電路擴散

① 擴散硅壓力感測器的製作流程及電路圖

壓力感測器有好多種,主要有:
1)利用晶體的壓電效應的效應的壓力感測器
2)利壓力感測器是工業實踐中最為常用的一種感測器，而我們通常使用的壓力感測器主要是利用壓電效應製造而成的，這樣的感測器也稱為壓電感測器。
第一章 感測器和測量的基本知識
1-1 測量的基本概念

測量的概念，測量的方法，直接測量的幾種方法，儀表的精確度與解析度。

§1-2 感測器中的強性敏感元件

什麼叫彈性敏感元件、彈性敏感元件的彈性特性：剛度和靈敏度。彈性敏感元件的形式及其應用范圍。

§1-3 感測器的一般特性

靜特性：線性度、遲滯、重復性、靈敏度。

動特性：傳遞函數和動態響應的物理概念。

第二章 電阻型感測器及應用
2-1 電阻絲

電阻絲（熱電阻）工作原理、熱電阻材料及常用熱電阻、普通工業用熱電阻式感測器的簡單結構（附熱電阻絲參數表格）

應用：主要講測溫，擴展到熱電阻式流量計等。
2-2 電位器
簡單介紹結構、工作原理：主要介紹線性電位器的空載特性、階梯特性、解析度和階梯誤差，簡單介紹負載特性和非線性電位器。
原理：電位器式壓力感測器、電位器式加速度感測器。
2-3 電阻應變片
電阻應變片的工作原理，簡介應變片的結構和材料。電阻應變片的工作特性及參數、電阻應變片的溫度誤差及補償辦法。
半導體應變片簡介、配合測量電路、應變儀簡介。
應用：應變式力感測器、應變式壓力傳器，應變式加速感測器等。
第三章 電感型感測器及應用
3-1 自感式
閉磁路變隙式和開磁路螺線管式的工作原理特性（含差動）。
配用電路：交流電橋。
應用：測量線位移的靜態量和動態量、測量力、壓力、轉矩。
3-2 差動變壓器式
差動變壓器的基本原理。螺線管式的工作原理、結構、特性、零點殘余電壓及消除。
配用電路：差動相敏檢波電路和相敏整流電路簡介。
應用：位移測量、振動和加速度測量、壓力測量。
3-3 電渦流式
基本知識、工作原理、電渦流的形成范圍、被測體的材料、形狀和大小對感測器靈敏度的影響。
配用電路簡介、應用舉例。
3-4 壓磁式又叫磁彈性式。
壓磁效應、壓磁式感測器基本結構、工作原理、特性和應用。
第四章 電容型感測器及應用
4-1 電容式感測器特點及結構形式
工作原理、結構形式、靜特性（變間隙式、變面積式、變介質常數式）。
4-2 電容式感測器特點及應用特點、配用電路簡介。
應用：壓力感測器、加速度感測器、荷重感測器、位移感測器等。
第五章 諧振型感測器及應用
5-1 振動弦式結構、工作原理、激勵方式。
應用：振弦式壓力感測器、振梁式壓力感測器、振弦式扭矩感測器。
5-2 振動筒式結構、工作原理、振動頻率與壓力關系。
應用：振動筒式壓力感測器、振動管式密度感測器。
5-3 振動膜式結構、工作原理、應用。
第六章 光感測器及應用
6-1 真空光電元件
真空光電變換原理和光電陰極、真空光電管、真空光電倍增管。
6-2 光敏元件
閃光電效應、光敏電阻、光敏二極體和光敏三極體及其光譜特性與應用。
6-3 計算光柵
光柵感測器的結構、工作原理、細分技術。
第七章 電動勢型感測器
7-1 熱電偶
熱電偶的工作原理、材料和常用熱電偶、結構、冷端處理及測量的誤差、延長導線、應用。
7-2 光電池
光伏效應、硅光電池。
7-3 壓電石英晶體和壓電陶瓷
石英晶體的壓電效應、人工鐵電陶瓷的壓電效應（壓電元件的受力狀態和變形方式）壓電材料和配用電路簡介（電荷放大器）。
應用：壓電式測力感測器、頻率測量。
7-4 霍爾元件
霍爾效應、霍爾元件的構造和基本電路、特性參數、霍爾元件的溫度補償和不等位電勢補償。
應用：微位移的測量、磁場的測量
7-5 磁電式基本原理與結構、非線性誤差的補償。
應用：振動的測量、扭矩的測量。

