雲快閃記憶體電路

① 電路圖中flash是什麼意思

就是FLASH快閃記憶體，是一種存儲晶元，用來存儲一些基礎數據，用燒錄的方式寫入，掉版電後數據仍然權保存著。
http://ke..com/link?url=bSSoh--HgtGeRjhAs44ls6iLLO-POGVR2aOzJvTO1EW8iK

② 什麼是快閃記憶體

快閃記憶體是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次內擦或寫的非易失性存儲容器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在計算機與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。因為快閃記憶體不像RAM一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。

快閃記憶體的基本單元電路由雙層浮空柵MOS管組成。第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。

(2)雲快閃記憶體電路擴展閱讀：

應用前景

除了快閃記憶體檔，快閃記憶體還被應用在計算機中的BIOS、PDA、數碼相機、錄音筆、手機、數字電視、游戲機等電子產品中。快閃記憶體正朝大容量、低功耗、低成本的方向發展。

快閃記憶體檔可用來在電腦之間交換數據。從容量上講，快閃記憶體檔的容量從16MB到64GB可選，突破了軟碟機1.44MB的局限性。部分款式快閃記憶體檔具有加密等功能，令用戶使用更具個性化。快閃記憶體檔外形小巧，更易於攜帶。且採用支持熱插拔的USB介面，使用非常方便。

③ nas快閃記憶體是什麼意思

NAS(Network Attached Storage:網路附屬存儲)按字面簡單說就是連接在網路上，具備資料存儲功能的裝置，因此也稱為"網路存儲器"。它是一種專用數據存儲伺服器。它以數據為中心，將存儲設備與伺服器徹底分離，集中管理數據，從而釋放帶寬、提高性能、降低總擁有成本、保護投資。其成本遠遠低於使用伺服器存儲，而效率卻遠遠高於後者。目前國際著名的NAS企業有Netapp、EMC、OUO等。
【基本定義】
NAS被定義為一種特殊的專用數據存儲伺服器，包括存儲器件（例如磁碟陣列、CD/DVD驅動器、磁帶驅動器或可移動的存儲介質）和內嵌系統軟體，可提供跨平台文件共享功能。NAS通常在一個LAN上佔有自己的節點，無需應用伺服器的干預，允許用戶在網路上存取數據，在這種配置中，NAS集中管理和處理網路上的所有數據，將負載從應用或企業伺服器上卸載下來，有效降低總擁有成本，保護用戶投資。 NAS本身能夠支持多種協議（如NFS、CIFS、FTP、HTTP等），而且能夠支持各種操作系統。通過任何一台工作站，採用IE或Netscape瀏覽器就可以對NAS設備進行直觀方便的管理。
SAN和NAS的區別：
san是一種網路，NAS產品是一個專有文件伺服器或一個只能文件訪問設備。
SAN是在伺服器和存儲器之間用作I/O路徑的專用網路。
SAN包括面向塊（SCIS）和面向文件（NAS）的存儲產品。
NAS產品能通過SAN連接到存儲設備
NAS是功能單一的精簡型電腦，因此在架構上不像個人電腦那麼復雜，像鍵盤、滑鼠、熒幕、音效卡、喇叭、擴充漕、各式連介面等都不需要；在外觀上就像家電產品，只需電源與簡單的控制鈕。NAS在架構上與個人電腦相似，但因功能單純，可移除許多不必要的連接器、控制晶片、電子迴路，如鍵盤、滑鼠、USB、VGA等。

NAS存儲也通常被稱為附加存儲，顧名思義，就是存儲設備通過標準的網路拓撲結構（例如乙太網）添加到一群計算機上。NAS是文件級的存儲方法，它的重點在於幫助工作組和部門級機構解決迅速增加存儲容量的需求。如今用戶採用NAS較多的功能是用來文檔共享、圖片共享、電影共享等等，而且隨著雲計算的發展，一些NAS廠商也推出了雲存儲功能，大大方便了企業和個人用戶的使用。
NAS產品是真正即插即用的產品。NAS設備一般支持多計算機平台，用戶通過網路支持協議可進入相同的文檔，因而NAS設備無需改造即可用於混合Unix/Windows NT區域網內，同時NAS的應用非常靈活。
但NAS又一個關鍵性問題，即備份過程中的帶寬消耗。與將備份數據流從LAN中轉移出去的存儲區域網（SAN）不同，NAS仍使用網路進行備份和恢復。NAS 的一個缺點是它將存儲事務由並行SCSI連接轉移到了網路上。這就是說LAN除了必須處理正常的最終用戶傳輸流外，還必須處理包括備份操作的存儲磁碟請求。

④ 8引腳25系列Flash快閃記憶體晶元的引腳定義 （圖片來自網路）

主要引腳定義說明：

1、 RB：讀＼忙，低電平有效。

2、 RE：讀使能回，答低電平有效。

3、CE：晶元選中使能，低電平有效。

4、VCC：3.3V電源

⑤ DIY快閃記憶體需要什麼

1. 確定快閃記憶體晶元及容量.

2. 確定固件可支持的最大容量以及是否可以升級：一般專MP3一系列有64、屬128到256、512M甚至更大容量，其最高容量便是固件所支持的最大容量。只要電路板有兩個快閃記憶體焊位，前面說過沒有也可以換一個更大容量的快閃記憶體晶元，只要在固件支持的情況下都可以擴容。

3. 擴容方式：在空焊位焊上相同容量或者焊下原來的小容量的後換上一片（只有一個焊位得情況）或者兩片相同的高容量的。同一廠商生產的快閃記憶體晶元，其不同容量是Pin to Pin 的，即晶元的封裝、引腳的功能、外圍電路都是相同的。可以說是硬體間的兼容，但是不同晶元通電時序、復位時間等參數可能不同。在這里若是兩片則容量最好一樣，否則升級成功率將會大大降低。最好最保險是採用同種品牌同一型號的。

⑥ 想知道usb快閃記憶體內部的電路，想要電路圖

強人.
不過聽人說過自己修的

⑦ 為什麼快閃記憶體不要電也可以保存

要講解快閃記憶體的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞）如下圖所示，常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。

快閃記憶體的基本單元電路如下圖所示，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，

在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。

寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。

讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。

⑧ 快閃記憶體的電路板壞掉了還能修嗎

沒什麼價值,還是送小朋友吧,他還會感謝你

⑨ 快閃記憶體的存儲原理

要講解快閃記憶體的存儲原理，還是要從EPROM和說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞），常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。
快閃記憶體的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。

⑩ 快閃記憶體的原理是什麼

不可能全面取代硬碟
要講解快閃記憶體的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞）如下圖所示，常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。

快閃記憶體的基本單元電路如下圖所示，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，

在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。

寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。

讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。