場致驅動電路

1. 夏華彩電e2930一開機就燒場效應驅動電路TDA4605-3和場效應管k2645是何原因

夏華E2903開機就燒場效應驅動電路TDA4605-3和場效應管k2645
1）換上的K2645開機測135電壓。當電壓升至110V-120瞬間K2645就燒毀了。查初級的尖峰吸收電路沒有問題
2）查135V復載沒有明顯短路現象，二極體也沒有損壞，換上K2645再次開機，電壓還是沒有升到135V，升到120V時K2645就又燒壞了
3）4605-3+K2645電源是很少損壞的，負載開路，光耦開路都不損壞負載也不燒場效應開關管，在維修中也比較常見。
4）實踐中，135V二極體擊穿損壞開機必燒場效應開關管。這是由4605——3內部的結構決定的。4605-3的內部有一個1點5伏的基準穩壓供電，也是內部比較器，穩壓保護控制器的供電埠。這個電壓一旦低於1。5V就失去了穩壓保護控制，K2645就擊穿損壞了
5）135V二極體穩壓管擊穿短路，反饋到初級的反饋電壓 大幅度下降，使4605-3內部的1。5V電壓下降，也就造成了K2645擊穿損壞
6）經檢測夏華E2903開機燒K2645不是二極體損壞造成的，是135V二極體上並聯的防沖擊電容漏電，還有在135V電路接有一路12歐電阻（開路）和102電容（漏電）串聯的防干擾電路損壞所致
7）更換上述二個電容一個電阻，換上一個K2645後，開機一切正常
黑龍江海興邢海成

2. 場致發光原理

場致發光片(EL)的原理
EL（electronic luminescence）是通過加在兩極的交流電壓產生交流電場，被電場激發的電子版撞擊熒光物質（zns），引起電權子能級的跳躍，變化、復合而發射出高效率冷光的一種物理觀象,即電激發光現象。

3. 請教場效應管的簡單接法

舉例說明，左圖為N溝道場效應管（型號IRF630），右圖為P溝道場效應管（型號IRF9640），電源電壓12V，具體到你這個電路中，圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值，從圖中你可以初步了解場效應管做開關電路的接法。

2，P溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間截止，柵極G低電平D與S間導通）

柵極/基極(G)接控制信號，源極(S)接負載電源正極，漏極(D)接負載輸入正極，負載輸出負極直接接負載電源負極（模擬地）。

當柵極/基極(G)電壓小於源極(S)電壓（負載電源電壓）1.2V以上時，源極(S)到漏極(D)導通，導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。

這樣負載正極被連通負載電源正極，負載工作。當柵極/基極(G)電壓小於源極(S)電壓（負載電源電壓）不足1.2V，或柵極/基極(G)電壓大於等於源極(S)電壓時，源極(S)到漏極(D)電阻極大，可以認為源極(S)到漏極(D)斷路，則負載不工作。

MOSFET場效應管做為快速開關元件的用法就簡單說到這里，復雜理論咱不說它，知道怎麼用就行了。如果僅僅是作為電子開關使用，也可以簡單用三極體代替MOSFET管，只不過三極體的效率、開關速度、開關可靠性遠不如MOSFET管。

(3)場致驅動電路擴展閱讀

工作原理

場效應管工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。

在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過渡層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。

其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

4. 固態繼電器二極體及場效應管驅動電路詳解

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5. 場效應管為什麼要驅動

    首先要說的是，一般MOS工作在開關狀態！
    場效應管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個電容，而且場效應管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開關時，MOS會在突然導通與突然關斷之間切換，那麼前級的推動電路就需要對MOS的輸入電容進行充放電，如果不要驅動電路，推動電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當一部分時間內工作在線性區域，從而導致開關效率降低！
    所以一般MOS需要配置驅動電路來使Vgs上升、下降的快速性，從而提高效率！
    希望能對你有所幫助！

6. 場致發光的所需元器件

1、薄膜場致發光元件
2、用於定義有機場致發光顯示器的電流抽樣電路
3、帶抵消閾電回壓變化的補償驅動晶體管的答電流驅動光電部件,如有機場致發光顯示器
4、有源炬陣型顯示裝置及有源炬陣型有機場致發光顯示裝置
5、特別是場致發光顯示裝置的裝置及其生產方法
6、在發射層中具有二芳基蒽梯形聚合物的電場致發光器件
7、有機場致發光器件
8、發光聚合物組合物和使用該組合物的有機場致發光顯示器
9、提高有機化合物場致發光亮度及效率的新方法
10、場致發光彩色顯示屏
11、有機場致發光器件
12、空穴遷移層以及製造利用該空穴遷移層的有機場致發光器件的方法
13、有機場致發光顯示裝置
14、場致發光顯示器
15、電子電路、場致發光顯示裝置、電光裝置和電子儀器
16、掩模及其製造方法、場致發光裝置及其製造方法以及電子機器
17、發射黃光的化合物及其有機場致發光器件
18、使用間隔元件生產場致發光顯示設備
19、具有層疊的場致發光單元的有機場致發光器件
20、有機場致發光模塊

7. 求場效管驅動電路，如下圖

場效應管驅動電壓一般在10至15V之間5V不行的，導通不完全會導致內阻大發熱大效率低，還有你三個場效應管並聯沒有均流電阻，會燒毀其中兩只的。

8. 如何選擇最適合的MOS管驅動電路

1、管種類和結構

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在集成電路晶元內部通常是沒有的。

2、MOS管導通特性

導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

3、MOS開關管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

4、MOS管驅動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。

MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5、MOS管應用電路

MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動。

5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但並不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。

當電源IC與MOS管選定之後， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：

(1)開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振盪。

(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。

(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。

(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。

(5)根據情況施加隔離。

9. 什麼是場致電離

場致電離是利用強電場誘發樣品分子電離，等離子電視又叫PDP(plasmadisplaypanel)電視，原理是每個像素點獨立發光成像，跟等離子體沒關系。

10. 無錫場致電子科技有限公司怎麼樣

簡介：無錫場致抄電子科技有限公司成立於2011年11月25日，主要經營范圍為許可經營項目：無一般經營項目：柔性電子顯示產品、電子發光材料、輔助料理機器人、電動汽車充電器的研發、銷售、技術服務等。
法定代表人：杜京軍
成立時間：2011-11-25
注冊資本：50萬人民幣
工商注冊號：320205000170558
企業類型：有限責任公司（法人獨資）
公司地址：無錫市錫山經濟開發區芙蓉中三路99號