第八章 其它半導體感測器及應用

§8-1 熱敏電阻

特點：材料、特性、適應及應用。

§8-2 因態壓敏電阻

半導體壓阻效應、擴散硅壓阻器件結構簡介。

應用：壓阻式壓力感測器、壓阻式加速度感測器。

§8-3 濕敏電阻

濕敏電阻的結構和工作原理、特性及應用

濕敏電容的結構和工作原理、特性及應用

§8-4 磁敏元件

磁敏二極體和磁敏三極體的原理、特性及應用。

§8-5 氣敏元件

半導體氣敏電阻的工作原理、特性及應用。

我們知道，晶體是各向異性的，非晶體是各向同性的。某些晶體介質，當沿著一定方向受到機械力作用發生變形時，就產生了極化效應；當機械力撤掉之後，又會重新回到不帶電的狀態，也就是受到壓力的時候，某些晶體可能產生出電的效應，這就是所謂的極化效應。科學家就是根據這個效應研製出了壓力感測器。

壓電感測器中主要使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英（二氧化硅）是一種天然晶體，壓電效應就是在這種晶體中發現的，在一定的溫度范圍之內，壓電性質一直存在，但溫度超過這個范圍之後，壓電性質完全消失（這個高溫就是所謂的「居里點」）。由於隨著應力的變化電場變化微小（也就說壓電系數比較低），所以石英逐漸被其他的壓電晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈敏度和壓電系數，但是它只能在室溫和濕度比較低的環境下才能夠應用<-- adcode -->

。磷酸二氫胺屬於人造晶體，能夠承受高溫和相當高的濕度，所以已經得到了廣泛的應用。

在現在壓電效應也應用在多晶體上，比如現在的壓電陶瓷，包括鈦酸鋇壓電陶瓷、PZT、鈮酸鹽系壓電陶瓷、鈮鎂酸鉛壓電陶瓷等等。

壓電效應是壓電感測器的主要工作原理，壓電感測器不能用於靜態測量，因為經過外力作用後的電荷，只有在迴路具有無限大的輸入阻抗時才得到保存。實際的情況不是這樣的，所以這決定了壓電感測器只能夠測量動態的應力。

壓電感測器主要應用在加速度、壓力和力等的測量中。壓電式加速度感測器是一種常用的加速度計。它具有結構簡單、體積小、重量輕、使用壽命長等優異的特點。壓電式加速度感測器在飛機、汽車、船舶、橋梁和建築的振動和沖擊測量中已經得到了廣泛的應用，特別是航空和宇航領域中更有它的特殊地位。壓電式感測器也可以用來測量發動機內部燃燒壓力的測量與真空度的測量。也可以用於軍事工業，例如用它來測量槍炮子彈在膛中擊發的一瞬間的膛壓的變化和炮口的沖擊波壓力。它既可以用來測量大的壓力，也可以用來測量微小的壓力。

壓電式感測器也廣泛應用在生物醫學測量中，比如說心室導管式微音器就是由壓電感測器製成的，因為測量動態壓力是如此普遍，所以壓電感測器的應用就非常廣。

除了壓電感測器之外，還有利用壓阻效應製造出來的壓阻感測器，利用應變效應的應變式感測器等，這些不同的壓力感測器利用不同的效應和不同的材料，在不同的場合能夠發揮它們獨特的用途。
用壓力引起極板位移的電容式壓力感測器.

