A. 我想學好cmos從簡單到復雜請大家 建議幾本書 我已經在學拉扎維的模擬cmos集成電路設計
要看你來想學數字IC、還是模自擬IC，區別很大的。
如果想走模擬IC的路子，在電路、數電、模電、高頻電子、半導體物理的基礎上，可以開始看拉扎維的模擬cmos集成電路設計，關鍵是把這本書上的習題自己認真做做，比光看看有效果得多。
如果看完這本可以找《The Art of Layout》學學模擬IC的版圖，模擬IC的電路和版圖設計是無法分開的。
這兩本看完了，就要術業有專攻了，看看你想入那個門，ADC/DAC、RF、Power、Amplifier等等，每人可以全通的，選一門慢慢修煉。
B. cmos集成電路設計手冊 和 msd怎麼學
沒人會跟你去弄網表的，現在都用cadence模擬了。這個只是純學術交流：（1）專Stage1每條支路的電流為屬20uA，但是你的輸入管M1和M2寬長比只有2/1，這樣會嚴重限制你的輸入電壓范圍。因為漏極電流定的情況下，W/L越小，Vg越大，這樣會要求你的Vin的DC值很大。正常設計M1和M2會比較大，10/1乃至20/1都可能有。且輸入管一般是長條形狀，這樣layout比較好做match。（2）M7的電流是175uA，是M4的8倍左右，一般而言，M6的寬長比也應該是M4的8倍，且L應該一致，這樣stage1和stage2的輸出電壓DC值會一致。M4：W=12uL=4u，M6：W=12uL=4uFinger=8。（3）關於輸出擺率，主要是stage2支路電流對輸出電容進行充電，Imax/Ctotal=V/t=175u/6.5p=27V/us，之所以你模擬的值很小，個人懷疑你輸出級的電流根本就沒有175uA，或者你的模擬條件設置有誤。模擬輸出擺率時，輸入電壓Vin的risetime要小，1ps或者1ns。不然你輸入變的慢，輸出也自然慢了。
C. 拉扎維的《模擬CMOS集成電路設計》 看這本書 大家能不能給點建議
這本書理論性強，較Allen的易理解，最基礎的搞搞通，聽說面試的時候都考基礎的東西。
D. 在cmos集成電路設計這本書中，我算的Adm分子系數和書上所述不一致，請問書上是怎麼得到這個結果的
書上的式子是將電路畫成微變等效電路圖後分析所得。請將你的分析過程傳來。
E. 《CMOS集成電路設計基礎》課後習題答案
我給你發個地址，請用微博賬號下載（也可以不登陸）
http://ishare.iask.sina.com.cn/search.php?key=%CB%EF%D0%A4%D7%D3&classid=0&format=&order=&uid=0&id=0&page=0
F. 誰有拉扎維的那本《模擬CMOS集成電路設計》書的文檔，要英文版本的謝謝
你發往[email protected] 謝謝
G. 新人請教，CMOS模擬電路設計用哪本書好
《Design of Analog CMOS Integrated Circuits》------BY Behzad Razavi
如果入門抄的話，可以參考下面這本書：
《Fundamentals of Microelectronics》------BY Behzad Razavi
這基本上是最權威的兩本書了，強烈推薦，第一本的話，國內有中文翻譯版的
《CMOS集成電路設計》西安交通大學出版社的，不過還是希望你看英文原版的，很多東西感覺翻譯以後怪怪的（個人觀點）
望採納
H. 學習模擬集成電路要先看那些書（以及cmos集成電路）
其實學完模擬電子技術和電路分析就可以了，半導體器件原理不學也可以看內拉扎維的容入門的書《模擬CMOS集成電路設計》畢查德.拉扎維 著 陳貴燦 程軍 張瑞智 等譯 西安交通大學出版社。這本是經典！不過依你目前的情況，再學習個半導體器件原理最好了。半導體物理我覺得學不學其實關系不大，只是公式裡面的一些參數值不懂是什麼意思。但那都與工藝有關，當做常量就行了。對於進行電路設計來說影響不大。
I. 請問關於學習拉扎維的那本 cmos模擬集成電路設計
cmos模擬集成電路設計
這本書是模擬集成電路設計方面的書，需要具備半導體物理及器件以及基本的模電知識作為基礎，要深入的話需要信號與系統和數學方面的扎實功底。
相似書籍還有艾倫，格雷等的模擬集成電路設計