體諧振器和石英晶體時鍾振盪器的統稱。不過由於在消費類電子產品中，諧振器用的更多，所以一般的概念中把晶振就等同於諧振器理
解了。後者就是通常所指鍾振。
2、 分類。首先說一下諧振器。
諧振器一般分為插件（Dip）和貼片（SMD）。插件中又分為HC-49U、HC-49U/S、音叉型（圓柱）。HC-49U一般稱49U，有些采購俗稱 逗高型地，而HC-49U/S一般稱49S，俗稱逗矮型地。音叉型按照體積分可分為3*8，2*6，1*5，1*4等等。貼片型是按大小和腳位來分類。例如7*5（0705）、6*3.5（0603），5*3.2（5032）等等。腳位有4pin和2pin之分。
而振盪器也是可以分為插件和貼片。插件的可以按大小和腳位來分。例如所謂全尺寸的，又稱長方形或者14pin，半尺寸的又稱為正方形或者8pin。不過要注意的是，這里的14pin和8pin都是指振盪器內部核心IC的腳位數，振盪器本身是4pin。而從不同的應用層面來分，又可分為OSC（普通鍾振）， TCXO（溫度補償），VCXO（壓控），OCXO（恆溫）等等。
Ⅵ 晶振在電路里起什麼作用
電路中的晶振即石英晶體震盪器。
由於石英晶體震盪器具有非常好的頻率穩定性和抗外界干擾的能力，所以，石英晶體震盪器是用來產生基準頻率的。通過基準頻率來控制電路中的頻率的准確性。
石英晶體震盪器的應用范圍是非常廣的，它質量等級、頻率精度也是差別很大的。通訊系統用的信號發生器的信號源（震盪源），絕大部分也用的是石英晶體震盪器。
晶振是石英振盪器的簡稱，英文名為crystal，它是時鍾電路中最重要的部件，它的主要作用是向顯卡、網卡、主板等配件的各部分提供基準頻率，它就像個標尺，工作頻率不穩定會造成相關設備工作頻率不穩定，自然容易出現問題。
晶振還有個作用是在電路產生震盪電流,發出時鍾信號.
晶振是晶體振盪器的簡稱。它用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體在共振的狀態下工作，以提供穩定，精確的單頻振盪。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對精度可達百萬分之五十。高級的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在一定范圍內調整頻率，稱為壓控振盪器（vco）。
晶振在數字電路的基本作用是提供一個時序控制的標准時刻。數字電路的工作是根據電路設計，在某個時刻專門完成特定的任務，如果沒有一個時序控制的標准時刻，整個數字電路就會成為「聾子」，不知道什麼時刻該做什麼事情了。
晶振的作用是為系統提供基本的時鍾信號。通常一個系統共用一個晶振，便於各部分保持同步。有些通訊系統的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調整頻率的方法保持同步。
晶振通常與鎖相環電路配合使用，以提供系統所需的時鍾頻率。如果不同子系統需要不同頻率的時鍾信號，可以用與同一個晶振相連的不同鎖相環來提供。
電路中，為了得到交流信號，可以用rc、lc諧振電路取得，但這些電路的振盪頻率並不穩定。在要求得到高穩定頻率的電路中，必須使用石英晶體振盪電路。石英晶體具有高品質因數，振盪電路採用了恆溫、穩壓等方式以後，振盪頻率穩定度可以達到10^(-9)至10^(-11)。廣泛應用在通訊、時鍾、手錶、計算機……需要高穩定信號的場合。
石英晶振不分正負極,
外殼是地線，其兩條不分正負
有源晶振和無源晶振的作用分別是什麼
1.無源晶振是有2個引腳的無極性元件，需要藉助於時鍾電路才能產生振盪信號，自身無法振盪起來
2.有源晶振有4隻引腳，是一個完整的振盪器，其中除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件
主要看你應用到的電路，如果有時鍾電路，就用無源，否則就用有源
無源晶體需要用dsp片內的振盪器，無源晶體沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據起振電路來決定的，無源的要和其他元件才能組成正常的振盪電路,同樣的晶體可以適用於多種電壓，可用於多種不同時鍾信號電壓要求的dsp，而且價格通常也較低，因此對於一般的應用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合於產品線豐富批量大的生產者
有源晶振不需要dsp的內部振盪器，信號質量好，比較穩定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構成的pi型濾波網路，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路
可以用萬用表測量晶振兩個引腳電壓是否是晶元工作電壓的一半，比如工作電壓是5v則是否是2.5v左右。另外如果用鑷子碰晶體另外一個腳，這個電壓有明顯變化，證明是起振了的
！
哇，打字打得手好酸啊！！！！
Ⅶ 單片機的最小系統晶振電路的兩個電阻作用,為什麼
晶振電路需要2個10-30pF級別的電容作為起振用途，10-30pF具體的值根據不同的晶振頻率不同的單片機而有所不同，作用都是使晶振起振，如果去掉這2個電容，晶振就不會起振，就沒有頻率輸出，單片機就不會工作。這樣說你懂了嗎？
也有串並連電阻的案例，正常我們不需要那麼做，官方的Deom里也是沒有的，以下內容來自網路，講解的很詳細，你可以自習讀讀，以後對這部分電路會有更詳細的認識。
一份電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由於連接晶振的晶元端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網路提供另外180度的相移，整個環路的相移360度，滿足振盪的相位條件，同時還要求閉環增益大於等於1，晶體才正常工作。
晶振輸入輸出連接的電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，一般在M歐級，輸出端的電阻與負載電容組成網路，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。
和晶振串聯的電阻常用來預防晶振被過分驅動。晶振過分驅動的後果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，並導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發振餘裕度。
Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅動晶體震盪的.因此,在反相器的兩端並聯一個電阻,由電阻完成將輸出的信號反向 180度反饋到輸入端形成負反饋,構成負反饋放大電路.晶體並在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是並聯關系,自己想一下是電阻大還是電阻小對晶體的阻抗影響小大?