② 什麼是擴散型壓敏電阻

壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件，主要用於在電路承受過壓時進行電壓鉗位，吸收多餘的電流以保護敏感器件。英文名稱叫「Voltage Dependent Resistor」簡寫為「VDR」, 或者叫做「Varistor"。壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個品種。現在大量使用的"氧化鋅"（ZnO）壓敏電阻器，它的主體材料有二價元素鋅（Zn）和六價元素氧（O）所構成。所以從材料的角度來看，氧化鋅壓敏電阻器是一種「Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導體」。 在中國台灣，壓敏電阻器稱為"突波吸收器",有時也稱為「電沖擊（浪涌）抑制器（吸收器）」。

壓敏電阻是一種限壓型保護器件。利用壓敏電阻的非線性特性，當過電壓出現在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值，從而實現對後級電路的保護。壓敏電阻的主要參數有：壓敏電壓、通流容量、結電容、響應時間等。

壓敏電阻的響應時間為ns級，比氣體放電管快，比TVS管稍慢一些，一般情況下用於電子電路的過電壓保護其響應速度可以滿足要求。壓敏電阻的結電容一般在幾百到幾千Pf的數量級范圍，很多情況下不宜直接應用在高頻信號線路的保護中，應用在交流電路的保護中時，因為其結電容較大會增加漏電流，在設計防護電路時需要充分考慮。壓敏電阻的通流容量較大，但比氣體放電管小。壓敏電阻器簡稱VDR，是一種對電壓敏感的非線性過電壓保護半導體元件。

當加在壓敏電阻上的電壓低於它的閾值時，流過它的電流極小，它相當於一個阻值無窮大的電阻。也就是說，當加在它上面的電壓低於其閾值時，它相當於一個斷開狀態的開關。
當加在壓敏電阻上的電壓超過它的閾值時，流過它的電流激增，它相當於阻值無窮小的電阻。也就是說，當加在它上面的電壓高於其閾值時，它相當於一個閉合狀態的開關。

③ 雙極型集成電路怎麼埋層擴散

埋層光刻後，進行銻擴散，就是埋層擴散。埋層擴散完成後再進行外延。

④ PN結TTL電路為什麼要隔離擴散

你的問題應該是為什麼雙極集成電路要做隔離擴散吧？
因為硅是半導體，襯底會互通，所以通過PN結或氧化牆隔離。

⑤ 舉出4個擴散現象的例子

在廁所能問到臭味
鮮花香氣四溢
把鹽放進水了..整杯水都咸了
有毒氣體泄漏了附近居民要緊急疏散

⑥ 晶元中，電路之間的距離很近，會不會因為擴散運動導致電路失效

不會。電路板的基底材料具有良好的絕緣性能，導電粒子不可能擴散到基版底材料上。而且在電路板權設計時已經考慮了相關的問題，產品檢驗時也會剔除某些不合格品，所以實際應用中不會出現擴散滲流故障。除非材料不合格、工藝不過關，那麼整批產品都不合格，不會投放市場。

⑦ 半導體擴散工藝是什麼

半導體擴散工藝。擴散技術目的在於控制半導體中特定區域內雜質的類型、濃度、深度和PN結。在集成電路發
展初期是半導體器件生產的主要技術之一。但隨著離子注入的出現，擴散工藝在制備淺結、低濃度摻雜和控制精度等方面的巨大劣勢日益突出，在製造技術中的使用已大大降低。
3．1 擴散機構
3．1．1 替位式擴散機構
這種雜質原子或離子大小與Si原子大小差別不大，它沿著硅晶體內晶格空位跳躍前進擴散，雜質原子擴散時占據晶格格點的正常位置，不改變原來硅材料的晶體結構。硼、磷、砷等是此種方式。

