nmos驅動電路

A. mos管驅動電路問題 PWM 如下圖(可放大）

這是一個簡單的開關電源電路，查一下4066的電源電路圖就知道了。紅色的那個應該是排阻一類的器件，D8-3C應該是排二極體，就是多個二極體共陽或共陰連接，保護電路用的，沒有其它作用。

B. 如何選擇最適合的MOS管驅動電路

1、管種類和結構

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在集成電路晶元內部通常是沒有的。

2、MOS管導通特性

導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

3、MOS開關管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

4、MOS管驅動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。

MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5、MOS管應用電路

MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動。

5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但並不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。

當電源IC與MOS管選定之後， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：

(1)開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振盪。

(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。

(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。

(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。

(5)根據情況施加隔離。

C. MOS全橋驅動電路

電路有兩個輸入端，邏輯上是互為反相的，即輸入信號使Q1導通時，會令Q2截止；

Q1漏極輸出回低電答平，通過R7使得Q4柵極也是低電平，從而令Q4導通，為電機通過了電源和電流。場效應管是電壓驅動的，與三極體的電流驅動不同，因而為Q4通過柵壓的R7，其取值小了，是浪費電，但也不能過大了，還要為此類場效應管是柵極電容提供充放電流；

另外一半電路同理

D. 求助電路大神，在設計一個Nmos管功率驅動電路來控制48VDC電壓的通斷，採用IRF3810mos管

圖沒有，一般切斷電源正極用P溝道場效應管，切斷電源負極用N溝道場效應管，就不用升壓電路了。

E. 在設計一個Nmos管功率驅動電路來控制48VDC電壓的通斷，採用IRF3810mos管

對於場效應管的抄輸入阻抗來說，光耦關斷時的漏電流足以使它導通，你應該在場效應管的控制極接一隻下偏置電阻才行，因為光耦不管是導通還是截止對場效應管來說都是導通狀態，在R10和R15下端各接上一隻下偏置電阻就行了，取值以光耦導通時的分壓足以使場效應管導通，關斷時又可以將電壓置於接近零為准，哦，R10和R15取值太小了，光耦會燒斷的，可以將阻值增大一千倍

F. mos 驅動電機電路

Y16給0，電機才會轉，按照你的描述，COM5接電源12V地，R155
D1不需要，光耦電源15V就可以了

G. NMOS管高邊驅動，希望能夠設計一個升壓驅動電路使柵極電壓高於電源電壓，使NMOS管導通。。。

如圖：我自己對MOS管的理解就是P型在應用時柵極應給個上拉的正偏的電壓，N型柵極拉低讓其零偏回或答反偏；可是看到有人在電路中應用時沒有加那個下拉電阻。
這個電路MOS管只用作開關作用，那是不是說MOS在實際應用時，在數電和模電電路中的用法不一樣？ 像圖里這樣應用會不會對電路有什麼影響？
也就是說這個下拉電阻有沒有對電路有什麼影響，為什麼？？？

H. 求一個大功率N溝道mos管(12V,2A)的驅動電路

第一級是小信號驅動，因為單片機輸出功率不高，驅動第一級產生開關量，再驅動第內二級，第二級有偏容置，估計還是開關量，只是幅值放大了，高12，低0，第三級驅動PMOS開關，注意從第二級C級引出，因此POMS的G級PWM波與第二級相反（但是PMOS輸出與第二級相同，因為PMOS為-電壓導通，也具有反向作用），第四級為驅動NMOS又具有反向作用，其實我覺得只管驅動能力的話，第三級PMOS就可以驅動了，但是第三級輸出與單片機輸出反向，所有加了第四級，又具有反向，因此最終輸出增強了驅動能力，PWM波與單片機輸出相同，圖中每一級輸入與輸出之前都具有反向的作用。希望能幫到你

I. mos管為什麼要驅動電路 博客

不太理解你的問題的意思啊。驅動電路能進行受控的開和關，這樣就能對mos管中專的id電流進行調制，另外mos管開通屬和關斷都需要進行充電和放電（雖然mos是電壓驅動型器件，但由於結容的存在，需要對這些電容充電才能有驅動電壓），這都需要電流，電流就是由驅動電路提供的，除此之外你還想問什麼？

J. 求N-MOS管高端驅動電路。

你找下逆變器的驅動，用專用的IC也可以，IR2110之類的