電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋迴路，形成放大器，當晶體並在其中會使反饋迴路的交流等效按照晶體頻率諧振，由於晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經試驗此電路的穩定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。
晶體的Q值非常高, Q值是什麼意思呢？ 晶體的串聯等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶體一般等效於一個Q很高很高的電感，相當於電感的導線電阻很小很小。Q一般達到10^-4量級。
避免信號太強打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百K。
串進去的電阻是用來限制振盪幅度的，並進去的兩顆電容根據LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~30P左右，主要用與微調頻率和波形，並影響幅度，並進去的電阻就要看 IC spec了，有的是用來反饋的，有的是為過EMI的對策
可是轉化為 並聯等效阻抗後，Re越小，Rp就越大，這是有現成的公式的。晶體的等效Rp很大很大。外面並的電阻是並到這個Rp上的，於是，降低了Rp值 -----＞ 增大了Re -----＞ 降低了Q
精確的分析還可以知道，對頻率也會有很小很小的影響。
總結並聯電阻的四大作用：
1、配合IC內部電路組成負反饋、移相，使放大器工作在線性區；
2、限流防止諧振器被過驅；
3、並聯降低諧振阻抗，使諧振器易啟動；
4、電阻取值影響波形的脈寬。
有源晶振與無源晶振以及無源晶振起振電容的選擇：
無源晶振（Crystal）：內只有一片按一定軸向切割的石英晶體薄片，供接入運放（或微處理器的Xtal端）以形成振盪。（依靠配合其他IC內部振盪電路工作）
有源晶振（Oscillator）：內帶運放，工作在最佳狀態，送入電源後，可直接輸出一定頻率的等副正弦波。（晶振+振動電路，封裝在一起，加上電源，就有波形輸出）
1.無源晶振是有2個引腳的無極性元件，需要藉助於時鍾電路才能產生振盪信號，自身無法振盪起來 無源晶振需要用DSP片內的振盪器，在datasheet上有建議的連接方法。無源晶振沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據起振電路來決定的，同樣的晶振可以適用於多種電壓，可用於多種不同時鍾信號電壓要求的DSP，而且價格通常也較低，因此對於一般的應用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合於產品線豐富批量大的生產者。無源晶振相對於晶振而言其缺陷是信號質量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用於信號匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應的調整。使用時建議採用精度較高的石英晶體，盡可能不要採用精度低的陶瓷晶體。
2.有源晶振有4隻引腳，是一個完整的振盪器，裡面除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的內部振盪器，信號質量好，比較穩定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網路，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路。相對於無源晶體，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，價格相對較高。對於時序要求敏感的應用，還是有源的晶振好，因為可以選用比較精密的晶振，甚至是高檔的溫度補償晶振。有些DSP內部沒有起振電路，只能使用有源的晶振，如TI的6000系列等。有源晶振相比於無源晶體通常體積較大，但現在許多有源晶振是表貼的，體積和晶體相當，有的甚至比許多晶體還要小。
在電子學上，通常將含有晶體管元件的電路稱作「有源電路」（如有源音箱、有源濾波器等），而僅由阻容元件組成的電路稱作「無源電路」。電腦中的晶體振盪器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振盪器）。無源晶振是有2個引腳的無極性元件，需要藉助於時鍾電路才能產生振盪信號，自身無法振盪起來，所以「無源晶振」這個說法並不準確；有源晶振有4隻引腳，是一個完整的振盪器，其中除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件，因此體積較大。
有源晶振型號縱多，而且每一種型號的引腳定義都有所不同，接發也不同,下面我介紹一下有源晶振引腳識別，以方便大家
有個點標記的為1腳，按逆時針（管腳向下）分別為2、3、4。
有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。
有源晶振不需要DSP的內部振盪器，信號質量好，比較穩定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網路，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路。相對於無源晶體，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，而且價格高。