3．1．2 填隙式擴散機構
這種雜質原子大小與Si原子大小差別較大，雜質原子進入硅晶體後，不佔據晶格格點的正常位置，而是從一個硅原子間隙到另一個硅原子間隙逐次跳躍前進。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式。由於CMOS是由PMOS和NMOS組成，因此需要在一種襯底上製造出另一種型號的襯底,才可以在一種型號的矽片上同時製造出N管、P管，在選擇注入後的推阱工藝就可以在矽片上制出P阱、N阱；由於推阱一般需要有一定的結深，而雜質在高溫下的擴散速率較大，因此推阱工藝往往需要在較高的溫度（1150C）下進行，以縮短工藝時間，提高矽片的產出率。 阱電阻：用來監控推阱後N（或P）阱電阻的大小，阱電阻的大小會對製作在N（或P）阱里的晶體管的柵開啟電壓及擊穿電壓造成直接影響；但電阻控製片的製作由於有一定的製作流程，因此電阻有時會受制備工藝的影響。

⑧ 電源二極體PN結，擴散運動與漂移運動的區別

1、概述不同：

擴散運動（指的是擴散電流的運動）的概述：化學中的擴散電流是指在極譜分析中由溶液本體擴散到電極表面的金屬離子所形成的電流。而溶液中離子的擴散速率有極大值，當擴散速率達到最大時所形成的電流就稱為極限擴散電流。

漂移運動（指的是漂移電流的運動）的特點：在凝聚體物理學和電化學中，漂移電流是在施加電場下載流子定向運動產生的電流。當電場加在半導體材料上時，載流子流動產生電流。漂移速度是指漂移電流中載流子運動的平均速度。

2、作用不同：

擴散運動（指的是擴散電流的運動）的作用：針對擴散電容來說，PN結反向偏置時電阻大，擴散電容小，主要為勢壘電容。正向偏置時，電容大，取決於擴散電容，電阻小。頻率越高，電容效應越顯著。在集成電路中，一般利用PN結的勢壘電容，即讓PN結反偏，只是改變電壓的大小，而不改變極性。

漂移運動（指的是漂移電流的運動）的作用：正向電壓增加時，N區將有更多的電子擴散到P區，也就是P區中的少子，電子濃度、濃度梯度增加。同理，正向電壓增加時，N區中的少子---空穴的濃度、濃度梯度也要增加。相反，正向電壓降低時，少子濃度就要減少。從而表現了電容的特性。

式中id為平均極限擴散電流(單位μA)，代表汞滴上從形成至降落過程中的平均電流，n為電極反應中電子的轉移數，D為電極上起反應的物質在溶液中的擴散系數(單位是cm/s)，m為汞的流速(單位mg/s)，t為汞滴的周期(單位S)，C為電極上起反應物質的濃度(單位mmol/L)。

這一公式反映了影響擴散電流主要因素，當控制這些影響因素使之恆定時，則擴散電流id與待測物質的濃度成正比，即id=KC，是極譜定量的依據

⑨ 什麼是擴散式電路板

1.
概述RC-A2R系列壓力變送來器放源大電路板主要配套於2088壓力變送器殼體(E+H).該電路板採用新型設計思路,加強線性優化,抗(變頻器)干擾等處理.使得變送器在使用過程中穩定性大大提高.目前已被廣大壓力變送器廠家使用.
2.
性能指標適用性:擴散硅、陶瓷壓阻、應變式感測器晶元(用戶自選)輸出信號:4-20mA 二線制供電。

⑩ 模擬電路中擴散，復合，漂移運動為什麼會產生電流，電流的方向分別是什麼樣的

不能含糊，概念要清晰，你就直說三極體好了，模擬電路的范疇很大的內，不只是三極容管。而三極體不僅存在於模擬電路中，也存在於數字電路中。
至於如何生成電流，現在不理解不打緊的，就先按教材說的，通過日後的進一步學習，你會慢慢理解的；