有源晶振是右石英晶體組成的,石英晶片之所以能當為振盪器使用，是基於它的壓電效應：在晶片的兩個極上加一電場，會使晶體產生機械變形；在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產生機械振動，同時機械變形振動又會產生交變電場，雖然這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現象稱為「壓電諧振」。
壓電諧振狀態的建立和維持都必須藉助於振盪器電路才能實現。圖3是一個串聯型振盪器，晶體管T1和T2構成的兩級放大器，石英晶體XT與電容C2構成LC電路。在這個電路中，石英晶體相當於一個電感，C2為可變電容器，調節其容量即可使電路進入諧振狀態。該振盪器供電電壓為5V，輸出波形為方波。
有源晶振型號縱多，而且每一種型號的引腳定義都有所不同，接發也不同,下面我介紹一下有源晶振引腳識別，以方便大家
有個點標記的為1腳，按逆時針（管腳向下）分別為2、3、4。
有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。
有源晶振不需要DSP的內部振盪器，信號質量好，比較穩定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網路，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路。相對於無源晶體，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，而且價格高。
有源晶振是右石英晶體組成的,石英晶片之所以能當為振盪器使用，是基於它的壓電效應：在晶片的兩個極上加一電場，會使晶體產生機械變形；在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產生機械振動，同時機械變形振動又會產生交變電場，雖然這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現象稱為「壓電諧振」。
壓電諧振狀態的建立和維持都必須藉助於振盪器電路才能實現。
石英晶體振盪器的頻率穩定度可達10^-9/日，甚至10^-11。例如10MHz的振盪器，頻率在一日之內的變化一般不大於0.1Hz。因此，完全可以將晶體振盪器視為恆定的基準頻率源(石英錶、電子表中都是利用石英晶體來做計時的基準頻率)。從PC誕生至現在，主板上一直都使用一顆14.318MHz的石英晶體振盪器作為基準頻率源。 主板上除了這顆14.318MHz的晶振，還能找到一顆頻率為32.768MHz的晶振，它被用於實時時鍾(RTC)電路中，顯示精確的時間和日期
方形有源晶振引腳分布：
1、正方的，使用DIP-8封裝，打點的是1腳。
1-NC； 4-GND； 5-Output； 8-VCC
2、長方的，使用DIP-14封裝，打點的是1腳。
1-NC； 7-GND； 8-Output； 14-VCC
BTW：
1、電源有兩種，一種是TTL，只能用5V，一種是HC的，可以3.3V/5V
2、邊沿有一個是尖角，三個圓角，尖角的是一腳，和打點一致。
Vcc out
NC（點） GND
現在提供一些實際數據：
測試樣品為TOYOCOM的711SC 1.000M的輸出頻率，1腳懸空，2腳接地，3腳輸出，4叫接+5V；
1.4V就開始起振，峰值電壓1.64V，但是工作頻率會有一定的偏差；3V時峰值電壓3.24V，工作頻率1.000M，輸出頻率准確；5V時峰值電壓為5.6V，工作頻率1.000M，輸出頻率准確
關於晶振的匹配電容問題
晶振還是晶體？
晶振的話好像不用電容吧？
晶體的話0.1u和0.01u的電容有些大了，
一般應該100p到20p之間
nod
晶振的標稱值在測試時有一個「負載電容」的條件，在工作時滿足這個條件，振盪頻率才與標稱值一致。一般來講，有低負載電容（串聯諧振晶體）
高負載電容（並聯諧振晶體）之分。在電路上的特徵為：晶振串一隻電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯諧振型；一隻腳接IC，一隻腳接地的，則為並聯型。如確實沒有原型號，需要代用的可採取串聯諧振型電路上的電容再並一個電容，並聯諧振電路上串一隻電容的措施。例如：4.433MHz晶振,並一隻3300PF電容或串一隻70P的微調電容。另一種說法是「損耗值」與「激勵電平」之說：
其實，上述原因都可以作為選擇晶振的條件作為考慮。
常見的晶振大多是二隻腳，3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的復合元件。由於在集成電路振盪端子外圍電路中總是以一個晶振（或其它諧振元件）和兩個電容組成迴路，為便於簡化電路及工藝，人們便研製生產了這種復合件。其3個引腳中，中間的1個腳通常是2 個電容連接一起的公共端，另外2個引腳即為晶振兩端，也是兩個電容各自與晶振連接的兩端。由此可見，這種復合件可用一個同頻率晶振和兩個100～200pF的瓷片電容按常規連接後直接予以代換。
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怎樣選擇一款合適的晶體振盪器21ic.com
發信站: 瀚海星雲 (2003年11月04日10:18:05 星期二), 站內信件
---- 本文介紹了一些足以表現出一個晶體振盪器性能高低的技術指標，了解這些指標的含義，將有助於通訊設計工程師順利完成設計項目，同時也可以大大減少整機
---- 總頻差：在規定的時間內，由於規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振盪器頻率與給定標稱頻率的最大頻差。
---- 說明：總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度准確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩定度和頻率負載穩定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關心，而對其他頻率穩定度指標不嚴格要求的場合採用。例如：精密制導雷達。
---- 頻率溫度穩定度：在標稱電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的最大允許頻偏。
---- fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
---- fTref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜,｜(fmin-fref)/fref｜] fT：頻率溫度穩定度(不帶隱含基準溫度)
---- fTref：頻率溫度穩定度(帶隱含基準溫度)
---- fmax ：規定溫度范圍內測得的最高頻率
---- fmin：規定溫度范圍內測得的最低頻率
---- fref：規定基準溫度測得的頻率
---- 說明：採用fTref指標的晶體振盪器其生產難度要高於採用fT指標的晶體振盪器,故fTref指標的晶體振盪器售價較高。
---- 幾種電子系統使用的晶體振盪器典型頻率溫度穩定度指標見下表:
---- 表中有一部分頻率溫度穩定度指標應是帶隱含基準溫度的頻率溫度穩定度指標，但沒表示出來。 (1ppm=1×10-6；1ppb=1×10-9)。
---- 頻率穩定預熱時間：以晶體振盪器穩定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小於規定頻率允差所需要的時間。
---- 說明：在多數應用中，晶體振盪器是長期加電的，然而在某些應用中晶體振盪器需要頻繁的開機和關機，這時頻率穩定預熱時間指標需要被考慮到（尤其是對於在苛刻環境中使用的軍用通訊電台，當要求頻率溫度穩定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，採用OCXO作為本振，頻率穩定預熱時間將不少於5分鍾，而採用DTCXO只需要十幾秒鍾)。
---- 頻率老化率：在恆定的環境條件下測量振盪器頻率時，振盪器頻率和時間之間的關系。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振盪器電路元件的緩慢變化造成的，可用規定時限後的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時後），或規定的時限內最大的總頻率變化（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來表示。
---- 說明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情況，TCXO很少採用每天頻率老化率的指標，因為即使在實驗室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過溫度補償晶體振盪器每天的頻率老化，因此這個指標失去了實際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時後），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
---- 頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點電壓，晶體振盪器頻率的最小峰值改變數。
---- 說明：基準電壓為＋2.5V，規定終點電壓為＋0.5V和＋4.5V，壓控晶體振盪器在＋0.5V頻率控制電壓時頻率改變數為-110ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時頻率改變數為＋130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm(2.5V±2V)。
---- 壓控頻率響應范圍：當調制頻率變化時，峰值頻偏與調制頻率之間的關系。通常用規定的調制頻率比規定的調制基準頻率低若干dB表示。
---- 說明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應為0～10kHz。
---- 頻率壓控線性：與理想（直線）函數相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分數表示整個范圍頻偏的可容許非線性度。
---- 說明：典型的VCXO頻率壓控線性為：≤±10%，≤±20%。簡單的VCXO頻率壓控線性計算方法為(當頻率壓控極性為正極性時)：
---- 頻率壓控線性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%
---- fmax：VCXO在最大壓控電壓時的輸出頻率
---- fmin：VCXO在最小壓控電壓時的輸出頻率
---- f0：壓控中心電壓頻率
---- 單邊帶相位雜訊￡(f)：偏離載波f處，一個相位調制邊帶的功率密度與載波功率之比。
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請問單片機晶震旁的2個電容有什麼要求嗎?
這個是晶體的匹配電容，只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，
振盪頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差范圍內。
最好按照所提供的數據來，如果沒有，一般是30pF左右。太小了不容易
起振。
在某些情況下，也可以通過調整這兩個電容的大小來微調振盪頻率，當然
可調范圍一般在10ppm量級。
Ⅷ 手機中的時間是由哪個元件控制
要看具體的電路形式，不同的手機，不太一樣。
一般的說，手機中的時鍾基準來自於「基準時鍾振盪電路」。
手機基準時鍾振盪電路，是手機的一個十分重要的電路，產生的13MHz時鍾，一方面為手機邏輯電路提供了必要條件，另一方面為頻率合成電路提供基準時鍾。
手機的13MHz基準時鍾電路，主要有兩種電路：
一是專用的13MHzVCO組件，VCO組件一般有4個端El：輸出端、電源端、AFC控制端及接地端。
另一種是由一個13MHz(也有的是26MHz、19.5MHz)石英晶體、集成電路和外接元件構成晶振振盪電路。
例如：愛立信T28手機的13MHz晶振振盪電路。由N234和13MHz晶體B320、變容二極體V322、V321等構成，該電路產生13MHz的信號，經N234模塊處理後輸出兩路：一路經電容C300、C302到D300模塊的15腳，給頻率合成電路提供參考信號；另一路從N234的52腳輸出，給邏輯電路提供邏輯時鍾信號；
13MHz電路的控制信號VCXOCONT來自N800模塊。
又例如：摩托羅拉V998手機的26MHz振盪電路。由26MHz石英晶體Y230、變容二極體CR230及中頻模塊U913內部的振盪電路所組成。電路中，Y230是4腳晶體，其中三隻腳是連在一起作為接地端，而另外一腳則作為輸出，自動頻率控制電壓AFC從U913的J7端輸出，U913的J8腳為供電端，U913振盪器產生。
13MHz基準頻率一路作為基準頻率信號源去合成各種載頻，另外一路則從U913的J6端輸出送到中央處理器，作為手機的邏輯時鍾。
由U101和石英晶體Y101等元件組成，石英晶體Y101的諧振頻率(基準頻率)為19.5MHz，在U101模塊內進行1.5倍分頻處理，得到頻率合成的參考信號和邏輯電路的13MHz時鍾信號。頻率合成的參考信號從U101的C10腳輸出；邏輯時鍾信號從U101的H7腳輸出。 U101的D10腳為供電端。
不管是VCO組件還是晶振組成的振盪電路，都需要AFC控制信號，AFC信號由邏輯電路中的DSP(數字語音處理器)輸出。由於GSM手機採用時分多址(TDMA)技術，以不同的時間段(時隙)采區分用戶，手機與系統保持時間同步就顯得非常重要。如手機時鍾與系統時鍾不同步，則會導致手機不能與系統進行正常的通信。
不知樓主在問題中提到的「晶振」和「時鍾晶振」是什麼概念？「時鍾晶振」屬於「晶振」，不知該怎麼回答樓主的這個問題。還是請樓主參考上面我說的吧。
樓主在問題中提到的情況，不太可能是由於晶振損壞。似乎是手機時鍾與系統時鍾不同步造成的，很有可能是軟體問題。或者是手機主板上的電池沒電了。
補充答案：
有的是電池（就是一節小鈕扣電池），有的是電容。
Ⅸ 晶振在電路中的作用有哪些
每個單片機系統里都有晶振，全程是叫晶體震盪器，在單片機系統里晶振的作用非常大，他結合單片機內部的電路，產生單片機所必須的時鍾頻率，單片機的一切指令的執行都是建立在這個基礎上的，晶振的提供的時鍾頻率越高，那單片機的運行速度也就越快。
晶振用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體在共振的狀態下工作，以提供穩定，精確的單頻振盪。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對精度可達百萬分之五十。高級的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在一定范圍內調整頻率，稱為壓控振盪器（VCO）。
分類：
1.無源晶振
無源晶體需要晶元內部有振盪器，無源晶體沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據起振電路來決定的，同樣的晶體可以適用於多種電壓，而且價格通常也較低，因此對於一般的應用如果條件許可建議用無源晶振。無源晶振缺陷是信號質量較差，通常需要精確匹配外圍電路（信號匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶振時周邊配置電路需要做相應的調整。
2.有源晶振
有源晶振不需要晶元內部有振盪器，信號質量好，比較穩定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網路，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路。有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。相對於無源晶振，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，而且價格高。對於時序要求敏感的應用，個人認為還是有源的晶振好，因為可以選用比較精密的晶振，甚至是高檔的溫度補償晶振。
按晶振的功能和實現技術的不同，可以將晶振分為以下四類：
1.恆溫晶體振盪器(簡稱OCXO)
2.溫度補償晶體振盪器(簡稱TCXO)
3.普通晶體振盪器(簡稱SPXO)
4.壓控晶體振盪器(簡稱VCXO